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車規(guī)功率器件市場(chǎng)國(guó)內(nèi)主要玩家

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:程文智 ? 2022-07-28 09:29 ? 次閱讀
(文/程文智)根據(jù)乘聯(lián)會(huì)的統(tǒng)計(jì),6月份新能源汽車零售量53.2萬輛,同比增長(zhǎng)187%,滲透率達(dá)到了27.4%,預(yù)計(jì)2022年中國(guó)新能源汽車出貨量可達(dá)585萬輛,行業(yè)呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。新能源汽車的銷量節(jié)節(jié)攀升,帶動(dòng)了MOSFET、IGBT及SiC等車規(guī)級(jí)功率器件需求的快速增長(zhǎng)。

據(jù)市場(chǎng)反饋,應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子2022Q2市場(chǎng)行情報(bào)告,功率器件(MOSFET,IGBT)多數(shù)貨期在30~60周,且仍有上升的趨勢(shì)。

SiC MOSFET則出現(xiàn)了供不應(yīng)求的情況,特別是隨著蔚來ET5、ET7、小鵬G9等搭載了SiC車型的交付和放量,對(duì)SiC MOSFET的需求將會(huì)激增,而襯底和晶圓廠技術(shù)壁壘高,產(chǎn)能擴(kuò)張慢,需求將可能難以被滿足。畢竟積塔、臺(tái)灣漢磊、X-Fab等SiC MOSFET晶圓代工廠的產(chǎn)能已經(jīng)很緊張了,需求增大,只能進(jìn)一步加劇緊缺。

國(guó)際廠商的車規(guī)級(jí)功率器件緊缺已經(jīng)是不可避免,據(jù)小編所知,英飛凌的IGBT自2018年新能源汽車起來后,就沒有哪一年不緊張過。那么國(guó)產(chǎn)的車規(guī)級(jí)功率器件有哪些廠商可以提供,目前是什么狀態(tài)了呢?

根據(jù)NE時(shí)代數(shù)據(jù),2022年1~6月我國(guó)新能源汽車中,僅上險(xiǎn)汽車的電控裝機(jī)就有231萬套,比去年同期增加了近1倍,其中有29萬多套的低壓MOSFET車型,201萬套的中高壓功率模塊車型。這就意味著今年半年,功率模塊企業(yè)就要交付去年一整年的交付量,交付壓力可想而知。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),排名前十的交付企業(yè)有,英飛凌53.3萬套、比亞迪半導(dǎo)體39.3萬套、斯達(dá)半導(dǎo)體34.2萬套、時(shí)代電氣22.6萬套、ST 19.8萬套、安森美12.4萬套、博世(含聯(lián)合電子)8.2萬套、富士電機(jī)4.7萬套、博格華納3.1萬套、日立1.5萬套。

斯達(dá)半導(dǎo)體:A級(jí)車出貨占比提升,SiC布局初現(xiàn)成果

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新能源汽車的心臟,而IGBT是其核心器件,IGBT可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電后,驅(qū)動(dòng)汽車電機(jī),其成本占電機(jī)控制器總成本的40%左右。根據(jù)車型的不同,單車IGBT價(jià)值在800元~4000元之間,當(dāng)前平均價(jià)值約為1800元。

2021年,斯達(dá)半導(dǎo)體在新能源汽車業(yè)務(wù)營(yíng)收約為5億元,主要配套為A00級(jí)汽車,數(shù)量在20萬左右。今年車規(guī)級(jí)IGBT持續(xù)放量,配套車型也覆蓋到了A00級(jí)到B+級(jí)車型,且今年有望逐步提高A+級(jí)車型配套占比。

2021年,斯達(dá)半導(dǎo)提新增了多個(gè)使用全SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),而SiC模組的價(jià)格是同等硅基IGBT的3~5倍,SiC模塊的布局將豐富斯達(dá)半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu),提升產(chǎn)品單價(jià)。

