晶訊自研B41全頻段FBAR濾波器推出，采用獨家的單晶薄膜電極技術(shù)

近日，晶訊聚震科技有限公司（簡稱：晶訊）在珠海正式發(fā)布了其自主研制的B41全頻段FBAR濾波器及B40濾波器。據(jù)《5G對手機射頻前端模組和連接性的影響-2019版》報告預測，移動設備及WiFi連接部分整體射頻前端市場規(guī)模將從2017年150億美元增長到2023年350億美元，年復合增長率達到14%。其中作為射頻前端最大市場的濾波器從2017-2023年將增長3倍左右，復合增長率達到19%。而目前射頻濾波器芯片市場主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日國際巨頭壟斷，國內(nèi)自給率較低。

據(jù)晶訊介紹，本次推出的FBAR濾波器獨創(chuàng)的單晶摻雜壓電材料和單晶薄膜電極技術(shù)，可重新定義FBAR諧振器和濾波器性能，同時創(chuàng)新性發(fā)明一種全新的低成本晶圓級Bump-on-Via WLP封裝技術(shù)。采用上述技術(shù)設計生產(chǎn)的SC-FBAR濾波器在支持高功率的同時可以縮小封裝尺寸，擁有行業(yè)最薄的WLP封裝、大帶寬、高帶外抑制以及低插損等優(yōu)異性能。B41、B40濾波器均不需要額外的外部匹配。

此外，晶訊透露將于2020年Q3發(fā)布高性能5G n79濾波器、n77+n79同向雙工器及一款低成本高性能的B3雙工器；于2020年Q4發(fā)布B1+B3四工器。

晶訊成立于2017年，由行業(yè)領(lǐng)軍人卓爾先生（Dror Hurvits）在珠海創(chuàng)立，是國內(nèi)唯一一家擁有多項美國專利的高性能FBAR濾波器IDM制造商。晶訊已經(jīng)獲得9項美國發(fā)明專利授權(quán)，另有19項美國及中國專利申請正在審批中；其專利池涵蓋濾波器設計、諧振器結(jié)構(gòu)、封裝方法及生產(chǎn)制造等環(huán)節(jié)；在未來的18個月內(nèi)，晶訊專利數(shù)量將增加一倍。5G時代，晶訊可為手機、模組、智能終端及小型基站客戶提供世界級的高性能SC-FBAR濾波器、雙工器和多工器。

晶訊Dror Hurwitz的FBAR濾波器發(fā)明專利

據(jù)悉，晶訊在天津用于研發(fā)及生產(chǎn)的先進制程中心，是全球唯一擁有外延摻雜壓電薄膜和電極薄膜能力的半導體工廠，具備出色的量產(chǎn)Trimming能力。晶訊目前6寸晶圓產(chǎn)能可達到1500片/月，并將于2020年下半年擴展至5000片/月。

值得注意的是，在國產(chǎn)替代大背景下，國內(nèi)射頻前端芯片廠商也迎來良好的發(fā)展時機。據(jù)晶訊介紹，持續(xù)的創(chuàng)新及知識產(chǎn)權(quán)積累讓晶訊突破了美國和日本公司對于BAW/FBAR濾波器的專利和技術(shù)壟斷，也獲得了國內(nèi)領(lǐng)先的半導體公司、產(chǎn)業(yè)基金和上市公司的投資。

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