2021中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國(guó)IC 風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮在北京舉辦。英諾賽科(珠海)科技有限公司(簡(jiǎn)稱:英諾賽科)榮獲2021中國(guó)IC風(fēng)云榜“年度獨(dú)角獸獎(jiǎng)”。
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。英諾賽科采用IDM模式,集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析為一體,成功打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)。2017年11月率先建成8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線,產(chǎn)品涵蓋30-900V功率半導(dǎo)體器件,IC及射頻器件。
英諾賽科30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產(chǎn)品已陸續(xù)推出并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),為世界上唯一能夠同時(shí)量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)。
破局
英諾賽科CFO鐘山在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示,2020年是氮化鎵關(guān)注度迅速升溫的一年。在小米10系列發(fā)布會(huì)上,氮化鎵快充充電器的亮相迅速吸引市場(chǎng)的注意,往后國(guó)內(nèi)對(duì)于氮化鎵的關(guān)注度猛增,甚至包括中國(guó)的A股市場(chǎng)也出現(xiàn)所謂的氮化鎵概念股等。
這在一定程度上也解惑了此前投資機(jī)構(gòu)做調(diào)研時(shí)的疑慮,即氮化鎵何時(shí)才會(huì)爆發(fā)?
鐘山指出,氮化鎵進(jìn)入快充等消費(fèi)市場(chǎng)是邁好了第一步,但絕不是氮化鎵唯一有意義的應(yīng)用場(chǎng)景,低壓的應(yīng)用前景將更為廣闊,諸如數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、人工智能服務(wù)器的DC-DC相關(guān)器件已在逐步量產(chǎn),業(yè)內(nèi)普遍感知,無(wú)論是在消費(fèi)端還是在工業(yè)端,氮化鎵都已打開了局面。此外,有很多從業(yè)人員也將目光聚焦在了氮化鎵這一領(lǐng)域,特別是一些下游廠商都在積極招兵買馬,收編對(duì)氮化鎵器件有一定經(jīng)驗(yàn)和了解的工程師,幫助公司提供相應(yīng)的解決方案。而相應(yīng)的,氮化鎵領(lǐng)域的從業(yè)人員也比以往多很多。
據(jù)了解,英諾賽科與浪潮、小米、OPPO、比亞迪、禾賽科技、安森美、MPS 等國(guó)內(nèi)外廠商開展深入合作,功率芯片和射頻芯片的應(yīng)用開發(fā)。
基于公司氮化鎵高壓芯片的大功率、小型化手機(jī)快充已經(jīng)全面推向市場(chǎng),英諾賽科成為中國(guó)唯一一家提供氮化鎵快充芯片的企業(yè),打破了美國(guó)公司氮化鎵快充芯片在該領(lǐng)域的壟斷局面,公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產(chǎn)品在2020年4季度出貨已達(dá)數(shù)百萬(wàn)顆。
英諾賽科低壓氮化鎵產(chǎn)品已取代美國(guó)EPC 公司產(chǎn)品,成為中國(guó)領(lǐng)先的激光雷達(dá)企業(yè)禾賽科技的供應(yīng)商,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
此外,英諾賽科已成功開發(fā)出應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產(chǎn)品,可取代原有硅器件,大幅度提升系統(tǒng)效率,降低能耗及運(yùn)營(yíng)成本。
“疫情” “缺貨”
2020年是屬于氮化鎵火熱的一年,但對(duì)于半導(dǎo)體企業(yè)或是整個(gè)科技業(yè)而言,2020開年和末尾都給心頭澆了三把急迫的“火”。
開年疫情的影響,全球物流運(yùn)輸停擺,人員因各國(guó)、各地的疫情防控措施的限制,返工困難,入境難上加難,對(duì)于英諾賽科這樣擁有晶圓廠的IDM企業(yè)而言如臨大敵。
鐘山表示,2020年上半年對(duì)業(yè)界總體而言是比較糟糕的,國(guó)內(nèi)外疫情的爆發(fā)有著“時(shí)差”。國(guó)內(nèi)疫情嚴(yán)重時(shí)難以去國(guó)外驗(yàn)收貴重的設(shè)備,國(guó)外疫情嚴(yán)重時(shí),海外專業(yè)人員無(wú)法入境,這種“時(shí)差”對(duì)裝機(jī)等方面帶來(lái)了不小的阻力。
在面對(duì)巨大困難時(shí),英諾賽科也沒(méi)有停滯原本的計(jì)劃。
鐘山表示,在股東和國(guó)家省、市各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)政府的幫助下,通過(guò)幾個(gè)月的申請(qǐng),將規(guī)模較大的海外工程師團(tuán)隊(duì)申請(qǐng)入境,進(jìn)行調(diào)試和安裝,最終將既定目標(biāo)達(dá)成。在此過(guò)程中,公司各職能部門都表現(xiàn)出極高專業(yè)素養(yǎng),積極落實(shí)抗疫管控政策,讓公司的運(yùn)營(yíng)有條不紊的繼續(xù)下去。