據(jù)此前斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布的公告,截至2021年9月,SiC產(chǎn)品在手訂單達(dá)3.4億元,交貨期在2022~2023年,故2022年斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)SiC產(chǎn)品有望大規(guī)模起量。斯達(dá)半導(dǎo)體的SiC模塊采用的是羅姆芯片,目前在給小鵬P9和宇通客車供貨,且與蔚來、理想、紅旗也在談合作,目前主要在測(cè)試階段。

而且,斯達(dá)半導(dǎo)體在2021年公告了35億定增項(xiàng)目方案,用于大功率IGBT芯片、SiC芯片產(chǎn)線等項(xiàng)目的建設(shè)。項(xiàng)目完成有望使得:1)公司具備3300V及以上IGBT模塊的供應(yīng)能力,可進(jìn)一步拓寬公司在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域的產(chǎn)品實(shí)力;2)公司將擁有自主的車規(guī)SiC MOSFET芯片,從而提升車規(guī)級(jí)SiC模塊的產(chǎn)能保障能力。2023年項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后有望一方面助力公司在大功率IGBT領(lǐng)域的拓展,一方面鞏固公司在新能源車/SiC領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。

從客戶方面來看,斯達(dá)半導(dǎo)體的主要客戶包括匯川技術(shù)、上海電驅(qū)動(dòng)、巨一動(dòng)力等電控領(lǐng)域的主要玩家,而這些電控廠商的服務(wù)客戶包括小鵬、理想、奇瑞、長(zhǎng)城、廣汽、長(zhǎng)安和宇通客車等。

新潔能:汽車MOSFET快速上量


新潔能的主要產(chǎn)品為MOSFET和IGBT等功率器件。近年來,其營(yíng)收結(jié)構(gòu)中,低壓的溝槽型MOSFET占比逐漸降低,更高端的屏蔽柵(SGT)MOSFET占比逐漸提高,且IGBT業(yè)務(wù)在2021年取得突破,營(yíng)收占比大幅增加至5.4%。

汽車電子領(lǐng)域,2021年,新潔能導(dǎo)入了比亞迪,實(shí)現(xiàn)了十幾款產(chǎn)品的大批量供應(yīng);光伏領(lǐng)域,IGBT和MOSFFET產(chǎn)品在光伏逆變器,光伏儲(chǔ)能國(guó)內(nèi)主要的頭部企業(yè)均實(shí)現(xiàn)大批量銷售,有望成為今年重要增長(zhǎng)點(diǎn)。

產(chǎn)品機(jī)構(gòu)化升級(jí)方面,新潔能12寸1200V IGBT產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),在光伏逆變器行業(yè)多家典型客戶大批量應(yīng)用;1200V新能源車用SiC MOSFET產(chǎn)品首次流片驗(yàn)證完成;多款車用功率器件產(chǎn)品獲得了AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。

此外,在未來投入方面,2021年11月12日公司發(fā)布公告,擬募集資金總額不超過145,000.00萬元,投入建設(shè)SiC&GaN功率器件及封測(cè)/功率驅(qū)動(dòng)IC及IPM研發(fā),及產(chǎn)業(yè)化/SiC&IGBT&MOS等功率集成模塊(含車規(guī))研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。該募投項(xiàng)目在2022年5月17日獲證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)。

時(shí)代電氣:車規(guī)IGBT開始供貨

時(shí)代電氣是中國(guó)中車旗下股份制企業(yè),涵蓋軌交裝備、新興裝備等業(yè)務(wù),形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)。在軌交裝備中,其產(chǎn)品主要包括軌道交通電氣裝備、軌道工程機(jī)械、通信信號(hào)系統(tǒng)等。

