近兩年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。
今年,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3DNAND的SSD陸續(xù)上市,基于合肥長(zhǎng)鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條也開始量產(chǎn),有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn),事實(shí)上紫光也已于今年3月在各電商平臺(tái)上架了采用自主存儲(chǔ)顆粒的內(nèi)存條,存儲(chǔ)顆粒由旗下紫光國(guó)芯提供。
圖:基于合肥長(zhǎng)鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條
光威奕Pro系列和紫光DDR4-2400內(nèi)存條的量產(chǎn)上市,對(duì)于國(guó)產(chǎn)DRAM芯片的發(fā)展具有重要的推動(dòng)意義,可以預(yù)見,未來將會(huì)有越來越多采用國(guó)產(chǎn)DRAM芯片的內(nèi)存條逐步量產(chǎn)。與此同時(shí),長(zhǎng)鑫、紫光等國(guó)內(nèi)DRAM廠商還在不斷推進(jìn)新技術(shù)和工廠建設(shè)。
長(zhǎng)鑫、紫光等DRAM廠商持續(xù)推進(jìn)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)能建設(shè)
雖然國(guó)內(nèi)DRAM廠商近年來進(jìn)展顯著,然而與國(guó)際巨頭相比還是存在極大差距,國(guó)內(nèi)DRAM廠商還將繼續(xù)在技術(shù)、產(chǎn)能等各個(gè)方面進(jìn)行不斷投入。
合肥長(zhǎng)鑫
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn),是規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的中國(guó)大陸DRAM設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)。
2019年9月20日,合肥長(zhǎng)鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前公司官網(wǎng)已對(duì)外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。就如上文所言,目前基于長(zhǎng)鑫DDR4芯片的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條已經(jīng)量產(chǎn)。
接下來,合肥長(zhǎng)鑫將推進(jìn)LPDDR5,工藝升級(jí)到17nm以下。
安徽省日前發(fā)布文件表示,要求推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5DRAM產(chǎn)品開發(fā)。合肥長(zhǎng)鑫將作為重點(diǎn)企業(yè)來研發(fā)LPDDR5的內(nèi)存產(chǎn)品,LPDDR5是目前用在手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備上的最先進(jìn)的內(nèi)存芯片,目前僅有鎂光和三星能夠生產(chǎn)。
官方為其指定的計(jì)劃時(shí)間是2-3年,但實(shí)際上長(zhǎng)鑫早已開始研發(fā)下一代DDR4/LPDDR4/DDR5/LPDDR5內(nèi)存等工藝技術(shù),預(yù)計(jì)實(shí)際完成時(shí)間會(huì)比指定時(shí)間更短。
產(chǎn)能方面,長(zhǎng)鑫內(nèi)存項(xiàng)目共有三期,第一期投資約為72億美元,預(yù)計(jì)產(chǎn)能為12.5萬片晶圓/月,約占全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的10%。不過有消息稱,當(dāng)前產(chǎn)能只有2萬片晶圓/月,預(yù)計(jì)今年底擴(kuò)展到4萬片晶圓/月,達(dá)到全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的3%。
紫光集團(tuán)
如上文所述,紫光于3月在各電商平臺(tái)上架基于自主DRAM芯片的內(nèi)存條,紫光國(guó)微曾表示,DRAM存儲(chǔ)器芯片為公司下屬子公司西安紫光國(guó)芯的產(chǎn)品,其DDR4及移動(dòng)用的LPDDR4目前均已經(jīng)量產(chǎn)銷售。
西安紫光國(guó)芯前身為西安華芯半導(dǎo)體有限公司,是在原奇夢(mèng)達(dá)科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。
2009年,浪潮集團(tuán)收購(gòu)原德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)科技(西安)有限公司,進(jìn)行改制重建并更名為西安華芯半導(dǎo)體有限公司。2015年,紫光集團(tuán)旗下紫光國(guó)芯股份有限公司收購(gòu)西安華芯半導(dǎo)體有限公司并更名為西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司。
不過紫光國(guó)微沒有內(nèi)存生產(chǎn)能力,產(chǎn)能無法保證,業(yè)界人士認(rèn)為,這也是紫光在重慶建設(shè)DRAM工廠的價(jià)值所在。
2019年6月份紫光集團(tuán)宣布組建DRAM存事業(yè)部,委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng),委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO,正式進(jìn)軍內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)。
2019年8月,紫光集團(tuán)和重慶市政府簽署合作協(xié)議,于重慶設(shè)置DRAM總部研發(fā)中心和12英寸DRAM芯片廠等,原先預(yù)期去年底動(dòng)工,2021年量產(chǎn)。
然而隨著疫情爆發(fā),投資計(jì)劃因此延后。紫光集團(tuán)2020年6月表示,計(jì)劃今年底前啟動(dòng)DRAM重慶廠的建設(shè)工程,預(yù)計(jì)2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
