新能源車產(chǎn)銷高漲或成IGBT最大增量來源

有業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)IGBT晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)緊張，華虹半導體、中芯紹興等IGBT代工廠從去年底至今均處于滿載狀態(tài)，多家IGBT芯片設計廠商表示，晶圓工廠產(chǎn)能供應不足，限制了公司的產(chǎn)能擴張，也因此流失了訂單。

雖然IGBT市場一直被英飛凌、三菱、富士電機、安森美等少數(shù)供應商所壟斷，但隨著國內(nèi)IGBT市場供應緊缺情況愈演愈烈，交期一再拉長，國內(nèi)客戶除了下全款訂單等待產(chǎn)品的同時，也正在逐步接受國產(chǎn)IGBT，培養(yǎng)二供，給國內(nèi)IGBT廠商一個“試錯”機會。

業(yè)內(nèi)人士表示，受疫情影響，原本采用進口IGBT的廠商也因為供貨不足，逐漸導入斯達半導、比亞迪半導體等國產(chǎn)供應商。

而從機構(gòu)及行業(yè)內(nèi)部調(diào)研結(jié)果來看，IGBT的產(chǎn)能危機或?qū)㈤L期持續(xù)。

新能源車產(chǎn)銷高漲或成IGBT最大增量來源

事實上，此前有媒體報道8英寸晶圓缺貨后，即有業(yè)內(nèi)人士與相關機構(gòu)預測，這一趨勢將逐步從顯示驅(qū)動IC、電源IC、MOSFET、IGBT等路徑蔓延，而據(jù)《科創(chuàng)板日報》此前報道從行業(yè)內(nèi)多家公司求證，MOSFET以及車規(guī)級半導體MCU均已開始了缺貨潮。

從供給需求兩端分析來看，IGBT缺貨的背后，除了產(chǎn)能供給不足外，由新能源汽車產(chǎn)銷大增所引發(fā)的功率半導體需求走高，也為IGBT的行情添了一把火。

比亞迪半導體總經(jīng)理陳剛指出，新能源汽車已從上半場的“電動化”切換到下半場的“智能化”，而智能化為車規(guī)級半導體創(chuàng)造巨額市場增量，帶動多樣化半導體增量需求?！靶履茉窜噯诬嚢雽w價值量是傳統(tǒng)燃油車的2倍，并逐年遞增?，F(xiàn)在是2倍，未來可能是10倍。”

研究資料顯示，IGBT是功率半導體新一代中的典型產(chǎn)品，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成，結(jié)合了兩者的優(yōu)勢，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，是電力電子領域較為理想的開關器件，被譽為“電力電子器件里的CPU”。

在新能源汽車上，IGBT主要應用于電池管理系統(tǒng)、電機控制系統(tǒng)、電動空調(diào)控制系統(tǒng)、充電系統(tǒng)，PTC等，在DC/DC轉(zhuǎn)換器、PTC、電動空調(diào)壓縮機等系統(tǒng)中也有廣泛應用。除了純電動車型外，插電混動車上，與低壓系統(tǒng)相獨立的高壓系統(tǒng)需要用到IGBT，部分搭載了48V混動系統(tǒng)的燃油車也需要用到少量IGBT。

根據(jù)摩根士丹利數(shù)據(jù)，并購優(yōu)塾測算出預計未來五年內(nèi)，IGBT行業(yè)增速將維持在11%左右的增速中樞，其中新能源汽車在IGBT行業(yè)下游需求占比排名首位，高達27%。另有數(shù)據(jù)顯示，2019年全球IGBT市場超過50億美金，其中車載IGBT約占1/4。

市場規(guī)模有望超100億美元產(chǎn)能危機未來或造成供應缺口

從成本上看，一輛電動車IGBT采購成本大約在450美元/輛，采購金額占電動車總成本的8%至10%。以一輛特斯拉ModelX為例，采用了行業(yè)龍頭英飛凌提供的132個IGBT單管（非模塊）來進行控制，總成本是650美元。

基于此，并購優(yōu)塾結(jié)合國內(nèi)公司數(shù)據(jù)，預計受新能源汽車滲透率提升驅(qū)動，未來五年IGBT市場規(guī)模增速中樞將在20%-23%的高增長區(qū)間。

另據(jù)華安證券分析師尹沿技7月6日報告預測，2025年僅車載IGBT全球市場空間就將有接60億美金，相當于再造一個IGBT市場，而在光伏風電和充電樁（IGBT占直流充電樁接近20%成本）等其他市場帶動下，IGBT整體市場也有望在2025年超過100億美金。

不過，解決產(chǎn)能危機仍是IGBT廠商們當前首先要攻克的難關。此前即有研究報告指出，IGBT在國內(nèi)市場的增長問題，并不在需求上，供給才是主要矛盾。另據(jù)比亞迪相關人士近日向媒體回應，由于外企對擴張保守且功率器件產(chǎn)能擴張周期長，未來新能源市場將出現(xiàn)IGBT的供應缺口，甚至可能會反過來成為新能源汽車發(fā)展的瓶頸。

需要指出的是，誠如上文所說，高壁壘高技術含量帶來IGBT市場集中度高，基本被歐美日壟斷，過去四年IGBTCR5的全球市占率基本在65%-70%，國內(nèi)IGBT龍頭斯達半導全球市占率僅2.2%，但從另一個角度來看，國產(chǎn)替代的空間也更為寬廣。疊加政策、資金、人才多方面的扶持，國內(nèi)功率半導體企業(yè)快速發(fā)展，近年來已取得較大進步。

同時，在國內(nèi)供應鏈安全時常受威脅的背景之下，下游客戶紛紛增加國產(chǎn)供應商份額以備不時之需，國產(chǎn)替代邏輯順暢。華安證券尹沿技指出，龐大的本土下游需求+國產(chǎn)替代浪潮下，國內(nèi)已經(jīng)實現(xiàn)0->1突破的優(yōu)秀IGBT公司，將迎來未來5-10年1->N的黃金發(fā)展機遇期。

原文標題：IGBT產(chǎn)能危機！

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責任編輯：haq