時(shí)代電氣的新興裝備業(yè)務(wù)包括功率半導(dǎo)體、新能源汽車電驅(qū)、工業(yè)變流產(chǎn)品、傳感器件等,且營(yíng)收占比快速提升。新興裝備業(yè)務(wù)2021年收入占比達(dá)17%,環(huán)比增加5%。IGBT二期產(chǎn)能釋放將推動(dòng)新能源業(yè)務(wù)進(jìn)一步發(fā)展。時(shí)代電氣的IGBT模塊產(chǎn)品覆蓋電壓等級(jí)廣,并主要以高電壓等級(jí)的電網(wǎng)、新能源汽車、風(fēng)電、光伏應(yīng)用為主。截至2021年末,時(shí)代電氣擁有兩條8寸IGBT產(chǎn)線,一期和二期產(chǎn)線的設(shè)計(jì)產(chǎn)能分別為1、2萬片/月。

其IGBT二期產(chǎn)能在逐步爬坡中,預(yù)計(jì)在今年將釋放主要增量,從而推動(dòng)新能源領(lǐng)域業(yè)務(wù)快速發(fā)展。有機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2022年時(shí)代電氣新能源汽車用模塊出貨量將超100萬,且客戶不止國(guó)內(nèi)造車新勢(shì)力,可能會(huì)積極突破海外大廠。同時(shí),時(shí)代電氣的SiC產(chǎn)能和技術(shù)也在持續(xù)升級(jí),據(jù)悉,他們已經(jīng)開發(fā)出1200V SiC六單元模塊和基于該模塊的電機(jī)控制器。有望在年內(nèi)開始獲得小批量定單。

不久前發(fā)布的理想L9搭載的增程式動(dòng)力系統(tǒng),采用了智能四驅(qū),前驅(qū)動(dòng)電機(jī)最大功率130kW,后驅(qū)動(dòng)電機(jī)最大功率為200kW??偣β?30kW;CLTC工況綜合續(xù)航里程1315km,純電續(xù)航里程215km,百公里加速5.3s。其車內(nèi)的IGBT模塊供應(yīng)商之一就是時(shí)代電氣。

士蘭微:大幅擴(kuò)產(chǎn)見成效

士蘭微在2003年就已經(jīng)上市,當(dāng)時(shí)就開始建設(shè)特殊工藝的生產(chǎn)線。其第一條生產(chǎn)線是5英寸的,2004年建了6英寸生產(chǎn)線,2017年3月,建成了8英寸的生產(chǎn)線,現(xiàn)在在廈門投資建設(shè)了12寸生產(chǎn)線。 是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的IDM廠商之一。

在IGBT方面,士蘭微在2017年8英寸生產(chǎn)線建好,2018年IGBT相關(guān)設(shè)備到場(chǎng)后,就開始積極推進(jìn)了,尤其是汽車模塊。其實(shí)IGBT芯片的開發(fā),國(guó)內(nèi)大概有兩類,一類叫HP one,一類叫HPD。其中,HP one對(duì)標(biāo)英飛凌第四代IGBT,HPD對(duì)標(biāo)英飛凌第五代IGBT。雖然僅是相差一代,但技術(shù)難度卻非常大。士蘭微2018年開始開發(fā)HPD芯片,2019年底左右,完成開發(fā),目前開發(fā)平臺(tái)已經(jīng)拓展到了1200V。

其車規(guī)級(jí)IGBT主要量產(chǎn)的是HP one封裝模塊,HPD車規(guī)模塊推出比較晚,還沒有量產(chǎn),預(yù)計(jì)10月份才開始有產(chǎn)能,不過HPD模塊已經(jīng)通過了比亞迪的驗(yàn)證。其車規(guī)IGBT產(chǎn)品還得到了英搏爾、吉利等客戶的認(rèn)可,公司規(guī)劃在成都新建年產(chǎn)720萬只車規(guī)模塊產(chǎn)線。

SGT MOSFET方面,已經(jīng)在五菱宏光MINI上有應(yīng)用,據(jù)說一輛車至少要用72顆,多的甚至到了96顆,而士蘭微占了供應(yīng)的80%。

