美日聯(lián)手共同研發(fā)2納米半導(dǎo)體芯片
7月29日，美國(guó)和日本啟動(dòng)了“2+2”部長(zhǎng)級(jí)對(duì)話的新經(jīng)濟(jì)版本。美國(guó)和日本宣布，他們將為新一代半導(dǎo)體研究成立一個(gè)“新的研發(fā)機(jī)構(gòu)”。
雖然雙方在會(huì)談后通過(guò)官方聲明沒(méi)有透露太多關(guān)于半導(dǎo)體領(lǐng)域“新研發(fā)院”的細(xì)節(jié)，但據(jù)日本媒體報(bào)道，該研究院將于今年年底在日本成立，以研究2納米半導(dǎo)體芯片。該研究所還將包括一條原型生產(chǎn)線，并將于2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。
根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省官方網(wǎng)站7月30日的公告，研發(fā)中心包括四所國(guó)立材料、新能源和工業(yè)技術(shù)研究院，以及東京大學(xué)和東北大學(xué)等日本頂尖大學(xué)。會(huì)談后，雙方發(fā)表聯(lián)合聲明，呼吁“維護(hù)印太地區(qū)的民主價(jià)值觀”，建立21世紀(jì)的國(guó)際秩序。聯(lián)合聲明沒(méi)有直接提到中國(guó)，但表示中國(guó)將“面對(duì)經(jīng)濟(jì)脅迫和非市場(chǎng)政策”。
綜合觀察者網(wǎng)和第一財(cái)經(jīng)整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
452文章
50033瀏覽量
419886 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
26676瀏覽量
213052
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
類(lèi)比半導(dǎo)體與中石化物探院共同成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
在南京正式簽署合作協(xié)議，共同成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，旨在加速?lài)?guó)產(chǎn)化模擬芯片的研發(fā)與應(yīng)用，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主化進(jìn)程。
阿達(dá)尼集團(tuán)計(jì)劃與高塔半導(dǎo)體合作在印度建芯片廠
印度馬哈拉施特拉邦傳來(lái)重大投資消息，阿達(dá)尼集團(tuán)與以色列高科技企業(yè)高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，計(jì)劃在孟買(mǎi)郊區(qū)共同投資建設(shè)一座規(guī)模龐大的芯片制造廠。該項(xiàng)目
M31攜手高塔半導(dǎo)體，成功研發(fā)65納米低功耗存儲(chǔ)器解決方案
全球知名的矽智財(cái)解決方案提供商M31 Technology Corporation（簡(jiǎn)稱(chēng)M31）近日宣布，已成功攜手高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）完成了一項(xiàng)重要合作——共同研發(fā)
安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱(chēng)的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），
Rapidus與Esperanto聯(lián)手打造AI半導(dǎo)體，助力數(shù)據(jù)中心綠色化進(jìn)程
據(jù)悉，Rapidus計(jì)劃在2027年推出使用2納米工藝的最新半導(dǎo)體產(chǎn)品，可大幅度提升運(yùn)算性能并降低能源消耗。2023年9月，Rapidus在北海道千歲市啟動(dòng)了IIM（創(chuàng)新整合制造）生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，這將成為日本首家生產(chǎn)
摩芯半導(dǎo)體與安謀科技達(dá)成合作
近日，無(wú)錫摩芯半導(dǎo)體有限公司（摩芯半導(dǎo)體）與安謀科技（中國(guó)）有限公司（安謀科技）攜手合作，共同推進(jìn)車(chē)載芯片技術(shù)的發(fā)展。摩芯半導(dǎo)體依托Arm?
蔡司利用納米探針技術(shù)探索半導(dǎo)體微觀電學(xué)性能
半導(dǎo)體器件尺寸不斷縮小和復(fù)雜度增加，納米探針(Nanoprobing)技術(shù)成為解決微觀電學(xué)問(wèn)題和優(yōu)化器件性能的重要工具，成為半導(dǎo)體失效分析流程中越來(lái)越重要的一環(huán)。 隨著功率半導(dǎo)體的快速
半導(dǎo)體發(fā)展的四個(gè)時(shí)代
公司是這一歷史階段的先驅(qū)。現(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
發(fā)表于 03-27 16:17
半導(dǎo)體發(fā)展的四個(gè)時(shí)代
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
發(fā)表于 03-13 16:52
三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！
近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
半導(dǎo)體檢測(cè)分析廠商勝科納米IPO進(jìn)展更新
勝科納米（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“勝科納米”）作為一家半導(dǎo)體檢測(cè)分析廠商，近日在科創(chuàng)板上市的申請(qǐng)獲得了上交所的受理，并已回復(fù)審核問(wèn)詢函。據(jù)上交所發(fā)行上市審核官網(wǎng)顯示，勝科納米主要
半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)分析
后，這些芯片也將被同時(shí)加工出來(lái)。
材料介質(zhì)層參見(jiàn)圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對(duì)應(yīng)每一層的圖案，制造過(guò)程會(huì)在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱(chēng)之為材料介質(zhì)
發(fā)表于 01-02 17:08
氮化鎵半導(dǎo)體芯片和芯片區(qū)別
氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首
佳能推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備
對(duì)于納米壓印技術(shù)，佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)部巖本和德介紹道，它是通過(guò)將刻有半導(dǎo)體電路圖的掩膜壓制于晶圓之上完成二維或三維電路成型的過(guò)程。巖本進(jìn)一步補(bǔ)充道，若對(duì)掩膜進(jìn)行改良，將有可能實(shí)現(xiàn)2nm
日本Lapidus和法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)合作開(kāi)發(fā)1納米芯片技術(shù)
報(bào)道指出，在2nm芯片的量產(chǎn)上，Rapidus正和美國(guó)IBM、比利時(shí)半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)imec合作，且也考慮在1nm等級(jí)產(chǎn)品上和IBM進(jìn)行合作。預(yù)計(jì)在2030年代以后普及的1nm產(chǎn)品運(yùn)算性
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論