摘要
溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而,粒子沉積和清除機(jī)制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機(jī)理酸性溶液的濃度,并隨著溶液pH值的增加而降低,在使用折痕。還研究了各種溶液中的顆粒去除效率。在大約0.05∶1∶5(0.05份nh4oh、1份H2O、5份H2O)的比率下,優(yōu)化了nh4oh-1-zO溶液中的nh4oh-1∶5的IH含量。在使用該比率的NHdOH-hzo tFt處理期間,通過(guò)表面微觀粗糙度測(cè)量的損傷沒(méi)有增加。
介紹
QT清洗技術(shù)將繼續(xù)在半導(dǎo)體器件的ULSI制造中發(fā)揮重要作用。隨著ULSI器件圖案密度的增加,需要濕法清洗工藝來(lái)去除越來(lái)越多的小顆粒,以便獲得更高的器件成品率和增強(qiáng)電路可靠性。為了盡量減少半導(dǎo)體晶片表面的微粒污染,有必要了解微粒沉積和去除的機(jī)理。諸如溶液中顆粒的數(shù)量、這些顆粒的ζ電勢(shì)和晶片表面的電勢(shì)等因素都是顆粒沉積和去除的重要因素。
結(jié)果與討論
A. 晶片表面上的顆粒沉積
在高酸性溶液中觀察到;它隨著溶液pH值的增加而降低。 顯示了眾所周知的pH值對(duì)FetO顆粒ζ電位的影響??梢钥闯觯瑘D1和圖2的曲線幾乎完全匹配。由于顆粒的ζ電勢(shì)取決于溶液的pH值,因此溶液的pH值是決定顆粒在晶片表面沉積的最重要因素之一。
隨著超大規(guī)模集成電路器件圖形密度的增加,為了獲得更高的器件成品率和提高電路的可靠性,需要在不增加表面微觀粗糙度的情況下,采用濕法清洗工藝從硅片表面去除更多更小的顆粒。
對(duì)于溶液中的粒子沉積機(jī)制,半導(dǎo)體晶片表面的行為可以用膠體科學(xué)的充分證明的原理來(lái)描述。首先,晶片表面的污染水平與工藝流體的離子強(qiáng)度有關(guān)。這意味著低離子強(qiáng)度和特定濃度的超純水對(duì)于濕法清洗過(guò)程是必不可少的。第二,在高離子強(qiáng)度酸性溶液中觀察到最大顆粒沉積,并隨著溶液pH值的變化而減少。酸性溶液中的顆粒濃度必須盡可能低。此外,堿性溶液必須足以從晶片表面去除顆粒。
為了在不增加表面微觀粗糙度的情況下建立無(wú)顆粒的晶片表面,使用減少NH4 H含量的NH4OH-H2O,H2溶液研究了顆粒去除效率。結(jié)果,我們發(fā)現(xiàn)顆粒去除效率是很高的
針對(duì)大約0.05 : 1 : 5的N H、OH含量?jī)?yōu)化(0.05份NH、OH、1份HCO、5份H2O)。這意味著NH4OH含量可以降低到傳統(tǒng)濃度的5 %,同時(shí)仍然保持高的顆粒去除效率,并且不增加表面微觀粗糙度。
審核編輯:符乾江
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