近3個(gè)月連續(xù)走跌的DRAM價(jià)格已觸底反彈 三星開始導(dǎo)入1z納米制程提升單位生產(chǎn)數(shù)量

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，在當(dāng)前各家廠商庫存數(shù)量下跌，加上資料中心需求持續(xù)強(qiáng)勁，以及2020年第1季5G手機(jī)市場對于DRAM需求擴(kuò)大的情況下，近3個(gè)月連續(xù)走跌的DRAM價(jià)格已經(jīng)觸底反彈。

其中，DDR4 8G（1Gx8）2400 Mbps的產(chǎn)品上漲了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的產(chǎn)品也上漲了1.04%，顯示了DRAM市場從下跌狀況走緩，甚至已經(jīng)開始反彈回溫。

有報(bào)告顯示，2020年在5G智能手機(jī)、資料中心等需求的提升，使得業(yè)者開始加大對于DRAM的采購力道。

其中，在5G智能手機(jī)方面，因?yàn)槠炫灆C(jī)種將搭載6G到12G的DRAM，相較4G高端旗艦款手機(jī)搭載3G到6G DRAM的規(guī)格而言，容量要增加許多，使得市場開始對DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外，外資報(bào)告還指出，韓國存儲(chǔ)器龍頭三星目前在DRAM生產(chǎn)方面已經(jīng)開始導(dǎo)入1z納米制程，三星期望可以透過制程微縮，提升單位生產(chǎn)數(shù)量。

此外，到第三代10納米級(jí)的1z納米制程后，由于未來微縮空間減少，使得成本效益遞減，加上三星逐漸導(dǎo)入EUV生產(chǎn)DRAM，生產(chǎn)成本隨之提高，這樣不僅形成進(jìn)入產(chǎn)業(yè)的高門檻，也限制了未來擴(kuò)產(chǎn)比例，導(dǎo)致預(yù)期供貨將維持在一定數(shù)量，廠商難以大量收到貨源，形成價(jià)格的預(yù)期上揚(yáng)。而這對于整體DRAM產(chǎn)業(yè)來說，也會(huì)是較為健康的發(fā)展。
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