由于在圖中的R8處,串聯(lián)了一個耐壓400V以上的小容量電容C5,平時沒有任何靜態(tài)電流。每次SCR1導通的時候,此小容量電容通過R1、R8、R9放電,延熄結(jié)束后,220V脈動直流電向此小容量電容快速充電。由于V1、V2導通時,C4上電壓只有0.6V左右,要把C4上不多的電荷放掉,對于電容C5只要幾千皮法即可,圖中C5為3900PF/500V。
三極管V1、V2構(gòu)成模擬單向可控硅,一旦導通,就快速進入飽和狀態(tài),對應C2上的電荷快速被釋放,結(jié)果SCR1快速關(guān)斷。由于采用了模擬單向可控硅,觸發(fā)電流極小,不到1微安,因此R3阻值可以取得很大,對應C4容量可以很小,讓C4電荷放掉的R8支路電流也可相應降低。如果三極管V3電流放大倍數(shù)大于50,C5容量還可減小。經(jīng)實驗,C5取2200pF,R8取3.3MΩ,也能正常工作。圖中R3取1.5MΩ,C4取l00μF,延熄時間實測68秒。所有電子元件成本約為1.58元。
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