東芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開(kāi)關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾（EMI）。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。

與此同時(shí)，東芝還提供各類工具，為開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)提供支持。除了能快速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型，現(xiàn)在還提供能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過(guò)減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。