納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”）在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
該項(xiàng)目位于蘇州納米城，總用地面積14000平方米，總建筑面積約34000平方米，將建設(shè)氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬(wàn)片。
資料顯示，蘇州納維科技成立于2007年5月，致力于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心關(guān)鍵材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。
據(jù)介紹，蘇州納維科技完成了從材料生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)到氮化鎵單晶襯底的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，率先實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù)，能夠同時(shí)批量提供2英寸高導(dǎo)電、半絕緣氮化鎵單晶。
蘇州納維科技董事長(zhǎng)徐科表示，此次奠基的總部大樓將重點(diǎn)承擔(dān)蘇州納維科技在生產(chǎn)、研發(fā)等方面的需求，標(biāo)志著公司在市場(chǎng)、生產(chǎn)、研發(fā)等方面全面發(fā)力。
責(zé)任編輯:tzh
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深圳市浮思特科技有限公司
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