沈陽儀表科學(xué)研究院,是始建于1961年的國家級科研院所,目前隸屬于國機(jī)集團(tuán)。12年年底正式掛牌成立的國家傳感器研究中心,是增強(qiáng)傳感器產(chǎn)業(yè)核心競爭能力和發(fā)展為目標(biāo)的研究開發(fā)實體研究院所,是國家傳感器產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。 我院是我國最早(1981年)從事硅基敏感芯片、研究、開發(fā)、生產(chǎn)的單位,是中國芯片,芯體制造技術(shù)策源地。我院始終以芯片研制為核心技術(shù),擁有光刻、離子注入、膜片腐蝕等芯片制造技術(shù),擁有全套芯片制造設(shè)備,并廣泛運用于航天,航空,船舶等領(lǐng)域。
擴(kuò)散硅壓力敏感芯片
HB2103系列敏感芯片
特點
閉合,半開,全開硅電阻電橋連接形式。
恒流激勵,靈敏度溫度自補(bǔ)償功能。
反向PN結(jié)電隔離構(gòu)造,玻璃絕緣襯片。
適用于表壓,絕壓,差壓,負(fù)壓測量。
覆蓋100kPa~100MPa所有常用量程
技術(shù)指標(biāo) 芯片尺寸(μm) 2050*2050,2450*2450,3340*3340; 工作溫度:-45℃~+100℃(可定制特殊溫度) 過載能力:2倍基準(zhǔn)量程(<10MPa);1.5倍基準(zhǔn)量程(≥10MPa) 橋路電阻:5(1±20%)KΩ;4(1±20%)KΩ;3.3(1±20%)KΩ 滿量程輸出:≥60mV 線性度:±0.25%FS 零點溫度影響:±0.1%FS/℃ 滿量程溫度影響:±0.1%FS/℃ 供電電源:恒流1mA、1.5mA或恒壓5VDC
責(zé)任編輯:xj
原文標(biāo)題:沈陽儀表院擴(kuò)散硅壓力敏感芯片
文章出處:【微信公眾號:傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
452文章
50027瀏覽量
419853 -
敏感
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
9瀏覽量
17364 -
擴(kuò)散硅壓力
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
5699
原文標(biāo)題:沈陽儀表院擴(kuò)散硅壓力敏感芯片
文章出處:【微信號:WW_CGQJS,微信公眾號:傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論