氮化鎵芯片制造商英諾賽科赴港IPO

英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請(qǐng)，標(biāo)志著這家全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場(chǎng)的重要步伐。

英諾賽科以其強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)能力而聞名，其主要產(chǎn)品覆蓋低高壓氮化鎵功率器件，廣泛應(yīng)用于電子、通信等領(lǐng)域。據(jù)市場(chǎng)研究數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中收入排名第一，市場(chǎng)份額高達(dá)33.7%，充分證明了其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。

然而，值得注意的是，盡管英諾賽科在市場(chǎng)份額和技術(shù)實(shí)力上表現(xiàn)出色，但近三年的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司虧損額達(dá)到67億元。這一數(shù)字引發(fā)了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注和猜測(cè)。對(duì)此，英諾賽科在招股書中進(jìn)行了詳細(xì)披露，表示虧損主要是由于公司持續(xù)加大在產(chǎn)能提升和研發(fā)方面的投入，以及償還貸款等因素所致。

對(duì)于此次IPO募資的用途，英諾賽科在招股書中明確表示，將主要用于產(chǎn)能的進(jìn)一步提升、研發(fā)投入以及償還貸款等方面。這一策略旨在確保公司在未來能夠持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)加強(qiáng)財(cái)務(wù)穩(wěn)健性，為公司的長(zhǎng)期發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

英諾賽科的上市之路備受市場(chǎng)關(guān)注，其未來的發(fā)展動(dòng)態(tài)也將對(duì)全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。