意法半導(dǎo)體和MACOM成功開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破

·產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo)，現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測(cè)試階段

·實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展

2019年5月19日，中國(guó)- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來(lái)巨大的發(fā)展?jié)摿Α３醮漕l功率放大器(PA)主要是采用存在已久的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) 射頻功率技術(shù)，而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來(lái)更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅(SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）終究不是一種主流半導(dǎo)體制造工藝，且還要考慮和高功率應(yīng)用爭(zhēng)奪SiC晶圓，這些都可能會(huì)導(dǎo)致其成本更加昂貴。而意法半導(dǎo)體和MACOM 正在開(kāi)發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術(shù)可以集成到標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工業(yè)中，在實(shí)現(xiàn)具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能的同時(shí)，也有望帶來(lái)巨大的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益。

意法半導(dǎo)體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關(guān)器件已達(dá)到成本和性能目標(biāo)，完全能夠與市場(chǎng)上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)展開(kāi)有效競(jìng)爭(zhēng)?，F(xiàn)在，這些原型即將進(jìn)入下一個(gè)重要階段——認(rèn)證測(cè)試和量產(chǎn)。意法半導(dǎo)體計(jì)劃將在2022 年實(shí)現(xiàn)這一新的里程碑。為取得這一進(jìn)展，意法半導(dǎo)體和MACOM 已著手研究如何加大投入力度，以加快先進(jìn)的射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。

意法半導(dǎo)體功率晶體管子產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁Edoardo Merli表示：“我們相信，這項(xiàng)技術(shù)的性能水平和工藝成熟度現(xiàn)已達(dá)到可以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施等大規(guī)模應(yīng)用帶來(lái)成本效益和供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)。射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化是我們與MACOM 合作的下一個(gè)重要目標(biāo)，隨著合作項(xiàng)目不斷取得進(jìn)展，我們期待著釋放這一激動(dòng)人心的技術(shù)的全部潛力?！?br />
MACOM 總裁兼首席執(zhí)行官Stephen G. Daly 表示：“我們推進(jìn)硅基氮化鎵技術(shù)商業(yè)化和量產(chǎn)工作繼續(xù)取得良好進(jìn)展。我們與意法半導(dǎo)體的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分，相信我們可以在硅基氮化鎵技術(shù)可以發(fā)揮優(yōu)勢(shì)的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域贏得市場(chǎng)份額?！?/p>