美光科技開始提速EUV DRAM開發(fā)速度

美國美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營后，后續(xù)EUV競爭或?qū)⒏鼮榧ち摇?/p>

根據(jù)韓媒etnews報道，美光科技通過多個網(wǎng)站開始招聘EUV設(shè)備開發(fā)負(fù)責(zé)工程師。美光的公告顯示：招聘負(fù)責(zé)美光EUV設(shè)備Scaner技術(shù)開發(fā)，管理EUV系統(tǒng)和與ASML的溝通的人才。工作地點為美光總部美國愛達(dá)荷州（Idaho）的博伊西（Boise）。

美光是繼三星電子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時美光臺灣DRAM工廠還因停電一小時導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時較好業(yè)績備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域，也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。

公司與其他DRAM廠商一樣，投產(chǎn)10納米級3代（1z）產(chǎn)品作為新品。計劃明年上半年量產(chǎn)4代（1a）DRAM。

但與三星電子、SK海力士不同，并無計劃在1a DRAM產(chǎn)品上使用EUV技術(shù)。

最近EUV制程備受被稱之為IT設(shè)備大腦的集成芯片領(lǐng)域的青睞，短期內(nèi)有望滲透至DRAM其他層。但相比ArF制程，技術(shù)難度仍高、且設(shè)備運(yùn)營費(fèi)用也相對更高。

而根據(jù)美光公開的資訊顯示，考慮到費(fèi)用和成本、技術(shù)限制等原因，次次時代DRAM ‘1-β’產(chǎn)品前并無計劃采用EUV制程。

美光副總裁Scott DeBoer表示過：會分析多方面因素后，從1-δ （10納米7代）產(chǎn)品開始導(dǎo)入EUV制程。

本次的招聘公告顯示出公司將通過招聘精通于EUV技術(shù)的專家累計技術(shù)，以確保在最佳時機(jī)導(dǎo)入EUV制程的戰(zhàn)略。

未來美光正式跨入EUV DRAM量產(chǎn)市場后，Memory市場中3家競爭將更為激烈。

在DRAM市場占比40%，排名第一的三星已經(jīng)通過1z產(chǎn)品上導(dǎo)入EUV技術(shù)宣示技術(shù)領(lǐng)先差距，且計劃在明年上市的1a產(chǎn)品EUV制程比重也是業(yè)界關(guān)注的焦點。

而SK海力士也正忙于明年導(dǎo)入1a DRAM的EUV制程。SK海力士計劃明年在京畿道黎川新DRAM工廠M16中搬入新EUV系統(tǒng)，為EUV技術(shù)量產(chǎn)而努力。
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