近日,中科院對外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
目前最為先進的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內(nèi)置了超過100億個晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技術(shù)上的確實現(xiàn)了巨大突破,也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。
而繼華為之后,中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。據(jù)悉,早在2016年官方就開始針對此類技術(shù)開展相關(guān)研究,歷經(jīng)重重困難,中科院斬獲全球第一,研發(fā)出世界上首個具有自對準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。
同時這一專利還獲得了多項發(fā)明專利授權(quán),中科院的這項研究成果意義很大,這種新型垂直納米環(huán)柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術(shù)候選,可能對國產(chǎn)芯片制造有巨大推動作用。如今在美國企業(yè)的逼迫下,國產(chǎn)企業(yè)推進自主可控已成為主流意識,市場空間將被進一步打開。相信在5年的時間內(nèi),在技術(shù)方面將實現(xiàn)全面突破。切斷對于華為的技術(shù)提供,這將是中國整體研發(fā)芯片的一個里程碑式轉(zhuǎn)折,中國將不再過于依賴美國所提供的相關(guān)芯片及其技術(shù)。
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