在連續(xù)三年創(chuàng)下銷售新高后,由于全球新冠疫情帶來的經(jīng)濟影響,導致了廣泛系統(tǒng)的需求下降,預計2020年功率晶體管市場將下降7%。根據(jù)IC Insights的《2020 O-S-D報告》,功率晶體管的復蘇預計將在2021年出現(xiàn),其全球銷售額將增長7%,達到169億美元,出貨量將增長9%,達到590億美元。2020年版的O-S-D報告顯示,功率晶體管市場將在2022年重新回到歷史最高水平,屆時銷售額預計將增長5%,達到177億美元,這將超過2019年創(chuàng)下的171億美元的當前年度峰值。
由于第五代(5G)蜂窩網(wǎng)絡(luò)的建立,將使用一系列新的傳輸頻率,包括毫米波(mmWave)頻譜的頻率,因此射頻和微波功率晶體管的增長預計將引領(lǐng)2021年的市場復蘇。新的5G基站也在采用更多的天線和多個信號,以確保與智能手機和物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)(如自動駕駛汽車)的高速連接,需要實時通信。預計到2024年,射頻/微波器件將引領(lǐng)功率晶體管市場的增長(圖1)。
IC Insights的2020 OSD報告預測,RF /微波產(chǎn)品(+ 9%至13億美元),低壓(<40V)功率場效應(yīng)晶體管(+ 8%至37億美元)的增長將帶動2021年功率晶體管的復蘇,雙極電源模塊(增長8%,達到5400萬美元)。該報告還顯示,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額將在2021年增長7%,達到41億美元,而IGBT分立晶體管的收入將增長7%,達到當年的創(chuàng)紀錄的16億美元。OSD報告稱,電池驅(qū)動產(chǎn)品,更多移動系統(tǒng)的不斷普及,電源效率的提高以及電動/混合動力汽車的改進,將在未來四年中繼續(xù)推動功率FET和IGBT產(chǎn)品的增長。
2021年功率晶體管的復蘇將由RF/微波產(chǎn)品(增長9%至13億美元)、低壓(<40V)功率場效應(yīng)晶體管(增長8%至37億美元)和雙極功率模塊(增長8%至5400萬美元)的增長引領(lǐng)。報告還顯示,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額在2021年增長7%,達到41億美元,而IGBT分立晶體管的收入增長7%,達到創(chuàng)紀錄的16億美元。報告稱,電池驅(qū)動產(chǎn)品的不斷普及,更多的移動系統(tǒng),電力供應(yīng)效率的提高,以及電動/混合動力汽車的改進,將繼續(xù)推動電力FET和IGBT產(chǎn)品在未來四年的增長。
根據(jù)OSD報告的預測,2019年至2024年,預計功率晶體管的總銷售在2019年至2024年之間將以1.7%的復合年增長率(CAGR)增長,并在最后一年達到186億美元。這個預測的銷售增長率比過去五年(2014-2019)的5.3%的復合年增長率低3.6個百分點,這主要是由于新冠疫情大流行導致了2020年的下滑。
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原文標題:射頻/微波將在2021年引領(lǐng)功率晶體管的復蘇
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