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標(biāo)簽 > GaN
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如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計柵極驅(qū)...
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
基于AC驅(qū)動的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動技術(shù)會導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢,聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn),通...
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案,該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成,進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待...
GaN FET(場效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢
本文重點(diǎn)介紹了一項新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)中,且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽:傳感器場效應(yīng)晶體管GaN 180 0
#參考設(shè)計#(900 V PowiGaN 開關(guān))的 60 W 隔離反激式適配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 開關(guān))的 60 W 隔離反激式適配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電...
2024-08-21 標(biāo)簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 692 0
近日,GaN行業(yè)迎來了一項重要突破,一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“...
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實現(xiàn)每月9000片6英...
近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布了一項重要決策,將在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺積電的合作。據(jù)悉,羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)GaN功率...
SiC和GaN:新一代半導(dǎo)體能否實現(xiàn)長期可靠性?
近年來,電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強(qiáng)大未來的重要力量。...
功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場空間分析
功率半導(dǎo)體發(fā)展過程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60-70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世...
2024-09-27 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 304 0
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
三菱電機(jī)發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)
1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術(shù) ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產(chǎn)GaN芯片,該技術(shù)為世界首創(chuàng),希望滿...
英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動行業(yè)變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵(GaN...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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