在上篇中,我們探討了三星以NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ),推動(dòng)了存儲(chǔ)介質(zhì)從HDD到SSD模式的轉(zhuǎn)變。
今天,我們就來(lái)了解一下,三星SSD核心部件的技術(shù)自主化研發(fā)歷程,以及三星SSD產(chǎn)品的迭代與創(chuàng)新。
憑借SSD技術(shù)的自主化和創(chuàng)新
三星深受SSD市場(chǎng)青睞!
SSD 由 NAND 閃存、DRAM、控制器硬件和驅(qū)動(dòng)該設(shè)備的固件(Firmware)組成。如果說(shuō),NAND閃存是存放書(shū)籍的“圖書(shū)館”,那么控制器就是整理書(shū)籍的“圖書(shū)管理員”。
換句話(huà)說(shuō),NAND閃存通過(guò)提高數(shù)據(jù)集成度來(lái)增加SSD的容量,而控制器則是利用控制接口和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸,并決定讀取和寫(xiě)入順序,以此提高SSD性能。 通過(guò)不斷創(chuàng)新,三星實(shí)現(xiàn)了NAND閃存、控制器、固件等SSD核心部件的技術(shù)自主化。
在三星SSD商用化進(jìn)程中,NAND 閃存的創(chuàng)新發(fā)揮了重要作用。2006年,三星研發(fā)出了可以突破浮柵(Floating Gate)技術(shù)局限的CTF(電荷擷取閃存,Charge Trap Flash) NAND技術(shù),為SSD的發(fā)展帶來(lái)重大成功?;谶@項(xiàng)技術(shù),三星將40nm 32Gb NAND閃存應(yīng)用于SSD,并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的商用化。
在NAND閃存發(fā)展早期,三星就已經(jīng)開(kāi)始關(guān)注并堅(jiān)信其即將打開(kāi)新的應(yīng)用領(lǐng)域。三星還曾預(yù)測(cè),在2010年以后,SSD將超越GB(千兆字節(jié),Gigabyte)時(shí)代,TB(太字節(jié),Terabyte)的超容量半導(dǎo)體技術(shù)將成為可能。 現(xiàn)在,這種預(yù)測(cè)已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)。2010年,三星正式啟動(dòng)了消費(fèi)級(jí)SSD業(yè)務(wù)。
2011年,推出了20納米級(jí)高速NAND閃存,以及搭載了專(zhuān)用控制器的SSD 830系列產(chǎn)品。并于2012年推出了采用3bit MLC(TLC,TripleLevel Cell)NAND閃存的SSD 840系列產(chǎn)品,打破了過(guò)去認(rèn)為“采用3bit MLC NAND閃存的SSD無(wú)法實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性運(yùn)行”的觀念。 2013年,三星開(kāi)始量產(chǎn)3D V-NAND閃存,再一次突破了微技術(shù)的瓶頸。且實(shí)現(xiàn)了三維集成技術(shù)商用化?;谶@項(xiàng)技術(shù),三星開(kāi)始不斷拓展大容量SSD市場(chǎng),并于2014年推出了搭載3D V-NAND的SSD 850系列產(chǎn)品,從此消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)也開(kāi)始轉(zhuǎn)向以V-NAND為基礎(chǔ)的產(chǎn)品。
2013年,三星開(kāi)始量產(chǎn)企業(yè)數(shù)據(jù)中心級(jí)1TB SSD,2016年推出15.36TB SSD,并于2018年推出企業(yè)數(shù)據(jù)中心級(jí)30.72TB SSD。自2006年32GB SSD亮相以來(lái),僅僅經(jīng)過(guò)12年時(shí)間,三星就將其存儲(chǔ)容量增加了1000倍,開(kāi)啟了超高容量半導(dǎo)體時(shí)代。 目前,三星依然在閃存技術(shù)領(lǐng)域和SSD市場(chǎng)上進(jìn)行創(chuàng)新,不斷制造更多新驚喜,讓我們一起繼續(xù)期待吧。
責(zé)任編輯:haq
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原文標(biāo)題:三星半導(dǎo)體|從HDD到SSD,存儲(chǔ)介質(zhì)的進(jìn)階之路(下篇)
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