與其競爭對手Snapdragon 888一樣,具有5納米架構(gòu)的處理器將在具有8核結(jié)構(gòu)的用戶面前出現(xiàn)。在處理器中;有1個主頻為2.9 GHz的Arm Cortex X1、3個主頻為2.8 GHz的Cortex A78和4個主頻為2.0 GHz的Cortex A55內(nèi)核。還指出,與Exynos 990相比,該處理器在多核中的速度提高了30%。
Exynos 2100功能的另一個亮點(diǎn)是其圖形單元。據(jù)稱,Mali-G78圖形單元的性能比上一代提高了40%,同時使能效翻了一番。還宣布,馬里G-78具有14核結(jié)構(gòu)。
除了圖形單元外,處理器還通過其LPDDR5 RAM支持引起關(guān)注。該品牌的首款具有5G調(diào)制解調(diào)器的處理器還支持7.35 Gbps下行鏈路速度。
該處理器還在相機(jī)方面進(jìn)行了改進(jìn)。Exynos 2100;雖然在發(fā)布會上說它支持高達(dá)200百萬像素分辨率的鏡頭,但同時宣布它提供4K視頻捕獲和8K視頻回放。
在將于1月14日推出的Galaxy 21系列中;Exynos 2100處理器將在歐洲和印度地區(qū)使用。在美國市場,三星的新旗艦將通過Snapdragon 888向消費(fèi)者展示。
責(zé)任編輯:lq
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TPS5401提高了電表脫扣離線電源的負(fù)載電流能力.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-10 10:26
?0次下載
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPL7407L提高了外圍驅(qū)動的散熱和能效.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-08 09:55
?0次下載
ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%,有助于進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率。
發(fā)表于 08-09 15:21
?9013次閱讀
谷歌推出了其最新的人工智能數(shù)據(jù)中心芯片——Trillium。這款芯片是谷歌的第六代產(chǎn)品,與上一代TPU v5e相比,Trillium在每個芯片上的峰值計算性能提高了4.7倍,節(jié)能67%
發(fā)表于 05-16 10:39
?672次閱讀
谷歌CEO桑達(dá)爾·皮查伊表示,“谷歌自創(chuàng)立以來,始終引領(lǐng)GPU技術(shù)發(fā)展?!彼M(jìn)一步指出,新款TPU的計算性能較第五代提升4.7倍,主要得益于擴(kuò)大了芯片的矩陣乘法單元(MXU)以及
發(fā)表于 05-15 10:22
?436次閱讀
68 GPU不僅繼承了Mali-G78的先進(jìn)技術(shù),還采用了低功耗設(shè)計,從而進(jìn)一步延長了電池續(xù)航時間。這種卓越的性能使得MT6877在處理復(fù)雜任務(wù)和運(yùn)行高負(fù)荷應(yīng)用時游刃有余
發(fā)表于 05-14 20:06
?486次閱讀
裝置顯著提高了電網(wǎng)的電能質(zhì)量。電網(wǎng)中的諧波會導(dǎo)致電壓和電流的波形畸變,影響設(shè)備的正常運(yùn)行。微機(jī)消諧裝置通過精確的檢測和快速的響應(yīng),能夠有效地消除諧波,使電網(wǎng)的電壓和電流波形更加穩(wěn)定,從而提高電能質(zhì)量。 其次,
發(fā)表于 04-02 14:40
?330次閱讀
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效
發(fā)表于 03-12 08:13
?441次閱讀
蘋果電腦M3芯片在圖形處理性能上,相當(dāng)于英偉達(dá)GTX 1070顯卡的水平,屬于中端顯卡。M3芯片中的10核GPU采用了下一代架構(gòu),圖形性能比
發(fā)表于 03-07 17:34
?1.1w次閱讀
提高處理器主頻可以提高處理器的性能,但是到一定程度就不能再提高了,我們需要通過雙核,或者多核來提高
發(fā)表于 01-24 09:59
?2187次閱讀
處理器。SOM-2533 模塊支持多達(dá)8核,據(jù)Intel研究結(jié)果顯示,與前幾代相比,CPU 性能提高了 1.4 倍 ,圖形性能提高了 2 倍
發(fā)表于 12-19 11:33
?858次閱讀
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
發(fā)表于 11-30 18:00
?419次閱讀
這些產(chǎn)品配套來進(jìn)一步增加系統(tǒng)性能,并確保WBG芯片能夠充分發(fā)揮其潛力。特別是模組耐溫性能的增加,例如當(dāng)前需要將SiC模塊的散熱要求到175°C及以上,芯片連接、基板和散熱器的機(jī)械和熱性能
發(fā)表于 11-21 10:18
?860次閱讀
致態(tài)TiPlus 7100固態(tài)硬盤采用晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)閃存,高達(dá)2400MT/s的閃存接口帶寬,對比上一代速度提高了50%。
四通道方案下,給予硬盤最高7000MB/s和6000MB/s的連續(xù)讀寫速度,實(shí)現(xiàn)了近乎PCIe4.0的飽和
發(fā)表于 11-02 15:40
?2414次閱讀
新款 8 Gen 3 的性能比前代產(chǎn)品提高了 30%,能效提高了 20%。它還提供了 25% 的 GPU 性能提升和 20% 的能效提升。Adreno 750 GPU 支持硬件光線追蹤
發(fā)表于 10-27 15:02
?5462次閱讀
評論