三星SSD核心部件的技術(shù)自主化研發(fā)歷程

在上篇中，我們探討了三星以NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)，推動(dòng)了存儲(chǔ)介質(zhì)從HDD到SSD模式的轉(zhuǎn)變。

今天，我們就來(lái)了解一下，三星SSD核心部件的技術(shù)自主化研發(fā)歷程，以及三星SSD產(chǎn)品的迭代與創(chuàng)新。

憑借SSD技術(shù)的自主化和創(chuàng)新

三星深受SSD市場(chǎng)青睞！

SSD 由 NAND 閃存、DRAM、控制器硬件和驅(qū)動(dòng)該設(shè)備的固件（Firmware）組成。如果說(shuō)，NAND閃存是存放書(shū)籍的“圖書(shū)館”，那么控制器就是整理書(shū)籍的“圖書(shū)管理員”。

換句話(huà)說(shuō)，NAND閃存通過(guò)提高數(shù)據(jù)集成度來(lái)增加SSD的容量，而控制器則是利用控制接口和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸，并決定讀取和寫(xiě)入順序，以此提高SSD性能。 通過(guò)不斷創(chuàng)新，三星實(shí)現(xiàn)了NAND閃存、控制器、固件等SSD核心部件的技術(shù)自主化。

在三星SSD商用化進(jìn)程中，NAND 閃存的創(chuàng)新發(fā)揮了重要作用。2006年，三星研發(fā)出了可以突破浮柵（Floating Gate）技術(shù)局限的CTF（電荷擷取閃存，Charge Trap Flash） NAND技術(shù)，為SSD的發(fā)展帶來(lái)重大成功?；谶@項(xiàng)技術(shù)，三星將40nm 32Gb NAND閃存應(yīng)用于SSD，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的商用化。

在NAND閃存發(fā)展早期，三星就已經(jīng)開(kāi)始關(guān)注并堅(jiān)信其即將打開(kāi)新的應(yīng)用領(lǐng)域。三星還曾預(yù)測(cè)，在2010年以后，SSD將超越GB（千兆字節(jié)，Gigabyte）時(shí)代，TB（太字節(jié)，Terabyte）的超容量半導(dǎo)體技術(shù)將成為可能。 現(xiàn)在，這種預(yù)測(cè)已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)。2010年，三星正式啟動(dòng)了消費(fèi)級(jí)SSD業(yè)務(wù)。

2011年，推出了20納米級(jí)高速NAND閃存，以及搭載了專(zhuān)用控制器的SSD 830系列產(chǎn)品。并于2012年推出了采用3bit MLC（TLC，TripleLevel Cell）NAND閃存的SSD 840系列產(chǎn)品，打破了過(guò)去認(rèn)為“采用3bit MLC NAND閃存的SSD無(wú)法實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性運(yùn)行”的觀念。 2013年，三星開(kāi)始量產(chǎn)3D V-NAND閃存，再一次突破了微技術(shù)的瓶頸。且實(shí)現(xiàn)了三維集成技術(shù)商用化?；谶@項(xiàng)技術(shù)，三星開(kāi)始不斷拓展大容量SSD市場(chǎng)，并于2014年推出了搭載3D V-NAND的SSD 850系列產(chǎn)品，從此消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)也開(kāi)始轉(zhuǎn)向以V-NAND為基礎(chǔ)的產(chǎn)品。

2013年，三星開(kāi)始量產(chǎn)企業(yè)數(shù)據(jù)中心級(jí)1TB SSD，2016年推出15.36TB SSD，并于2018年推出企業(yè)數(shù)據(jù)中心級(jí)30.72TB SSD。自2006年32GB SSD亮相以來(lái)，僅僅經(jīng)過(guò)12年時(shí)間，三星就將其存儲(chǔ)容量增加了1000倍，開(kāi)啟了超高容量半導(dǎo)體時(shí)代。 目前，三星依然在閃存技術(shù)領(lǐng)域和SSD市場(chǎng)上進(jìn)行創(chuàng)新，不斷制造更多新驚喜，讓我們一起繼續(xù)期待吧。

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