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摘要

提供了清潔覆蓋半導(dǎo)體襯底的金屬區(qū)域的方法。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁從金屬區(qū)域去除材料的方法包括加熱金屬區(qū)域，由包含氫氣和二氧化碳的氣體形成等離子體，以及將金屬區(qū)域暴露于等離子體。

發(fā)明領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造，更具體地涉及剝離光致抗蝕劑和/或清潔半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬或金屬硅化物區(qū)域的方法。

發(fā)明背景

電互連技術(shù)通常需要金屬或其他導(dǎo)電層或區(qū)域之間的電連接，這些導(dǎo)電層或區(qū)域位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)或覆蓋在半導(dǎo)體襯底上的不同高度處。這種互連通常部分地通過蝕刻穿過絕緣材料到較低高度金屬層或金屬化區(qū)域的溝槽和/或接觸開口來進(jìn)行。例如，通常制造接觸開口以與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的金屬硅化物區(qū)域形成導(dǎo)電接觸。溝槽和接觸開口也常規(guī)地制造到各種金屬層以最終將一個(gè)高度上的一個(gè)半導(dǎo)體器件元件連接到另一個(gè)高度上的另一個(gè)半導(dǎo)體器件元件。

審核編輯：符乾江

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半導(dǎo)體

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光刻膠

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