華為Mate 40系列采用的“自研閃存”來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)

本月初的時(shí)候，有報(bào)道稱華為Mate40系列疑似采用了華為自研的閃存的消息，由此也引發(fā)了一些爭(zhēng)論。

現(xiàn)在，謎底終于揭開(kāi)了：華為Mate40系列采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存顆粒。

回顧此前的報(bào)道，根據(jù)網(wǎng)友對(duì)于華為Mate40 Pro的閃存性能的實(shí)際測(cè)試顯示，華為Mate40 Pro的持續(xù)讀取、寫入速度分別達(dá)到了1966MB/s、1280MB/s，遠(yuǎn)高于其他旗艦手機(jī)。

作為對(duì)比，采用UFS3.1閃存的小米10至尊版的讀寫速度分別為1772MB/s、789MB/s；三星Note20 Ultra分別為1750MB/s、736MB/s。

從數(shù)據(jù)對(duì)比上來(lái)看，華為Mate40 Pro閃存寫入提升十分明顯，相比競(jìng)品的閃存性能，部分增幅甚至超過(guò)了70%。

對(duì)于Mate 40 Pro的閃存讀寫速度大幅優(yōu)于其他旗艦機(jī)所采用的最新的UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)的閃存的測(cè)試結(jié)果，有網(wǎng)友爆料稱，華為Mate 40 Pro、Mate 40 Pro+以及Mate40 RS保時(shí)捷設(shè)計(jì)均采用華為自研的一種新型閃存（或?yàn)閟fs 1.0）。

而根據(jù)艾奧科技對(duì)于華為Mate40 RS保時(shí)捷設(shè)計(jì)的拆解也顯示，其內(nèi)部采用了印有海思Logo的閃存。也就是說(shuō)，這款閃存芯片可能是基于華為自研的技術(shù)。

但是，我們都知道華為自己并不是存儲(chǔ)芯片廠商，并且也不具備研發(fā)和生產(chǎn)閃存芯片的能力。而目前像三星、SK海力士、鎧俠等主流的閃存廠商基本都是自研、自產(chǎn)、自銷，也不存在為第三方代工存儲(chǔ)芯片的業(yè)務(wù)。

不過(guò)，目前在存儲(chǔ)領(lǐng)域，存在著另一種生意模式，就是一些不具備閃存顆粒生產(chǎn)能力的廠商，向三星、SK海力士、鎧俠等主流的閃存廠采購(gòu)閃存顆粒，然后加上自研的或者第三方的閃存控制器及固件，然后自己（或者委外）進(jìn)行封裝測(cè)試，印上自己的LOGO。比如江波龍、佰維存儲(chǔ)、時(shí)創(chuàng)意等廠商。

所以，對(duì)于華為來(lái)說(shuō)，其Mate40系列上出現(xiàn)的印有華為海思自己LOGO的閃存芯片，很可能就是向某些閃存大廠采購(gòu)了閃存顆粒，然后加上了自研的閃存控制器（華為一直都有自己的自研閃存控制芯片），再通過(guò)第三方的封測(cè)廠來(lái)進(jìn)行封裝。

這也能解釋，為何Mate40 Pro的閃存性能遠(yuǎn)超其他UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)的閃存。

那么問(wèn)題來(lái)了，華為是采用的哪家存儲(chǔ)芯片廠商的閃存顆粒？

在11月18日的北京微電子國(guó)際探討會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧公開(kāi)表示，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比，該公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越，3年完成他們6年走過(guò)的路。

此外，楊士寧還證實(shí)了一件事，那就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層閃存已經(jīng)成功打入了華為Mate40系列的供應(yīng)鏈，他還借用一句網(wǎng)絡(luò)用語(yǔ)，表示“出道即巔峰”。

資料顯示，2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，其64層堆棧3D NAND閃存已開(kāi)始量產(chǎn)。該閃存全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，即每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的3D閃存。

得益于長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研的Xtacking技術(shù)，使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存則在讀寫速度和存儲(chǔ)密度上得到了大幅的提升。

在I/O速度方面，目前NAND閃存主要沿用兩種I/O接口標(biāo)準(zhǔn)，分別是Intel/索尼/SK海力士/群聯(lián)/西數(shù)/美光主推的ONFi，去年12月發(fā)布的最新ONFi 4.1規(guī)范中，I/O接口速度最大1200MT/s（1.2Gbps）。

第二種標(biāo)準(zhǔn)是三星/東芝主推的Toggle？DDR，I/O速度最高1.4Gbps。不過(guò)，大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的I/O速度。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking架構(gòu)成功將I/O接口的速度提升到了3Gbps，實(shí)現(xiàn)與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。

在存儲(chǔ)密度方面，傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。

Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度（長(zhǎng)江的64層密度僅比競(jìng)品96層低10~20%）。

今年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。于此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的自研的Xtacking技術(shù)也進(jìn)展到了第二代。

另外，在產(chǎn)能方面，根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的目前的投片量已經(jīng)達(dá)到了5萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì)到明年年底將可提高到10萬(wàn)片/月。

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存自去年量產(chǎn)之后，目前已經(jīng)獲得了眾多SSD品牌廠商的采用，不久前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還推出了自己的SSD品牌“致鈦”，相關(guān)的產(chǎn)品也已經(jīng)上市開(kāi)售。不過(guò)，此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存打入華為Mate40系列供應(yīng)鏈確實(shí)有點(diǎn)令人意外。

受去年5月美國(guó)禁令的影響，筆者認(rèn)為，在去年長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存成功量產(chǎn)之后，華為方面應(yīng)該就已經(jīng)開(kāi)始了與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的合作。

雖然在今年8月，美國(guó)方面升級(jí)了對(duì)華為的禁令，禁止第三方基于美國(guó)技術(shù)的芯片或零組件廠商在沒(méi)有獲得許可的情況下向華為供貨。

但是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)向華為供應(yīng)的這批64層3D NAND很可能是在9月15日的最終期限之前完成交付的，所以沒(méi)有違反禁令。不然，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士也不會(huì)公開(kāi)透露這個(gè)消息。

當(dāng)然，從另一方面來(lái)看，存儲(chǔ)芯片相比CPU等邏輯芯片來(lái)說(shuō)，在設(shè)計(jì)的復(fù)雜度上可能要低一些，對(duì)于美系EDA軟件的依賴度也較低，而且長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存核心技術(shù)也主要是基于自研，同時(shí)，存儲(chǔ)芯片對(duì)于制程工藝的要求也要比手機(jī)CPU更低。在從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的整個(gè)過(guò)程當(dāng)中，對(duì)于美系軟件、技術(shù)及設(shè)備的依賴度較低。
責(zé)編AJX