GaN技術可突破硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術的諸多局限

全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商e絡盟宣布供應安世半導體最新系列功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。該創(chuàng)新系列GaN FET外形尺寸小，可實現(xiàn)高功率密度及高效率功率轉換，能夠以較低的成本開發(fā)出更高效系統(tǒng)，同時還可助力電動車、5G通信、物聯(lián)網等應用改進電源性能。隨著越來越多的立法提高碳排放減排要求，實現(xiàn)更高效的功率轉換和更高的電氣化水平勢在必行。GaN FET這一創(chuàng)新系列為設計工程師提供了真正解決這些問題的有效方案。

GaN技術突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術的諸多局限，可為各種功率轉換應用帶來直接和間接的性能效益。在電動車領域，GaN技術可直接降低功率損耗，從而為汽車實現(xiàn)更長的行駛里程。同時，更高效的功率轉換還能降低使用冷卻系統(tǒng)進行散熱的需求，這有利于減輕車身重量并降低系統(tǒng)復雜性，繼而可實現(xiàn)更長的行駛里程，或是使用更小的電池達到相同的里程。 功率GaN FET也非常適用于數(shù)據(jù)中心、電信基礎設施及工業(yè)領域應用。

GaN FET系列可為各種方案應用提供卓越性能，包括AC-DC圖騰柱PFC硬開關應用、LLC移相全橋軟開關應用（諧振或固定頻率）、所有DC-AC逆變器拓撲以及使用雙向開關的AC-AC矩陣式轉換器等。

主要優(yōu)勢包括：

柵極驅動簡單、低 RDS（on）及快速開關

卓越的體二極管（低Vf）、低反向恢復電荷 Qrr

堅固耐用

低動態(tài) RDS（on）

開關性能穩(wěn)定

柵極驅動抗干擾性強 （Vth ~ 4 V）

Farnell及e絡盟全球半導體與單板計算機總監(jiān)Lee Turner表示：“安世半導體以其豐富多樣的創(chuàng)新半導體產品而享譽全球。我們很高興能夠引入安世半導體的功率GaN FET系列，以便進一步提升對客戶的支持服務。GaN是高效電源設計領域的前沿技術，此次引入的這些新產品將是未來創(chuàng)新物聯(lián)網、汽車和通信設計方案的關鍵組成部分?！?/p>

為了支持尋求采用GaN FET技術的客戶，F(xiàn)arnell和e絡盟社區(qū)共同舉辦了一次網絡研討會，邀請了來自安世半導體的GaN國際產品營銷工程師Ilian Bonov“深入剖析”這項新技術。網絡研討會主題為 “采用安世半導體GaN FET設計高效、穩(wěn)定的工業(yè)電源”，全面介紹了安世半導體cascode技術的特點及其在軟硬開關拓撲中的應用優(yōu)勢，并分享了一項4kW圖騰柱 PFC案例研究。
責任編輯：tzh