用上4nm工藝！高通Wear 5100最新參數(shù)曝光

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）2月22日，有國(guó)外媒體在網(wǎng)上披露了高通正處于開發(fā)階段的兩款可穿戴處理器芯片相關(guān)信息。據(jù)悉，這兩款芯片將會(huì)被命名為Snapdragon Wear 5100和5100+。

目前該系列處理器芯片已經(jīng)采用5nm工藝進(jìn)行試生產(chǎn)，報(bào)道中明確地指出，該系列芯片到收尾階段將會(huì)以4nm工藝呈現(xiàn)，預(yù)計(jì)將會(huì)交由三星代工。與前代產(chǎn)品Wear 4100的12nm工藝相比，Wear 5100系列在生產(chǎn)工藝方面有著顯著的提升，芯片的性能和功耗有望得到新的突破。并且這兩款芯片將同時(shí)支持Android和Wear OS兩個(gè)操作系統(tǒng)。

Wear 5100系列芯片均采用了4顆基于ARM架構(gòu)的Cortex-A53內(nèi)核，峰值頻率可達(dá)1.7GHz的CPU，與前代產(chǎn)品Wear 4100使用的處理器內(nèi)核一致。不過(guò)在圖形處理能力方面，Wear 5100系列采用了1顆峰值頻率可達(dá)700MHz的Adreno 702 GPU，與Wear 4100的320MHz Adreno 504相比，這將會(huì)是高通在可穿戴處理器芯片圖形處理方面邁出的一大步。并且該系列芯片
并沒有保留延用了兩代產(chǎn)品的LPDDR3內(nèi)存技術(shù)，而是采用了讀寫速率更快的LPDDR4X RAM和eMMC 5.1閃存，其中LPDDR4X RAM最高支持4Gb內(nèi)存擴(kuò)展，內(nèi)存將會(huì)以堆疊的形式集成在芯片上。

由于該系列芯片是面向可穿戴設(shè)備應(yīng)用開發(fā)的處理器芯片，為滿足在智能手表的應(yīng)用中，視頻錄像或圖片拍攝的功能需求，高通在這兩款芯片中內(nèi)置了一個(gè)集成式的ISP，該ISP最高支持兩個(gè)圖像傳感器的信號(hào)輸入，每個(gè)圖像傳感器的最大分辨率為1300萬(wàn)和1600萬(wàn)像素。在啟用單攝像頭的情況下支持1080P的視頻錄制，在雙攝像頭同時(shí)啟用的情況下，支持最高分辨率為720P每秒30幀的視頻錄制。

以上是Wear 5100與Wear 5100+的相同之處，不同之處在于二者所采用的封裝工藝。Wear 5100采用的是模塑激光封裝（MLP），SoC和PMIC分別位于載體材料上，而Wear 5100+采用的是模塑嵌入式封裝（MEP），將SoC與PMIC集成在同一封裝內(nèi)，設(shè)計(jì)更為緊湊。

并且Wear 5100+繼續(xù)沿用了主SoC+協(xié)處理器的系統(tǒng)架構(gòu)，協(xié)處理器采用的是此前發(fā)布的QCC5100，其具有藍(lán)牙和Wi-Fi連接功能，可在單芯片運(yùn)行情況下進(jìn)行數(shù)據(jù)的處理。該處理器采用的是22nm的生產(chǎn)工藝，以及基于ARM的Cortex-M55超低功耗內(nèi)核。

在該設(shè)計(jì)架構(gòu)中，協(xié)處理器將會(huì)保持著始終在線的狀態(tài)，當(dāng)主處理器處于工作狀態(tài)時(shí)，協(xié)處理器可以輔助完成一些輕量級(jí)的數(shù)據(jù)處理，當(dāng)主處理器處于深度睡眠模式時(shí)，QCC5100將會(huì)保持藍(lán)牙與WiFi的穩(wěn)定連接，實(shí)現(xiàn)在非交互的狀態(tài)下保證信息的實(shí)時(shí)更新。同時(shí)協(xié)處理器還具備獨(dú)立的GPU和屏幕驅(qū)動(dòng)功能，即使主處理器在深度睡眠狀態(tài)下依舊能實(shí)現(xiàn)屏幕喚醒的操作?；赒CC5100內(nèi)置的ARM Ethos機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核，可以做到無(wú)需主處理機(jī)即可實(shí)現(xiàn)睡眠關(guān)注和全天候心率監(jiān)測(cè)等功能，并降低電池電量的消耗。

總的來(lái)說(shuō)，Wear 5100+的“+”就是采用的封裝工藝不同，同時(shí)還多了一個(gè)協(xié)處理器增強(qiáng)芯片的整體性能，能夠?qū)崿F(xiàn)更低功耗的數(shù)據(jù)傳輸功能，以及延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航能力和電池使用壽命。

在芯片設(shè)計(jì)方面，Wear 5100系列沿用了很多歷代產(chǎn)品的設(shè)計(jì)架構(gòu)，并且歷代產(chǎn)品的推出時(shí)間間隔也大多為兩年，盡管可穿戴設(shè)備芯片并不像手機(jī)SoC迭代節(jié)奏那么快，但也是時(shí)候要更新了。據(jù)爆料稱，Wear 5100系列有望在今年推出市場(chǎng)，但具體時(shí)間尚未確定，畢竟該系列芯片目前還處于研發(fā)階段。

結(jié)語(yǔ)

通過(guò)各項(xiàng)參數(shù)與歷代產(chǎn)品對(duì)比發(fā)現(xiàn)，高通新一代的可穿戴處理器在性能和功耗方面均有不小的提升，尤其是采用了4nm的生產(chǎn)工藝和超低功耗的協(xié)處理器內(nèi)核，這可能將會(huì)是高通在可穿戴處理器方面對(duì)電池最為友好的一款產(chǎn)品了，也符合了可穿戴芯片低功耗的發(fā)展需求。畢竟作為一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片設(shè)計(jì)廠商，為延長(zhǎng)可穿戴設(shè)備的電池續(xù)航能力，無(wú)法控制終端設(shè)備的電池容量，那就只能從降低芯片功耗入手了。