紫光集團(tuán)的重慶工廠主要生產(chǎn)用于智能手機(jī)及其他設(shè)備的DRAM芯片。消息人士表示,紫光計(jì)劃10年內(nèi)投資人民幣8000億元于DRAM業(yè)務(wù)。
東芯半導(dǎo)體
除了長(zhǎng)鑫和紫光,東芯半導(dǎo)體也在推進(jìn)DRAM技術(shù)研發(fā),東芯半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品,包括DDR3和LowPowerDRAM。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊對(duì)電子發(fā)燒友表示,目前公司也開始下一代低功耗DRAM的產(chǎn)品研發(fā),相信我們的LPD4x的產(chǎn)品將會(huì)面世。
東芯半導(dǎo)體作為Fabless芯片企業(yè),聚焦中小容量NAND、NOR內(nèi)存芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售,是目前國(guó)內(nèi)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。
三星、美光等國(guó)際巨頭不斷推進(jìn)DRAM新產(chǎn)品、新工藝發(fā)展
目前在全球DRAM市場(chǎng)上,三星、SK海力士、美光三大廠商占據(jù)95%以上份額。根據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè),2020年,MobileDRAM在智能手機(jī)中有15%左右的成,這三家大廠2020年DRAM的出貨也將增長(zhǎng)。
三星
三星率先將芯片制造中最先進(jìn)的EUV工藝用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
2020年3月25日,三星宣布已經(jīng)出貨100萬第一代10nmEUV級(jí)(D1x)DDR4DRAM模組,并完成全球客戶評(píng)估,這將為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
三星表示,將從第四代10nm級(jí)(D1a)DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開始全面導(dǎo)入EUV,明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片,預(yù)計(jì)會(huì)使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻倍。
三星量產(chǎn)的第一代EUVDDR5DRAM單芯片容量為16Gb(2GB),地點(diǎn)是平澤市的V2線。根據(jù)三星此前的預(yù)判,EUV將幫助公司至少推進(jìn)到3nm尺度。
在高性能方面,三星推出第三代高帶寬存儲(chǔ)器HBM2EFlashbolt,該產(chǎn)品通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊8層1y16GB的DRAM裸片,通過TSV進(jìn)行精準(zhǔn)排列和互聯(lián),實(shí)現(xiàn)容量為前代產(chǎn)品的2倍,性能和電源效率得到顯著提高,主要用于高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、AI數(shù)據(jù)分析和最新圖形系統(tǒng)。
美光
2019年8月,美光大規(guī)模量產(chǎn)1Znm16GBDDR4DRAM,與上一代相比,性能提高85%,內(nèi)存密度提高一倍,下一代技術(shù)分別為1α、1β和1γnm,更加逼近10nm的物理極限。
美光基于1Znm的LPDDR4是移動(dòng)業(yè)務(wù)產(chǎn)品中增速最快的,2020年將提高1Znm產(chǎn)品占比,美光位于臺(tái)灣DRAM的廠區(qū)預(yù)計(jì)2021年可投產(chǎn)。
目前美光LPDDR58GBDRAM已經(jīng)開始供貨小米10。電子發(fā)燒友此前報(bào)道過,現(xiàn)在美光已經(jīng)在主要手機(jī)制造商獲得了8GB和12GBLPDDR5的合格認(rèn)證,美光12GBLPDDR5應(yīng)用在摩托羅拉最新Edge+旗艦手機(jī)中。
2020年上半年,美光還將通過基于UFS的多芯片封裝(uMCP5),把LPDDR5內(nèi)存應(yīng)用于中高端智能手機(jī)。
不過2020年智能手機(jī)還是以LPDDR4為主流,占比達(dá)到78%,LPDDR5的份額在逐步成長(zhǎng)中,今年LPDDR5占比將增加至11.9%。
在高性能DRAM方面,美光在最新財(cái)報(bào)說明會(huì)中宣布第二代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2)即將開始出貨,主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器等高端處理器。
SK海力士
2019年3月,SK海力士最先進(jìn)的產(chǎn)品為第三代10nm級(jí)(1Z)DRAM,1ZDRAM產(chǎn)品比上一代1Y生產(chǎn)效率提高27%。
目前SK海力士正在新工廠內(nèi)建置EUV,預(yù)計(jì)下半年完工,并評(píng)估導(dǎo)入EUV量產(chǎn)1a納米級(jí)DRAM時(shí)間。在CES2020上,SK海力士推出64GBDDR5RDIMM內(nèi)存模組。
在高性能DRAM方面,2019年8月,SK海力士宣布成功研發(fā)HBM2E芯片,通過TSV技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)8個(gè)16GB芯片的垂直堆疊,形成密度為16GB的單封裝芯片。HBM2E支持帶寬達(dá)到每秒460GB,比HBM2芯片帶寬提高50%,容量提高100%。
三星和SK海力士是目前高帶寬存儲(chǔ)器的主要玩家。
總結(jié)
根據(jù)評(píng)測(cè),基于長(zhǎng)鑫顆粒的弈系列ProDDR43000Mhz8GB內(nèi)存性能表現(xiàn)良好,完全可以滿足普通消費(fèi)者的需求,而且在價(jià)格上更具優(yōu)勢(shì)。雖然目前DRAM在技術(shù)、產(chǎn)能上還有國(guó)際巨頭存在一定差距,可以預(yù)見,未來隨著國(guó)產(chǎn)內(nèi)存將會(huì)越來越多的獲得市場(chǎng)認(rèn)可,國(guó)產(chǎn)DRAM芯片的技術(shù)也將會(huì)在市場(chǎng)實(shí)踐的基礎(chǔ)上,獲得更快速度的提升。
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