0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

調(diào)光LED燈MOS管霧化器MOS管HC085N10L參數(shù)概述

DC-DC低壓線性恒流芯片方案 ? 來(lái)源:DC-DC低壓線性恒流芯片方案 ? 作者:DC-DC低壓線性恒流 ? 2022-03-23 11:51 ? 次閱讀

型號(hào):HC085N10L
參數(shù):100V 15A
類型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
內(nèi)阻71mR
低結(jié)電容436pF
封裝:貼片(SOT89-3)
低開(kāi)啟電壓1.7V

廣泛用于電動(dòng)車照明、汽車照明、汽車大燈、工作燈、鏟車燈、安定器、太陽(yáng)能照明、太陽(yáng)能控制器藍(lán)牙音箱、RGB調(diào)光照明、小家電、板卡音響、led去頻閃照明、電弧打火機(jī)、開(kāi)關(guān)電源、車充、電動(dòng)車手機(jī)充電器、DC恒壓恒流電路應(yīng)用、DC逆變系統(tǒng)。

可免費(fèi)申請(qǐng)樣品和DEMO測(cè)試,免費(fèi)技術(shù)支持。

HC085N10L.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    240

    文章

    23002

    瀏覽量

    655085
  • 場(chǎng)效應(yīng)管

    關(guān)注

    46

    文章

    1139

    瀏覽量

    63669
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    108

    文章

    2349

    瀏覽量

    66233
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    mosMOS的使用方法

    : 柵極(G):中間抽頭。 源極(S):兩條線相交。對(duì)于N溝道MOS,箭頭指向G極,使用時(shí)D極接輸入,S極接輸出;對(duì)于P溝道MOS,箭頭
    的頭像 發(fā)表于 10-17 16:07 ?137次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的使用方法

    30V MOS 60V MOS 100V MOS-5N10N通道MOS-HC5N10 100V5A 低結(jié)電容 高性價(jià)比

    標(biāo)記膠帶和卷軸 信息 HC5N10 SOT23 HC5N10 3000pc/盤 MOS在DCDC恒壓/恒流電路中扮演著重要的角色。DCDC恒壓電路用于將一個(gè)直流電源的電壓轉(zhuǎn)換為另
    發(fā)表于 10-11 09:47

    MOS寄生參數(shù)的影響

    MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)作為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS的性能并非僅由其基本電氣特性決定,還受到多種寄生
    的頭像 發(fā)表于 10-10 14:51 ?254次閱讀

    MOS如何正確選擇?

    MOS正確選擇的步驟,幫助讀者更好地理解和應(yīng)用這一關(guān)鍵電子元件。 一、確定溝道類型 選擇MOS的第一步是確定采用N溝道還是P溝道。這主要
    的頭像 發(fā)表于 10-09 14:18 ?168次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>如何正確選擇?

    惠海100V 15A HC070N10L TO-252封裝 N溝道MOS 打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用

    惠海100V 15A HC070N10L TO-252封裝 N溝道MOS 打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用 MOS
    的頭像 發(fā)表于 07-01 11:42 ?512次閱讀
    惠海100V 15A <b class='flag-5'>HC070N10L</b> TO-252封裝 <b class='flag-5'>N</b>溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b> 打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用

    mos的原理與特點(diǎn)介紹

    ,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)。 MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。 工作原理 MOS的工作狀態(tài)主要取決于柵源電壓Vgs。當(dāng)Vgs高于一定的閾值電壓時(shí),
    的頭像 發(fā)表于 06-09 11:51 ?924次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>的原理與特點(diǎn)介紹

    30V MOS 60VMOS 100VMOS 150VMOS推薦

    30N10 40N10 17N06 20N06 30N06 50N06 70
    發(fā)表于 05-28 15:36

    APG10N10G 100v貼片mos-PD快充同步整流mos規(guī)格書(shū)參數(shù)

    驪微電子供應(yīng)APG10N10G 100v貼片mos,提供APG10N10GPD快充同步整流mos
    發(fā)表于 03-25 15:33 ?0次下載

    MOS的導(dǎo)通條件 MOS的導(dǎo)通過(guò)程

    MOS的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制,對(duì)于增強(qiáng)型MOS來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝道的管子則加反向電壓。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 15:47 ?4944次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的導(dǎo)通條件 <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的導(dǎo)通過(guò)程

    mos怎么判斷是n型還是p型

    和漏區(qū)域摻雜的材料類型和濃度,MOS分為N型和P型兩種。 NMOS
    的頭像 發(fā)表于 01-10 15:36 ?2710次閱讀

    如何查看MOS的型號(hào)和功率參數(shù)

    Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要了解MOS的型號(hào)和功率參數(shù),以
    的頭像 發(fā)表于 12-28 16:01 ?7548次閱讀

    n溝道mos和p溝道mos詳解

    場(chǎng)效應(yīng)晶體(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場(chǎng)效應(yīng)晶體可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n
    的頭像 發(fā)表于 12-28 15:28 ?1.9w次閱讀
    <b class='flag-5'>n</b>溝道<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>和p溝道<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>詳解

    SL9008 3.6-60V輸入 LED降壓恒流芯片 內(nèi)置MOS 帶PWM調(diào)光

    SL9008是一款內(nèi)置MOS、具有PWM調(diào)光功能的LED降壓恒流芯片,適用于3.6-60V的輸入電壓范圍。它采用了先進(jìn)的電路設(shè)計(jì),確保了高效率和長(zhǎng)壽命,同時(shí)具有寬電壓輸入范圍和優(yōu)異的
    發(fā)表于 12-11 15:52

    igbt與mos的區(qū)別

    igbt與mos的區(qū)別? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E
    的頭像 發(fā)表于 12-07 17:19 ?1745次閱讀

    APG082N01 n溝道mos100v 100a-電源適配器mos規(guī)格書(shū)

    供應(yīng)APG082N01 n溝道mos100v 100a-電源適配器mos規(guī)格書(shū),是ALLPO
    發(fā)表于 10-27 16:38 ?0次下載