西部數(shù)據(jù)以創(chuàng)新閃存技術(shù)賦能5G智能手機新體驗

51CTO 張誠

今天，隨著智能手機應(yīng)用與數(shù)據(jù)量的高速增長，用戶對于閃存存儲的性能和容量要求越來越高。芯片制程、架構(gòu)和算力算法的精進也讓嵌入式存儲器在性能和容量上不斷實現(xiàn)突破。近期，西部數(shù)據(jù)正式對外發(fā)布了iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，這款專門為智能手機定制的新產(chǎn)品，在為用戶提供了超高分辨率相機、增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實、游戲和8K視頻等新興應(yīng)用所需的高性能存儲的同時，也以最大512GB的存儲容量，很好的滿足了用戶的存儲需求。

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件

西部數(shù)據(jù)公司中國及亞太區(qū)副總裁Stefan Mandl表示，隨著5G、人工智能、創(chuàng)新傳感器等新興技術(shù)的應(yīng)用普及，用戶對于智能手機的性能和容量提出了更高的要求。借助UFS 3.1 iNAND解決方案和 iNAND MC EU551 嵌入式閃存器件，西部數(shù)據(jù)助力用戶自如運行大數(shù)據(jù)量的應(yīng)用并實現(xiàn)更快的傳輸，充分享受游戲、工作和學(xué)習(xí)的全新體驗。

新技術(shù)新應(yīng)用加持，嵌入式閃存迎來新挑戰(zhàn)

如果說智能手機處理器芯片上的突破使得其具備了更強的算力，那么5G、AI等新興技術(shù)也讓智能手機的應(yīng)用范圍更加廣泛，同時也給用戶帶來了更好的使用體驗。不過，不斷增長的應(yīng)用程序和爆炸式增長的海量數(shù)據(jù)，也給手機存儲的性能和容量提出了更高的挑戰(zhàn)。

西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳表示，隨著5G的迅速普及，越來越多的應(yīng)用會被開發(fā)出來，對閃存提出了更高的要求。她表示，在智能手機的隨機讀寫上，閃存性能將會直接影響到開關(guān)機、APP啟動和系統(tǒng)調(diào)用三大典型應(yīng)用；在順序?qū)懭肷希W存性能將直接影響APP的下載與安裝，此外對于諸如視頻剪輯等應(yīng)用，也會產(chǎn)生較大的影響。

西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳女士；

西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學(xué)紅先生

在容量方面，4K、8K等視頻文件，對于存儲容量提出了更高的要求。除此之外，越來越多的游戲、APP等等，也對手機存儲容量帶來了更高的挑戰(zhàn)。文芳表示，雖然用戶可以把數(shù)據(jù)搬到云上，但這樣會極大的影響用戶的使用體驗，況且大部分用戶即使將數(shù)據(jù)存放在云中，也是為了對數(shù)據(jù)進行備份，這也是手機存儲容量從之前的4GB、8GB到現(xiàn)在主流的128GB、256GB，甚至512GB的根本原因所在。

實際上，這也是西部數(shù)據(jù)正式推出全新iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的主要原因。不過，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件并不僅僅應(yīng)用于智能手機這一產(chǎn)品中，在諸如物聯(lián)網(wǎng)等設(shè)備當(dāng)中，都能夠為其提供更高的性能和更大的容量，很好地滿足用戶的各種苛刻需求。

隨機性能提升100%，帶來更佳用戶體驗

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件基于第二代UFS 3.1規(guī)范，融入了第六代iNAND SmartSLC緩存加速技術(shù)和Write Booster寫入加速技術(shù)，可實現(xiàn)令人驚嘆的1550MB/s順序?qū)懭胨俣?，且容量滿載時也不會掉速。

為了保證擁有更高的性能，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還采用了更高效的控制器和優(yōu)化的固件設(shè)計，擁有雙電壓、熱保護以及HBP2.0 （主機性能加速器）等諸多先進特性。數(shù)據(jù)顯示，和上一代產(chǎn)品相比，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的隨機讀取性能提升約100% ，隨機寫入性能提升約40%，順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，順序讀取性能則提升了約30%。

