0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Moortec推出基于臺(tái)積電N5工藝技術(shù)的DTS,可最大限度地提高硅性能

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:中電網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2020-06-15 15:04 ? 次閱讀

6月11日消息,Moortec今天宣布其深度嵌入式監(jiān)控產(chǎn)品組合再添新成員 -- 基于臺(tái)積電N5工藝技術(shù)的分布式熱傳感器(DTS)。Moortec高度微?;疍TS的面積只有一些標(biāo)準(zhǔn)芯片內(nèi)熱傳感器解決方案的七分之一,還支持以更快的轉(zhuǎn)換速度在較寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測(cè)量。憑借十余年為SoC行業(yè)提供先進(jìn)節(jié)點(diǎn)熱傳感解決方案的經(jīng)驗(yàn),DTS加強(qiáng)了該公司在創(chuàng)新芯片內(nèi)技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。

隨著幾何尺寸向5納米及以下發(fā)展,設(shè)計(jì)人員在提供可靠、節(jié)能和速度優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)方面面臨重大挑戰(zhàn)。熱活動(dòng)是不可預(yù)測(cè)的,如果不仔細(xì)監(jiān)控,可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)熱和功耗過(guò)大,進(jìn)而影響設(shè)備壽命。在CPU核心、高速接口或高效電路旁邊或內(nèi)部進(jìn)行精確熱測(cè)量的能力已成為眾多應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)所用設(shè)備的強(qiáng)制性要求。

Moortec首席執(zhí)行官Stephen Crosher表示:“我們看到市場(chǎng)明顯需要對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行更嚴(yán)格的熱控制。多核架構(gòu)被應(yīng)用于人工智能、汽車、消費(fèi)和許多其他應(yīng)用,利用高度分布式傳感方案,最大限度地降低系統(tǒng)級(jí)功耗、優(yōu)化數(shù)據(jù)吞吐量并延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。我們相信,此次Moortec產(chǎn)品組合的擴(kuò)展將使我們的客戶能夠最大限度地提高硅的性能,并進(jìn)一步加強(qiáng)我們與臺(tái)積電的長(zhǎng)期合作?!?/p>

臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理部門高級(jí)總監(jiān)Suk Lee表示:“我們很高興能與Moortec合作,在最先進(jìn)的臺(tái)積電N5工藝上開發(fā)出這個(gè)新的熱傳感解決方案。我們與Moortec的長(zhǎng)期合作將使設(shè)計(jì)人員能夠受益于臺(tái)積電最新技術(shù)所帶來(lái)的顯著的功率和性能提升,借助領(lǐng)先的解決方案,實(shí)現(xiàn)硅方面的成功?!?/p>

Moortec現(xiàn)在走在為許多高科技產(chǎn)品的任務(wù)模式操作提供深入見解的前沿,支持現(xiàn)場(chǎng)遙測(cè)、分析和產(chǎn)品級(jí)優(yōu)化解決方案。DTS技術(shù)設(shè)計(jì)工具包于2020年初推出,已被授權(quán)給幾個(gè)主要客戶。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2542

    文章

    50307

    瀏覽量

    750312
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    5578

    瀏覽量

    165885
  • 納米
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    687

    瀏覽量

    36921
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    最大限度提高MSP430? FRAM的寫入速度

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度提高MSP430? FRAM的寫入速度.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-18 10:09 ?0次下載
    <b class='flag-5'>最大限度</b>地<b class='flag-5'>提高</b>MSP430? FRAM的寫入速度

    最大限度提高GSPS ADC中的SFDR性能:雜散源和Mitigat方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度提高GSPS ADC中的SFDR性能:雜散源和Mitigat方法.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-10 09:16 ?0次下載
    <b class='flag-5'>最大限度</b>地<b class='flag-5'>提高</b>GSPS ADC中的SFDR<b class='flag-5'>性能</b>:雜散源和Mitigat方法

    SK海力士攜手臺(tái),N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

    在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:47 ?578次閱讀

    臺(tái)準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

    在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉,未來(lái)HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn),臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:53 ?631次閱讀

    臺(tái)將采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲(chǔ)方案

    在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉,未來(lái)HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn),而臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 05-20 09:14 ?1005次閱讀

    臺(tái)N3P工藝新品投產(chǎn),性能提質(zhì)、成本減負(fù)

    N3E工藝的批量生產(chǎn)預(yù)期如期進(jìn)行,其缺陷密度與2020年量產(chǎn)的N5工藝相當(dāng)。臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 05-17 09:17 ?778次閱讀

    臺(tái)2023年報(bào):先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)成績(jī)

    據(jù)悉,臺(tái)近期發(fā)布的2023年報(bào)詳述其先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)進(jìn)展,包括N2、N3、N4、
    的頭像 發(fā)表于 04-25 15:54 ?551次閱讀

    Wi-SUN 最大限度提高太陽(yáng)能跟蹤器的性能

    目前,隨著光伏系統(tǒng)技術(shù)的進(jìn)步,智能跟蹤得以實(shí)現(xiàn),最大限度提高太陽(yáng)光能的輸出。不同于固定式電池板,太陽(yáng)能光伏 (PV) 跟蹤器能夠全天將太陽(yáng)能電池板朝向太陽(yáng),并在惡劣天氣下保護(hù)電池板
    的頭像 發(fā)表于 01-07 08:38 ?600次閱讀
    Wi-SUN <b class='flag-5'>可</b><b class='flag-5'>最大限度</b>地<b class='flag-5'>提高</b>太陽(yáng)能跟蹤器的<b class='flag-5'>性能</b>

    臺(tái)3nm工藝預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)量達(dá)80%

    據(jù)悉,2024年臺(tái)的第二代3nm工藝(稱為N3E)有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋果有能力訂購(gòu)第一代N
    的頭像 發(fā)表于 01-03 14:15 ?726次閱讀

    特斯拉加入臺(tái)3nm芯片NTO客戶名單,計(jì)劃生產(chǎn)次世代FSD智駕芯片

    據(jù)臺(tái)公布的藍(lán)圖,N3P 工藝比現(xiàn)有的 N3E 工藝性能
    的頭像 發(fā)表于 12-28 15:15 ?839次閱讀

    臺(tái)首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

    12 月 14 日消息,臺(tái)在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí),
    的頭像 發(fā)表于 12-18 15:13 ?462次閱讀

    今日看點(diǎn)丨臺(tái)首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn);消息稱字節(jié)跳動(dòng)將取消下一代 VR 頭顯

    1. 臺(tái)首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)
    發(fā)表于 12-14 11:16 ?967次閱讀

    最大限度提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 12-06 14:39 ?308次下載

    最大限度保持系統(tǒng)低噪聲

    最大限度保持系統(tǒng)低噪聲
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:58 ?370次閱讀
    <b class='flag-5'>最大限度</b>保持系統(tǒng)低噪聲

    最大限度提高∑-? ADC驅(qū)動(dòng)器的性能

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度提高∑-? ADC驅(qū)動(dòng)器的性能.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-22 09:19 ?0次下載
    <b class='flag-5'>最大限度</b><b class='flag-5'>提高</b>∑-? ADC驅(qū)動(dòng)器的<b class='flag-5'>性能</b>