0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

曝麒麟820將采用三星6nm工藝 預(yù)計(jì)將會(huì)由nova機(jī)型首發(fā)

工程師鄧生 ? 來源:快科技 ? 作者:小淳 ? 2020-01-03 10:40 ? 次閱讀

華為自研的麒麟810無疑是一顆相當(dāng)強(qiáng)悍的頂級產(chǎn)品,推出后,在數(shù)月內(nèi)連續(xù)霸榜安兔兔中端手機(jī)榜,成為中端機(jī)型最強(qiáng)處理器,沒有之一。

至于原因,當(dāng)然是它領(lǐng)先對手的7nm工藝制程、達(dá)芬奇架構(gòu)NPU、A76大核等一系列旗艦級的配置。即便面對全新的驍龍765G、Exynos 980,其性能表現(xiàn)也不落下風(fēng)。

所以人們對麒麟810繼任者也充滿期待。近日,有消息人士爆料稱,麒麟820也將是一顆沒有成本限制的旗艦級處理器。

據(jù)悉麒麟820將采用三星的6nm工藝制程,比臺積電7nm工藝使用更多的EUV層,可以提供額外18%的密度改進(jìn),依然領(lǐng)先對手半年時(shí)間。

架構(gòu)上,麒麟820可能會(huì)升級為A77大核,GPU與NPU方面則尚不明確,此外,麒麟820極有可能集成了5G基帶,并支持雙模5G網(wǎng)絡(luò)。

消息人士稱,麒麟820將會(huì)在今年第二季度量產(chǎn),但何時(shí)出貨未知,預(yù)計(jì)將會(huì)由nova機(jī)型首發(fā),并陸續(xù)普及到榮耀10X等機(jī)型上。

責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 華為
    +關(guān)注

    關(guān)注

    215

    文章

    34207

    瀏覽量

    250712
  • 麒麟處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    83

    瀏覽量

    8860
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI
    發(fā)表于 10-23 11:53 ?116次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要<b class='flag-5'>工藝</b>

    三星電子或2026年HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺積電

    據(jù)媒體報(bào)道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺積電,并計(jì)劃采用12nm6nm的先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 10-10 15:25 ?384次閱讀

    三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

    據(jù)韓國媒體最新報(bào)道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營。這一舉措標(biāo)志著
    的頭像 發(fā)表于 08-13 14:29 ?436次閱讀

    三星展望2027年:1.4nm工藝與先進(jìn)供電技術(shù)登場

    在半導(dǎo)體技術(shù)的競技場上,三星正全力沖刺,準(zhǔn)備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日,三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術(shù)路線圖,其中包括備受矚目的1.4nm制程
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:30 ?339次閱讀

    三星擬升級美國晶圓廠至2nm制程,與臺積電競爭尖端市場

    在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈的背景下,韓國科技巨頭三星近日宣布了一項(xiàng)重要決策。據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星已決定推遲其位于美國德克薩斯州泰勒市新晶圓廠的設(shè)備訂單,考慮原計(jì)劃的4nm制程
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:31 ?463次閱讀

    三星與新思科技攜手,備戰(zhàn)2nm工藝量產(chǎn)

    在全球半導(dǎo)體行業(yè)邁向更高精度和更小尺寸的征途上,三星與新思科技近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并在市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:22 ?433次閱讀

    三星公布最新工藝路線圖

    : 1. **新節(jié)點(diǎn)和技術(shù)進(jìn)展**:三星宣布了兩個(gè)新的尖端節(jié)點(diǎn)——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝,采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù),這種技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 15:33 ?310次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>公布最新<b class='flag-5'>工藝</b>路線圖

    三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

    據(jù)外媒報(bào)道,三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around(GAA)工藝的片上系統(tǒng)(SoC),預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galax
    的頭像 發(fā)表于 05-08 15:24 ?517次閱讀

    三星電子:加快2nm和3D半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,共享技術(shù)信息與未來展望

    在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步,預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開
    的頭像 發(fā)表于 04-30 16:16 ?430次閱讀

    三星Galaxy Watch 7采用Exynos W1000處理器

    之前的三星 Galaxy Watch 4 使用基于 5nm 的 Exynos W920 芯片,Galaxy Watch 6 則選用因調(diào)整了時(shí)鐘頻率與制造工藝而更強(qiáng)的 Exynos W9
    的頭像 發(fā)表于 04-16 15:16 ?1469次閱讀

    三星電子3nm工藝良率低迷,始終在50%左右徘徊

    據(jù)韓國媒體報(bào)道稱,三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透露,盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過60%
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:59 ?660次閱讀

    三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)!

    據(jù)報(bào)道,三星預(yù)計(jì)在未來6個(gè)月時(shí)間內(nèi),讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-29 15:52 ?554次閱讀

    韓華VisioNexT采用三星4nm生產(chǎn)AI芯片

    韓華集團(tuán)下屬的ic設(shè)計(jì)企業(yè)vision ext正在對通過智能型閉路電視收集的影像、動(dòng)影像進(jìn)行分析的視角ai半導(dǎo)體進(jìn)行投資。此前,三星4nm工程主要用于高性能計(jì)算(hpc)和自主行駛車等方面。商務(wù)公司的目標(biāo)是通過與三星的合作,在4
    的頭像 發(fā)表于 12-07 16:51 ?1448次閱讀

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

    三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
    的頭像 發(fā)表于 11-23 18:13 ?933次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>D1a <b class='flag-5'>nm</b> LPDDR5X器件的EUV光刻<b class='flag-5'>工藝</b>

    淺談三星SF1.4(1.4 納米級)工藝技術(shù)

    2025 年,三星預(yù)計(jì)推出 SF2(2nm 級)制造工藝,該工藝不僅依賴 GAA 晶體管,還將
    發(fā)表于 11-01 12:34 ?515次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>三星</b>SF1.4(1.4 納米級)<b class='flag-5'>工藝</b>技術(shù)