芯片制造的整個(gè)過程包括芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝制造、測試等。芯片制造過程特別復(fù)雜。
1,芯片的原料晶圓,晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄,成產(chǎn)的成本越低,但對工藝就要求的越高。
2,晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。
3,晶圓光刻顯影、蝕刻該過程使用了對紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。
4、攙加雜質(zhì)將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體。具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學(xué)離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式,使每個(gè)晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。
5、晶圓測試經(jīng)過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過針測的方式對每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。
6、封裝將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式,這就是同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式的原因。比如:DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。這里主要是由用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場形式等外圍因素來決定的。
7、芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y試,其又可分為一般測試和特殊測試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。
整合自:個(gè)人圖書館 西柚哆來咪 COOKIE餅干醬
審核編輯:金橋
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