0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

微波暗室內(nèi)受雜散波干擾最小的區(qū)域

iIeQ_mwrfnet ? 來源:微波射頻網(wǎng) ? 作者:微波射頻網(wǎng) ? 2022-06-30 10:28 ? 次閱讀

靜區(qū):

所謂靜區(qū)就是指微波暗室內(nèi)受雜散波干擾最小的區(qū)域,也就是在短波通信中,自發(fā)射天線數(shù)十公里以外直至電離層把電波反射回地面以前的一個區(qū)域。

微波暗室靜區(qū)重要性:

暗室的電性能主要由靜區(qū)的特性來描述。靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的最大反射率電平、交叉極化度、場強(qiáng)均勻性、路徑損耗、固有雷達(dá)截面、工作頻率范圍等參數(shù)來描述。其中,靜區(qū)內(nèi)的最大反射率電平是主要因素。所以,設(shè)計一個暗室,必須給定靜區(qū)的性能指標(biāo),然后由此來決定暗室的尺寸、吸波材料的選擇等。由此可以看出靜區(qū)的性能指標(biāo)對微波暗室的搭建非常重要。

微波暗室靜區(qū)性能測試:

微波暗室用于天線測量。作為室內(nèi)測量,微波暗室應(yīng)能把發(fā)射天線直接輻射到接收天線主波束區(qū)以外的射頻能量,盡可能地吸收或改變其反射方向,使之不進(jìn)入接收天線的主波束區(qū),即在接收天線所在區(qū)域內(nèi)提供近似無反射的靜區(qū)。

測試方法:

靜區(qū)性能的核心指標(biāo)是反射電平,其它指標(biāo)本質(zhì)上均于反射電平有關(guān)。靜區(qū)反射電平可以采用自由空間電壓駐波比法來測量。

微波暗室是一個模擬的“自由空間”,由于暗室內(nèi)壁吸波材料吸收電磁波不完全,對于入射到它上面的電磁波始終存在著大小不同的反射,這些反射隨空間位置的不同而不同,它們與直射波矢量迭加后就形成了自由空間電壓駐波,其數(shù)量大小就反映了暗室空間反射電平的大小。

設(shè)Ed為來自源天線的直射波場強(qiáng),Er為等效反射波場強(qiáng),它與軸線夾角為θ。令接收天線方向圖在θ方向的電平為A(dB),則接收天線方向圖最大值旋轉(zhuǎn)到θ方向時,它在直射波方向收到的場強(qiáng)Ed’將為

Ed’=Ed×10A/20

設(shè)直射波Ed’和反射波Er同相和反相時檢測到的場強(qiáng)最大值和最小值分別用B(dB)和C(dB)來表示,則可分下列三種情況討論:

1)Er

B=20lg(Ed’+Er)/Ed’=20lg(Ed10A/20+Er)/Ed10A/20

C=20lg(Ed’-Er)/Ed’=20lg(Ed10A/20-Er)/Ed10A/20

則暗室反射電平Γ為

Γ=20lg(Er/Ed)=A+20lg[(10(B-C)/20-1)/(10(B-C)/20+1)]

2)Er=Ed’時

Γ=A

3)Er>Ed’時

同理可得

Γ=20lg(Er/Ed)=A+20lg[(10(B-C)/20+1)/(10(B-C)/20-1)]

因此,只要測出空間駐波曲線和接收天線的方向圖,就可以按上述三類情況計算出反射電平。Er和Ed’的大小判別方法是:由于Ed’隨天線的移動有規(guī)律變化,Er無規(guī)律變化,在某一取向角上,如果實(shí)測空間駐波曲線的平均值出現(xiàn)無規(guī)律的變化,就能判別Er>Ed’,或在這個取向角上,實(shí)測空間駐波曲線的平均電平比在這個取向角上方向圖電平高,也能判別Er>Ed’。

天線的近場區(qū)和遠(yuǎn)場區(qū):

著微波暗室搭建成功,就可以用于我們的天線測量,圍繞著天線的場可以劃分為兩個主要的區(qū)域:接近天線的區(qū)域稱為近場或者菲斯涅耳(Fresnel)區(qū),離天線較遠(yuǎn)的稱為遠(yuǎn)場或弗朗霍法(Fraunhofer)區(qū)。參考下圖,兩區(qū)的分界線可取為半徑R=2L2/λ(m)

