中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱中微公司,688012)發(fā)布了截止2019年12月31日的財報。
期內(nèi),中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入19.47億元,同比增長18.77%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.89億元,同比增長107.51%;同期研發(fā)投入合計4.25億元,占營業(yè)收入比重為21.81%。
中微公司董事長尹志堯表示,面對紛繁復雜的形勢,2019年中微公司繼續(xù)瞄準世界科技前沿,始終專注研發(fā)、客戶和市場,在刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備的研發(fā)、技術(shù)的新應(yīng)用、市場布局的調(diào)整和拓展、新業(yè)務(wù)的探索和展開等許多方面取得了積極的進展。
據(jù)悉,中微公司正在開發(fā)新一代的電容性等離子體刻蝕設(shè)備,可加工先進邏輯器件,包括大馬士革在內(nèi)的各種刻蝕應(yīng)用,能夠涵蓋5納米及更先進工藝刻蝕需求和更多關(guān)鍵應(yīng)用。公司的電容性等離子體介質(zhì)刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于64層閃存器件的量產(chǎn),正在開發(fā)新一代涵蓋128層和更先進關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用的刻蝕設(shè)備和工藝。
此外,中微公司的電感性ICP等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn),正在進行下一代產(chǎn)品的研發(fā),以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的刻蝕需求。
據(jù)悉,中微公司的MOCVD設(shè)備已在全球氮化鎵基LED設(shè)備市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。公司研發(fā)的用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端驗證成功。用于Mini LED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進行中。制造 Micro LED、功率器件等需要的MOCVD設(shè)備也在開發(fā)中。同時,公司兼顧外延性發(fā)展,子公司中微匯鏈、中微惠創(chuàng)在新業(yè)務(wù)拓展領(lǐng)域取得了積極的進展。此外,公司也參股投資了一些具有協(xié)同效應(yīng)潛力的項目。
中微公司認為,目前國內(nèi)半導體設(shè)備市場主要由歐美、日本等國家的企業(yè)所占據(jù)。近年來我國半導體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平不斷提高,國產(chǎn)設(shè)備在產(chǎn)品性價比、售后服務(wù)、地緣等方面的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。作為全球最大的半導體消費市場,市場需求帶動全球產(chǎn)能中心逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移,持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動了大陸半導體市場規(guī)模和技術(shù)水平的提高,也為我國半導體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展提供了機遇。
展望未來,中微公司表示,公司目前開發(fā)的產(chǎn)品以集成電路前道生產(chǎn)的等離子體刻蝕設(shè)備,照明應(yīng)用的薄膜沉積設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備為主,并已逐步開發(fā)應(yīng)用于集成電路后道的先進封裝設(shè)備,以及MEMS、Mini LED等應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)備產(chǎn)品。未來,公司將通過投資、并購等外延式成長途徑擴大在集成電路領(lǐng)域及泛半導體領(lǐng)域的產(chǎn)品和市場覆蓋,并繼續(xù)探索核心技術(shù)在國計民生中創(chuàng)新性的應(yīng)用,不斷推動企業(yè)健康發(fā)展。
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