為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。

SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動(dòng)器STGAP2SiCSN可以簡化節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)和控制電路的設(shè)計(jì)，節(jié)省空間，并增強(qiáng)穩(wěn)健性和可靠性。目標(biāo)應(yīng)用包括電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、開關(guān)式電源、高壓功率因數(shù)校正器 （PFC）、DC/DC 變換器、不間斷電源 （UPS）、太陽能發(fā)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備、風(fēng)扇、工廠自動(dòng)化、家用電器、電磁爐。

STGAP2SiCSN 在柵極驅(qū)動(dòng)通道和低壓控制之間有電流隔離，在高壓軌上可以耐受高達(dá)1700V 的電壓。輸入到輸出傳播時(shí)間小于 75ns，確保PWM 控制精度高?！?00V/ns共模瞬變抗擾度 （CMTI） 保證開關(guān)可靠性。

內(nèi)置保護(hù)功能包括欠壓鎖定和熱關(guān)斷，欠壓鎖定（UVLO）通過閾值電壓防止 SiC 電源開關(guān)在低能效或不安全條件下工作。在檢測到結(jié)溫過高后，熱關(guān)斷降低驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)輸出。新產(chǎn)品提供兩種配置選擇，獨(dú)立多輸出配置可以使用外部電阻單獨(dú)優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，而單輸出配置具有源米勒鉗位功能，可以增強(qiáng)高頻硬開關(guān)應(yīng)用的穩(wěn)健性，利用米勒鉗位防止功率開關(guān)過度振蕩。

STGAP2SiCSN 邏輯輸入兼容低達(dá) 3.3V 的 TTL 和 CMOS 邏輯信號，簡化了與主微控制器或 DSP處理器的連接。在高達(dá) 26V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，驅(qū)動(dòng)器的最大吸電流和拉電流均為 4A。片上集成的自舉二極管簡化了設(shè)計(jì)并提高了可靠性，關(guān)斷模式有獨(dú)立輸入引腳，有助于大限度地降低系統(tǒng)功耗。

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