其中,L是天線的最大尺寸(米),λ是波長(米)。

094c60f6-f803-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

在遠(yuǎn)場或弗朗霍法(Fraunhofer)區(qū),測量到的場分量處于以天線為中心的徑向的橫截面上,并且所有的功率流(更確切地說是能量流)都是沿徑向向外的。在遠(yuǎn)場,場波瓣圖的形狀與到天線的距離無關(guān)。在近場或者菲斯涅耳(Fresnel)區(qū),電場有明顯的縱向(或者徑向)分量,而功率流則不是完全徑向的。在近場,一般來說場波瓣圖的形狀取決于到天線的距離。

如果如下圖所示用想象的球面邊界包裹住天線,則在接近球面極點(diǎn)的區(qū)域可以視為反射器。另一方面,以垂直于偶極子方向擴(kuò)散的波在赤道區(qū)域產(chǎn)生了穿透球面的功率泄漏,就好像這個區(qū)域是部分透明一樣。

0961d1a2-f803-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

這導(dǎo)致了天線附近的能量往返振蕩伴隨赤道區(qū)域的向外能量流的情況。外流的功率決定了天線輻射出去的功率,而往返振蕩的功率代表了無效功率——被限制在天線附近,就像一個諧振器。

天線周圍場劃分:

通常,天線周圍場,劃分為三個區(qū)域:無功所場區(qū),輻射近場區(qū)和輻射遠(yuǎn)場區(qū)。

射頻信號加載到天線后,緊鄰天線除了輻射場之外,還有一個非輻射場。該場與距離的高次冪成反比,隨著離開天線的距離增大迅速減小。在這個區(qū)域,由于電抗場占優(yōu)勢,因而將此區(qū)域稱為電抗近場區(qū),它的外界約為一個波長。超過電抗近場區(qū)就到了輻射場區(qū),按照與天線距離的遠(yuǎn)近,又把輻射場區(qū)分為輻射近場區(qū)和輻射遠(yuǎn)場區(qū)。

097241ae-f803-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

無功近場區(qū):

又稱為電抗近場區(qū),是天線輻射場中緊鄰天線口徑的一個近場區(qū)域。在該區(qū)域中,電抗性儲能場占支配地位,該區(qū)域的界限通常取為距天線口徑表面λ/2π處。從物理概念上講,無功近場區(qū)是一個儲能場,其中的電場與磁場的轉(zhuǎn)換類似于變壓器中的電場、磁場之間的轉(zhuǎn)換,是一種感應(yīng)場。

輻射近場區(qū):

超過電抗近場區(qū)就到了輻射場區(qū),輻射場區(qū)的電磁場已經(jīng)脫離了天線的束縛,并作為電磁波進(jìn)入空間。按照與天線距離的遠(yuǎn)近,又把輻射場區(qū)分為輻射近場區(qū)和輻射遠(yuǎn)場區(qū)。在輻射近場區(qū)中,輻射場占優(yōu)勢,并且輻射場的角度分布與距離天線口徑的距離有關(guān)。對于通常的天線,此區(qū)域也稱為菲涅爾區(qū)。

輻射遠(yuǎn)場區(qū):

通常所說的遠(yuǎn)場區(qū),又稱為夫朗荷費(fèi)區(qū)。在該區(qū)域中,輻射場的角分布與距離無關(guān)。嚴(yán)格地講,只有離天線無窮遠(yuǎn)處才能到達(dá)天線的遠(yuǎn)場區(qū)。

公認(rèn)為,輻射近場區(qū)與遠(yuǎn)場區(qū)的分界距離R為:2D*D/λ。見下圖

0981843e-f803-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

其中,圖是的D為天線直徑;為天線波長,D>>λ。

要進(jìn)一步說明的是:輻射場中,能量是以電磁波形式向外傳播,無功近場中射頻能量以磁場、電場形式相互轉(zhuǎn)換,并不向外傳播。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電磁波
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    1431

    瀏覽量

    53660
  • 微波暗室
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    5977

原文標(biāo)題:微波暗室靜區(qū)及天線近場和遠(yuǎn)場的介紹

文章出處:【微信號:mwrfnet,微信公眾號:微波射頻網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    時鐘對高速DAC性能的影響

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《時鐘對高速DAC性能的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-17 11:10 ?0次下載
    時鐘<b class='flag-5'>雜</b><b class='flag-5'>散</b>對高速DAC性能的影響

    深入解析晶振時鐘信號干擾源:寄生電容、電容與分布電容

    在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中,晶振時鐘信號的高頻特性使得其容易受到各種干擾。其中,寄生電容、電容和分布電容是影響晶振時鐘信號穩(wěn)定性的主要因素。晶發(fā)電子將詳細(xì)分析這三種電容的特性、影響及相應(yīng)的解決措施
    發(fā)表于 09-26 14:49

