IGBT晶圓的應(yīng)用說(shuō)明

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。

晶圓

晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來(lái)越小，加工及測(cè)量設(shè)備越來(lái)越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時(shí)，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時(shí)，空氣中的顆粒數(shù)對(duì)晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。

隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸越來(lái)越小，互連層數(shù)越來(lái)越多，晶圓直徑也不斷增大。要實(shí)現(xiàn)多層布線(xiàn)，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù)，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD/CVD一起被稱(chēng)為IC制造最核心的五大關(guān)鍵技術(shù)。

IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P

由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)；低開(kāi)關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。

IGBT芯片經(jīng)歷了一系列的迭代過(guò)程從PT技術(shù)向NPT技術(shù)，再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí)，使芯片變薄，降低了熱阻，并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引入；持續(xù)降低了Vce，并提高了功率密度；通過(guò)表面金屬及鈍化層優(yōu)化，可滿(mǎn)足車(chē)用的高可靠性要求。

FS生產(chǎn)工藝以輕摻雜N-區(qū)熔單晶硅作為起始材料，完成正面元胞制作之后再進(jìn)行背面工藝。在硅片減薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+ buffer, 最后注入硼，形成P+ collector, 激活雜質(zhì)后再淀積金屬鋁。

FS相對(duì)于NPT而言，背面增加了N型注入、硅片更薄，硅片在加工過(guò)程中的碎片率上升。更薄的N-區(qū)電阻小，使VCESAT更低；更薄N-層導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)的過(guò)剩載流子總量少，使關(guān)斷時(shí)間及關(guān)斷損耗減少。

臺(tái)灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進(jìn)入新能源汽車(chē)、充電樁、電池管理以及光伏逆變等領(lǐng)域，并受到客戶(hù)的青睞，ISWEEK工采網(wǎng)擁有一整套完整的解決方案，歡迎致電咨詢(xún)。

審核編輯：湯梓紅