實(shí)現(xiàn)7nm產(chǎn)能,國(guó)內(nèi)90%芯片需求將無(wú)限供應(yīng)!
在芯片成型的整個(gè)過(guò)程中,最關(guān)鍵、最難的在于制程工藝上,雖然全球范圍內(nèi)也有很多芯片制造廠商,但能夠?qū)崿F(xiàn)7nm以下工藝的,卻只有臺(tái)積電以及三星。
在摩爾定律極限之下,雖然兩家公司都將實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝,但卻也伴隨著發(fā)熱嚴(yán)重、功耗大等等問(wèn)題,導(dǎo)致在性能的提升上也極其地有限。
雖然臺(tái)積電此前表態(tài),將會(huì)在2025年實(shí)現(xiàn)2nm的工藝,但其中存在著諸多的不確定性,傳統(tǒng)的硅基芯片時(shí)代,也即將走向終點(diǎn),需要新技術(shù)和新工藝的誕生,才能夠讓芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)地發(fā)展下去。
目前臺(tái)積電也調(diào)整了技術(shù)方向,后續(xù)將會(huì)把重心放在先進(jìn)封裝工藝上,不僅能夠擺脫對(duì)***的依賴,還能夠有效地縮減成本,而基于封裝工藝的“雙芯疊加”技術(shù),目前已經(jīng)得到了市場(chǎng)的認(rèn)證,這也是后續(xù)華為的方向。
國(guó)產(chǎn)工藝水平
由于國(guó)內(nèi)工業(yè)制造水平較為薄弱,導(dǎo)致了華為海思設(shè)計(jì)的尖端芯片,難以完成本土自主化制造,華為所面臨的芯片供應(yīng)問(wèn)題,同樣也是整個(gè)中國(guó)芯片領(lǐng)域的縮影。
現(xiàn)階段中國(guó)能夠?qū)崿F(xiàn)的量產(chǎn)工藝為14nm,雖然在良品率上等同于臺(tái)積電,但依然要高度依賴于ASML的DUV***,而中芯國(guó)際利用現(xiàn)有的資源,利用特殊的工藝也算是實(shí)現(xiàn)了不亞于7nm性能的芯片!
目前中芯國(guó)際初代的N+1工藝芯片,已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了小規(guī)模的量產(chǎn),目前已經(jīng)在推進(jìn)N+2工藝的研發(fā)了,在成功實(shí)現(xiàn)之后,在邏輯面積上將無(wú)限接近于臺(tái)積電的7nm芯片,目前已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的狀態(tài)了。
而一旦能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片的國(guó)產(chǎn)化,就意味著國(guó)內(nèi)超過(guò)90%的需求已經(jīng)能夠滿足了,芯片的供應(yīng)也不會(huì)再中斷。
而7nm及以上的制程芯片,也占據(jù)了全球市場(chǎng)90%以上的份額,5nm及以下的芯片,就目前而言,市場(chǎng)需求量并不是很大,基本只用于手機(jī)、電腦等等智能電子產(chǎn)品上,傳統(tǒng)工業(yè)依然依賴于成熟的制程工藝。
成熟工藝的重要性
華為除了手機(jī)業(yè)務(wù)之外,對(duì)芯片的需求基本維持在7nm以上,華為本身就是一家通訊企業(yè),只要能夠保證5G業(yè)務(wù)的正常開展,就能夠很好地在國(guó)際市場(chǎng)上保持競(jìng)爭(zhēng)力,也能夠擁有足夠多的營(yíng)收,維持研發(fā)經(jīng)費(fèi)的投入。
在鴻蒙系統(tǒng)誕生之后,萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代常被提及,而在這個(gè)范圍內(nèi),對(duì)于芯片的需求,基本維持在14nm左右,包括目前處于風(fēng)口的智能汽車領(lǐng)域,芯片需求也基本維持在這個(gè)水平。
因此只要國(guó)內(nèi)能夠完成,對(duì)于7nm芯片的完全自主化,那么就不用擔(dān)心受到相關(guān)限制的困擾了,國(guó)內(nèi)超過(guò)九層的芯片都能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)限制生產(chǎn)。
而這樣的數(shù)據(jù)也不是毫無(wú)根據(jù)的,據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年芯片消耗量達(dá)到了1.15萬(wàn)億元,其中有80%是來(lái)自14nm及以上芯片,而7nm芯片則占據(jù)了10%的市場(chǎng)份額,也就意味著超過(guò)90%的市場(chǎng)需求,來(lái)源于7nm及以下芯片。
而正是因?yàn)槲覀兪褂玫氖謾C(jī),才造成了5nm芯片需求量大的假象,實(shí)則除了數(shù)碼產(chǎn)品之外,基本找不到使用這么高端芯片的領(lǐng)域了。
芯片領(lǐng)域正在面臨轉(zhuǎn)型
臺(tái)積電并沒(méi)有預(yù)定ASML最新的***,其中就釋放出了一定的信號(hào),在后續(xù)幾年芯片領(lǐng)域?qū)l(fā)生很大的變革。
臺(tái)積電此前就聯(lián)合英特爾成立了“小芯片聯(lián)盟”,目前包括三星、高通、蘋果等等企業(yè),都已經(jīng)加入了這個(gè)聯(lián)盟內(nèi),而成立這個(gè)聯(lián)盟的目的,就是利用先進(jìn)的封裝技術(shù),在降低芯片成本的同時(shí),還能夠有效地提升芯片性能。
目前“芯片堆疊”方式已經(jīng)取得了初步成效,在蘋果的M1 Ultra芯片上實(shí)驗(yàn)成功,將兩顆芯片堆疊在一起,成功實(shí)現(xiàn)了性能的翻倍,如果將此項(xiàng)工藝用于7nm芯片上,則可以有效提升芯片40%的性能。
而目前國(guó)內(nèi)即將完成對(duì)于14nm芯片的完全自主化,屆時(shí)再利用上“雙芯疊加”工藝,就可以利用兩顆14nm芯片,實(shí)現(xiàn)不亞于7nm芯片性能的芯片,基本上能夠滿足國(guó)內(nèi)的需求了,屆時(shí)就能夠真正實(shí)現(xiàn)九層芯片的無(wú)限制生產(chǎn)了。
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