另一方面,團(tuán)隊(duì)在戰(zhàn)略布局上非常堅(jiān)定,對(duì)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展充滿了信心,因而在疫情穩(wěn)定后,加快蘇州工廠的建設(shè),把原來(lái)一季度損失的建設(shè)時(shí)間搶回來(lái),為公司未來(lái)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
對(duì)于缺貨問(wèn)題,鐘山指出,英諾賽科一直在按照既定戰(zhàn)略發(fā)展,對(duì)于缺貨問(wèn)題也會(huì)持續(xù)關(guān)注,今年一季度開始會(huì)繼續(xù)加快發(fā)展步伐,盡最大的可能預(yù)測(cè)市場(chǎng)和行業(yè)的發(fā)展,然后提早做好產(chǎn)能規(guī)劃、設(shè)備的部署等。
國(guó)產(chǎn)化熱潮下的2021
從美國(guó)將魔抓伸向中國(guó)科技業(yè)開始,“國(guó)產(chǎn)化”的花朵便開滿了半導(dǎo)體業(yè)的這片山頭,無(wú)論是國(guó)家還是投資機(jī)構(gòu)都成為了辛勤的園丁。
鐘山表示,國(guó)內(nèi)整體的行業(yè)環(huán)境近兩年確實(shí)比從前要好很多,對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)而言這是一個(gè)很好的機(jī)遇。
作為一個(gè)IDM企業(yè),面對(duì)國(guó)產(chǎn)化替代的時(shí)代機(jī)遇,鐘山認(rèn)為有三點(diǎn)需要抓緊。
第一,自身的產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)是企業(yè)根本。過(guò)去國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品連送樣的機(jī)會(huì)都不多,而現(xiàn)在許多客戶愿意去嘗試,在這種情況下需保證自己的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新能力,打鐵還需自身硬。
第二,加快合作。通過(guò)與上下游廠商的合作,進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造工藝,完善生態(tài)鏈建設(shè)
第三,加快公司發(fā)展。利用良好的市場(chǎng)環(huán)境,加快融資步伐,獲得快速發(fā)展,夯實(shí)基礎(chǔ)。
鐘山強(qiáng)調(diào),國(guó)產(chǎn)替代不能簡(jiǎn)單的去做低端產(chǎn)品的復(fù)制,要瞄準(zhǔn)國(guó)外的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,在現(xiàn)有產(chǎn)品或是更新的領(lǐng)域上做突破,做自主創(chuàng)新。而在硅基氮化鎵這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域我們完全有能力和機(jī)會(huì)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。
展望2021年,鐘山表示,英諾賽科將繼續(xù)擴(kuò)大已有量產(chǎn)產(chǎn)品在各個(gè)領(lǐng)域的出貨量,進(jìn)一步擁抱市場(chǎng),獲得市場(chǎng)認(rèn)可。產(chǎn)品方面,高壓硅基氮化鎵芯片系列以快充為主,低壓芯片系列將有重磅產(chǎn)品會(huì)發(fā)布。
無(wú)論從技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)、市場(chǎng)應(yīng)用還是國(guó)家政策導(dǎo)向?qū)用?,第三代半?dǎo)體氮化鎵具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。且中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng),在市場(chǎng)風(fēng)口到來(lái)、產(chǎn)業(yè)火熱加碼布局等利好因素加持下,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)擊前行。隨著相關(guān)企業(yè)持續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)能、降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品可靠性,國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體器件在下游應(yīng)用市場(chǎng)的滲透率將日漸提升,并實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
英諾賽科將一如既往堅(jiān)持創(chuàng)新研發(fā),除了消費(fèi)電子產(chǎn)品以外,還將加快開發(fā)適用于5G通信、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施的芯片和解決方案,為“新基建”注入新動(dòng)能,以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展助力中國(guó)“芯”突破,在龐大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口技術(shù)和產(chǎn)品的替代,讓中國(guó)成為第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵制造的世界第一。
責(zé)任編輯:tzh
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