三安集成：加速技術(shù)突破，化合物半導(dǎo)體廣泛布局

【編者按】2021中國IC風(fēng)云榜“年度最佳技術(shù)突破獎(jiǎng)”征集現(xiàn)已啟動(dòng)！入圍標(biāo)準(zhǔn)深耕半導(dǎo)體某一細(xì)分領(lǐng)域，從技術(shù)產(chǎn)品主要性能和指標(biāo)（20%）、技術(shù)突破創(chuàng)新性（30%）、應(yīng)用市場（20%）、銷售情況（30%）四個(gè)維度進(jìn)行。評(píng)選將由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟129家會(huì)員單位及400多位半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任評(píng)選評(píng)委。獎(jiǎng)項(xiàng)的結(jié)果將在2021年1月份中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮上揭曉。

本期候選企業(yè)：廈門市三安集成電路有限公司（以下簡稱“三安集成”）

伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)等市場興起，化合物半導(dǎo)體也迎來新的風(fēng)口。三安光電于2014年5月投資30億元成立的三安集成，主要從事化合物半導(dǎo)體微波集成電路、光技術(shù)芯片和功率電子元件的研發(fā)、制造和服務(wù)。

將化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)從LED外延片、芯片，橫向拓展到射頻、光技術(shù)和電力電子領(lǐng)域，三安光電有其先天優(yōu)勢(shì)。

三安光電具備20多年的化合物半導(dǎo)體制造經(jīng)驗(yàn)，擁有規(guī)模化外延生長的管理經(jīng)驗(yàn)與優(yōu)勢(shì)。基于對(duì)III-V族化合物材料的熟悉，得以將砷化鎵、氮化鎵等LED芯片主要的材料和工藝，快速拓展到微波射頻集成電路（MMIC）代工制造和光通訊芯片制造領(lǐng)域，并成功進(jìn)入國內(nèi)龍頭企業(yè)的供應(yīng)鏈。作為三安光電的全資子公司，三安集成是中國首家6英寸化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠。也正是三安集成，將三安光電帶入全新的第二賽道。

三安集成預(yù)見第三代半導(dǎo)體材料尤其是碳化硅的市場潛力，于2020年7月在湖南長沙布局第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。由此建立起橫跨材料和市場的化合物半導(dǎo)體大制造平臺(tái)。

目前，三安集成已通過ISO9001國際質(zhì)量管理體系認(rèn)證和IATF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系認(rèn)證，并積極投身國際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，是JEDEC JC-70寬禁帶功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)成員。

在迎接新機(jī)遇的同時(shí)，三安集成也在積極打磨自身技術(shù)，筑高護(hù)城河。截至目前，三安集成專利和核心技術(shù)主要集中在制造工藝層面，擁有近百項(xiàng)覆蓋外延生長、芯片制造授權(quán)專利。

2020年，三安集成在多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域也取得了突破。

在RF（射頻）領(lǐng)域，三安集成開發(fā)了H20HG6 砷化鎵HBT制程工藝，該技術(shù)可應(yīng)用于3G/4G, Sub-6G, WLAN 功放器件，目前已成功應(yīng)用在手持通訊終端的功放器件。同時(shí)，2020年四季度Duplexer濾波器出貨量超過10kk。

在光技術(shù)領(lǐng)域，三安集成今年還推出了25G CWDM DFB芯片系列，其在外延結(jié)構(gòu)等重要技術(shù)環(huán)節(jié)做了特殊的設(shè)計(jì)，使得25G DFB 在高溫條件下具備更好的可靠性，結(jié)合高帶寬特性，三安集成成為世界上少數(shù)可以提供100G/200G LR4 的25G DFB應(yīng)用的供應(yīng)商之一。

在電力電子領(lǐng)域，三安集成碳化硅MPS肖特基二極管全系列650V和1200V產(chǎn)品采用混合PiN肖特基二極管（MPS）設(shè)計(jì)，能提供更好的可靠性和魯棒性；今年12月更完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)的打造，首發(fā)1200V 80mΩ MOSFET產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試。得益于其產(chǎn)品特性，三安集成碳化硅功率器件產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于牽引驅(qū)動(dòng)、車載充電、新能源逆變、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心、PFC、UPS等多領(lǐng)域。

在2021年，三安集成會(huì)持續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張，以滿足市場的增速需求，泉州基地和長沙項(xiàng)目都會(huì)在未來支撐起三安大規(guī)模制造平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)地位。

原文標(biāo)題：【中國IC風(fēng)云榜年度技術(shù)突破公司候選3】三安集成：加速技術(shù)突破，化合物半導(dǎo)體廣泛布局

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