華為在憶阻器芯片領(lǐng)域申請兩項專利

集微網(wǎng)消息 華為對技術(shù)的追求真是無止境。

近日，據(jù)知情人士透露，華為有意在憶阻器芯片領(lǐng)域進行布局。華為分別于2019年3月（2015年6月申請）、2020年1月（2018年6月申請）在中國知網(wǎng)公開了兩份相關(guān)專利信息。

憶阻器（Memristor）的概念由華裔的科學(xué)家蔡少棠在1971年提出，得名于其電阻對所通過電量的依賴性，被認(rèn)為是電阻、電容和電感之外的第四種基本電路元件。

對電阻的時間記憶特性使其在模型分析、基礎(chǔ)電路設(shè)計、電路器件設(shè)計和對生物記憶行為的仿真等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。由于缺乏實驗的支撐，在被提出后的二十幾年間，相關(guān)理論雖有發(fā)展卻并沒有引起足夠的關(guān)注，直到2008年惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。

2013年，比勒菲爾德大學(xué)物理學(xué)系的高級講師安迪·托馬斯博士研制的憶阻器被內(nèi)置于比人頭發(fā)薄600倍的芯片中，利用這種憶阻器作為人工大腦的關(guān)鍵部件，他的研究結(jié)果將發(fā)表在《物理學(xué)學(xué)報D輯：應(yīng)用物理學(xué)》雜志上。憶阻器尺寸小、能耗低，所以能很好地儲存和處理信息，一個憶阻器的工作量，相當(dāng)于一枚CPU芯片中十幾個晶體管共同產(chǎn)生的效用。

利用憶阻器的特性來打造存儲器，即使關(guān)閉電源也能保存資料的內(nèi)容，而且能以更小的空間儲存資料，足以取代現(xiàn)有的快閃存儲器。此外，憶阻器與人腦神經(jīng)突觸的屬性類似，可能可以幫助模擬人腦的特征，加速人工智能的進展。