西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學(xué)紅表示，閃存的性能包括順序讀寫和隨機讀寫兩個部分。與上一代產(chǎn)品相比，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件順序讀從1500MB/s提升至2000MB/s，順序?qū)憦?00MB/s提升至1550MB/s。另外，在隨機讀方面，從60K IOPS 上升到 140K IOPS ，在隨機寫方面，從90K IOPS 上升到140K IOPS，都有大幅度地提升。

由于隨機讀取和隨機寫入衡量的是混合工作負載也就是多應(yīng)用并行處理的速度，因此有了如此大的性能提升，用戶在使用智能手機進行各種操作時，能夠得到更好的使用體驗。比如，同時運行微信、office和支付寶，能夠獲得更流暢的體驗。另外，由于順序?qū)懭胗欣谝愿斓乃俣认螺d超大文件或者視頻，還能有效提升拍照的連拍性能，因此用戶在下載、安裝APP和游戲時，或者是在用手機拍攝高清照片時，能夠帶來更好的響應(yīng)速度。

除此之外，由于iNAND MC EU551嵌入式閃存器件擁有驚人的1550MB/s順序?qū)懭胨俣?，這就意味著其可大幅提升5G和Wi-Fi 6的下載速度，尤其是應(yīng)對8K視頻等富媒體文件時擁有更好的體驗。而順序讀取性能則直接關(guān)系到應(yīng)用的啟動和加載速度。諸如游戲和視頻處理等超大型的APP，內(nèi)置了很多插件和特效，加載時要等上較長的時間，這時候順序讀取性能強的，就能以更快的速度打開和啟動，從而減少等待時間。

談到兼容性問題，宋學(xué)紅表示， 在iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品測試中，已經(jīng)完全考慮到了游戲手機，大型游戲、主流游戲都經(jīng)過運行測試，保證所有游戲能夠非常流暢地使用。

文芳則表示，在iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的研發(fā)過程中，西部數(shù)據(jù)就已經(jīng)與很多客戶進行了溝通，并在性能上跟他們的產(chǎn)品進行了充分的匹配。目前，西部數(shù)據(jù)的頭部客戶都已經(jīng)在測試iNAND MC EU551嵌入式閃存產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)將根據(jù)客戶產(chǎn)品發(fā)布時間，隨時進行量產(chǎn)。

借助第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)，容量高達512GB

此次西部數(shù)據(jù)發(fā)布的新一代iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，共包含128GB、256GB和512GB三大容量標(biāo)準(zhǔn)，均采用了與Kioxia鎧俠聯(lián)合研發(fā)的第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)。

與其它3D閃存技術(shù)相比，雖然西部數(shù)據(jù)與Kioxia鎧俠聯(lián)合研發(fā)的第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)在層數(shù)上并不是最高的，但仍然是行業(yè)頂級的技術(shù)水平。正如文芳在采訪中強調(diào)的那樣，存儲性能和NAND的先進性并不只簡單取決于層數(shù)，準(zhǔn)確的定義是，層數(shù)和每層更高效率的乘數(shù)，才是更為可靠的衡量方式。

從第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)特點來看，其相比上一代的112層，芯片尺寸減少了約40%，橫向密度增加了約10%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產(chǎn)70%的容量，直接大幅降低了閃存成本。

宋學(xué)紅表示，西部數(shù)據(jù)擁有自己的閃存顆粒，從BiCS4到BiCS5再到BiCS6，除了單個die容量增加之外，通過對性能的調(diào)校，得到了最佳的性能表現(xiàn)。同時，通過對外圍電路設(shè)計的優(yōu)化，不斷提高閃存顆粒的I/O性能，讓其擁有更高的訪問速度。正是由于西部數(shù)據(jù)的技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先的閃存技術(shù)，才能真正驅(qū)動著數(shù)據(jù)和存儲性能不斷向更高層級邁進。

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