    LMX2531整數(shù)優(yōu)化的案例分析

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LMX2531整數(shù)優(yōu)化的案例分析.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-27 09:21 ?0次下載
    LMX2531整數(shù)<b class='flag-5'>雜</b><b class='flag-5'>散</b>優(yōu)化的案例分析

    一文詳解電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

    IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和元件。
    的頭像 發(fā)表于 03-08 10:11 ?1586次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>雜</b><b class='flag-5'>散</b>電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

    變頻器控制引起的電機(jī)軸電壓

    變頻器控制引起的電機(jī)軸電壓? 變頻器(簡稱VFD)是通過調(diào)整輸入電源頻率和電壓來控制電機(jī)轉(zhuǎn)速的裝置。它在工業(yè)控制應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用,可以提高能效和精度,并減少能源消耗。然而,變頻器控制引起的電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 02-01 14:08 ?786次閱讀

    電波暗室的屏蔽原理是什么?

    電波暗室利用外殼的金屬殼體以及內(nèi)部表面的鐵氧體和尖劈吸材料來實(shí)現(xiàn)對電磁的屏蔽,阻止外部電磁進(jìn)入或內(nèi)部電磁
    的頭像 發(fā)表于 12-29 10:13 ?1135次閱讀
    電波<b class='flag-5'>暗室</b>的屏蔽原理是什么?

    如何使用頻譜分析儀來觀察和分析信號?

    如何使用頻譜分析儀來觀察和分析信號? 頻譜分析儀是一種廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域的儀器,用于觀察和分析信號的頻譜特性。它可以幫助工程師們檢測和排除信號中的信號,確保設(shè)備的正常工作和無
    的頭像 發(fā)表于 12-21 15:37 ?1639次閱讀

    如何確定DDS輸出信號頻譜中的

    直接數(shù)據(jù)頻率合成器(DDS)因能產(chǎn)生頻率捷變且殘留相位噪聲性能卓越而著稱。另外,多數(shù)用戶都很清楚DDS輸出頻譜中存在的噪聲,比如相位截斷以及與相位-幅度轉(zhuǎn)換過程相關(guān)的
    發(fā)表于 12-15 07:38

    AD9288中頻采樣出現(xiàn)很多如何解決?

    用AD9288做GPS中頻采樣,當(dāng)輸入一個中頻15MHz -10dBm的電頻干擾時,62MHz采樣時鐘,對62000采樣數(shù)據(jù)做FFT處理,發(fā)現(xiàn)幅度譜在干擾頻率附近有很多,如何解決?
    發(fā)表于 12-12 08:21

    AD9467采集信號的如何消除?

    各位大牛,請教一下。我現(xiàn)在用AD9467-250,采樣時鐘用AD9517-3出的200MHz,采集70M、0dBm單音信號。頻譜上出現(xiàn)較多的。ADC前端電路按照AD9467手冊推薦的設(shè)計。ADC
    發(fā)表于 12-08 06:52

    使用AD9783時遇到的問題如何解決?

    每隔3KHz存在,無法通過降低信號功率,改變時鐘數(shù)據(jù)相位來改善 更改參考時鐘為60MHz,間隔變?yōu)?5K 更改參考時鐘為20MHz是,
    發(fā)表于 12-07 07:09

    AD9164問題如何解決?

    出現(xiàn)一個與基帶信號相關(guān)的點(diǎn)幅度-50dBm左右,影響了射頻輸出的Sfdr。具體現(xiàn)象: 輸出2.2ghz點(diǎn)頻時,點(diǎn)在2.6GHz 輸出2.3ghz點(diǎn)頻時,
    發(fā)表于 12-04 07:39

    建造半電波暗室需要考慮哪些因素?

    半電波暗室又稱**電磁兼容暗室,類似于全電波暗室。目前已廣泛應(yīng)用于各行各業(yè),主要用于電磁輻射騷擾測量和電磁輻射敏感度測量,而不是無電磁干擾
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:09 ?702次閱讀

    高速TIA如何減小電容Cstrayne ?

    對于高速TIA的PCB來說,最大的挑戰(zhàn)就是如何減小電容Cstray了** 。這是為什么呢?假如帶寬很高,增益很高,那么Cf可能需要設(shè)置在如0.5pF,而普通貼片電阻的電容就有0
    的頭像 發(fā)表于 11-01 10:59 ?1012次閱讀
    高速TIA如何減小<b class='flag-5'>雜</b><b class='flag-5'>散</b>電容Cstrayne ?

    什么是無動態(tài)范圍 (SFDR)?為什么SFDR很重要?

    什么是無動態(tài)范圍 (SFDR)?為什么SFDR很重要? 無動態(tài)范圍(SFDR)是指模擬信號中最大的無
    的頭像 發(fā)表于 10-31 09:34 ?6856次閱讀