使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術可取代氮化鎵生產藍光LED
據韓國消息報道，韓國科學技術研究院（KIST）于日前宣布，一個KIST團隊已經成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產藍光LED。
此前日本開發(fā)出一種制造高質量氮化鎵的方法，用于生產藍光LED，這種藍光LED被用作智能手機、顯示器、電子產品和高頻設備的核心設備。
據悉，韓國研究小組使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物（CuI）來生產藍光LED。研究人員表示，“我們發(fā)現(xiàn)，碘化銅半導體可以發(fā)出藍光，其亮度是氮化鎵半導體的10倍以上，此外在光電效率和長期設備穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也很出色?！?/p>
研究人員研發(fā)的碘化銅半導體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長，因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底（300毫米）的優(yōu)勢。此外，碘化銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度（低于300攝氏度）相似，因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此，它可以應用于低成本、簡單的硅半導體工藝。
這些研究成果的意義在于，通過在硅襯底上生長高質量的銅鹵素單晶碘化銅，實現(xiàn)高效的藍光發(fā)射，在世界范圍內首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術。
責任編輯：gt
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