此外,其SiC單管和主驅(qū)模塊也已經(jīng)在給客戶送樣過程中。

長(zhǎng)期看,士蘭微擁有國(guó)內(nèi)產(chǎn)能規(guī)模領(lǐng)先的12寸產(chǎn)線,大尺寸晶圓+產(chǎn)能規(guī)模帶來成本優(yōu)勢(shì),長(zhǎng)期有望充分受益功率和模擬芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

宏微科技:車規(guī)級(jí)IGBT厚積薄發(fā)

宏微科技自2006年成立以來,一直從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,同時(shí)為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。目前,產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品100余種,IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種;應(yīng)用于工業(yè)控制變頻器、電焊機(jī)、UPS 電源等),新能源發(fā)電(光伏逆變器和風(fēng)能變流器),電動(dòng)汽車(電控系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)和充電樁)等領(lǐng)域。

在汽車領(lǐng)域,2021年宏微科技的400A/750V車用6單元IGBT模塊產(chǎn)品成功通過客戶認(rèn)證,已進(jìn)入小批量交付階段;820A750V車用6單元IGBT模塊產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型,客戶認(rèn)證及全自動(dòng)模塊生產(chǎn)線的導(dǎo)入工作,為大批量訂單交付做好了準(zhǔn)備;1500A/1200VSiC模塊產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)開發(fā)并通過客戶端測(cè)試驗(yàn)證。

結(jié)語

相較于去年,車用功率器件的國(guó)產(chǎn)化的程度已經(jīng)大幅提升,隨著各車企產(chǎn)能的提升,預(yù)計(jì)2022年下半年至2023年,將會(huì)迎來新能源汽車功率器件的國(guó)產(chǎn)替代高峰期。

另外,隨著800V高壓平臺(tái)在新能源汽車領(lǐng)域的采用,SiC等第三代半導(dǎo)體器件的應(yīng)用也將會(huì)水漲船高,目前SiC還沒有大規(guī)模裝車的原因,一是成本,現(xiàn)在SiC成本是IGBT成本的3~5倍;另一個(gè)是技術(shù)難度,目前很多電控廠商還沒有研究到位,電驅(qū)不好控制,另外模塊廠在封裝上也要繼續(xù)研究。總的來說,SiC應(yīng)用是一個(gè)系統(tǒng)性問題。






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    規(guī)級(jí)半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證

    因?yàn)槠囯妱?dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲,全球性的汽車芯片缺貨,以及國(guó)內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)獲得了前所未有的關(guān)注度。汽車電子產(chǎn)品的價(jià)格普遍比較貴,其中的主要原因之一就是使用了規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 11-28 09:59 ?382次閱讀

    規(guī)氮化鎵功率模塊

    建立合作關(guān)系,攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長(zhǎng)期保持著緊密的聯(lián)系,此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動(dòng)汽車(EV)上的應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 11-28 08:31 ?309次閱讀

    規(guī)MCU黃金賽道,本土玩家駛?cè)搿吧钏畢^(qū)”

    在汽車電子技術(shù)演進(jìn)和應(yīng)用升級(jí)的行業(yè)趨勢(shì)下,不斷催生汽車半導(dǎo)體新的需求,各類汽車電子零部件需求量均有不同程度地提高。其中,作為汽車從電動(dòng)化向智能化深度發(fā)展的關(guān)鍵元器件之一,規(guī)級(jí)MCU正迎來量?jī)r(jià)齊升的快速發(fā)展期。
    的頭像 發(fā)表于 11-23 17:26 ?873次閱讀
    <b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>MCU黃金賽道,本土<b class='flag-5'>玩家</b>駛?cè)搿吧钏畢^(qū)”

    規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體IGBT對(duì)比

    國(guó)內(nèi)各家(英飛凌、安森美)車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對(duì)比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級(jí),主要分為A0/A00級(jí)以下,A級(jí),還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀?b class='flag-5'>車。在2015年以前是沒有IGBT
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    <b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>級(jí)<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體IGBT對(duì)比