能源效率不斷需要進(jìn)一步優(yōu)化:這促使工業(yè)市場(chǎng)尋求不同的資源。
現(xiàn)在的半導(dǎo)體主要用硅和鍺生產(chǎn)。碳化硅 (SiC)已成為處理新型寬帶隙時(shí)最重要的資源,這要?dú)w功于其具有更低損耗和更高開關(guān)速度的特性。
碳化硅提供比硅更高的效率水平,這主要是由于能量損失和反向充電顯著降低。這導(dǎo)致在開啟和關(guān)閉階段需要更多的開關(guān)功率和更少的能量。較低的熱損失還可以去除冷卻系統(tǒng),從而減少空間、重量和基礎(chǔ)設(shè)施成本。隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用的不斷部署以及向云的遷移,提高能源密集型 IT 基礎(chǔ)設(shè)施的管理效率將變得越來(lái)越重要。
碳化硅比純硅具有更寬的帶寬,這使得技術(shù)即使在高工作溫度下也能使用。
寬帶隙參數(shù)
寬帶隙半導(dǎo)體的帶隙比硅或砷化鎵 (GaAs) 等常見半導(dǎo)體寬得多。這自然會(huì)轉(zhuǎn)化為更大的擊穿電場(chǎng),并轉(zhuǎn)化為在高溫下工作和降低輻射敏感性而不損失電氣特性的可能性。
隨著溫度的升高,價(jià)帶中電子的熱能也會(huì)增加,直到它們達(dá)到必要的能量(在一定溫度下)才能跳到導(dǎo)帶。在硅的情況下,該溫度約為 150°C;然而,在 WBG 半導(dǎo)體的情況下,這些值要高得多。
高擊穿電場(chǎng)提供更高的擊穿電壓。該電壓是擊穿體二極管被破壞時(shí)的值,并且不斷增加的電流在源極和漏極之間流動(dòng)。PN結(jié)二極管的擊穿電壓與擊穿電場(chǎng)成正比,而與材料的濃度成反比。
高電場(chǎng)為低得多的漂移區(qū)域提供了極好的摻雜水平和電阻。在擊穿電壓相同的情況下,漂移區(qū)的寬度與擊穿電場(chǎng)成反比。
另一個(gè)重要參數(shù)是漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻。分析前面的 PN 結(jié)二極管示例,我們可以看到導(dǎo)通電阻與單極元件的擊穿電場(chǎng)成反比。
較薄的半導(dǎo)體層涉及較低密度的少數(shù)電荷載流子,這是定義反向恢復(fù)電流的重要參數(shù)。事實(shí)上,在其他特性相同的情況下,具有更大芯片以支持更高電流的組件將具有更大的電荷,在傳導(dǎo)和阻斷之間經(jīng)歷瞬態(tài),因此將具有更大的反向恢復(fù)電流。半導(dǎo)體切換到高頻的能力與其飽和漂移速度成正比:碳化硅和氮化鎵的漂移速度是硅的兩倍。因此,后者可以在更高的頻率下安全地工作。此外,更高的飽和漂移率相當(dāng)于更快地去除電荷;這導(dǎo)致更短的恢復(fù)時(shí)間和更低的反向恢復(fù)電流。
在高溫和更寬的帶隙下工作的可能性還取決于材料的導(dǎo)熱性。評(píng)估熱阻的方法有多種:可以分析結(jié)與外殼之間的熱阻或結(jié)與環(huán)境之間的熱阻。
當(dāng)沒有連接外部散熱器時(shí),結(jié)和環(huán)境之間的熱阻是一個(gè)有用的參數(shù),例如在您想要比較不同封裝的熱性能的情況下。
可以使用品質(zhì)因數(shù)以與導(dǎo)通電阻和柵極輸入電荷之間的乘積成正比的方式來(lái)比較材料。這些參數(shù)分別決定導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,并相互關(guān)聯(lián);通常,較低電荷值的組件將具有略高的導(dǎo)通電阻。
碳化硅二極管
碳化硅二極管多為肖特基二極管。經(jīng)典的硅二極管基于 PN 結(jié)。在肖特基二極管中,金屬被 p 型半導(dǎo)體取代,形成金屬-半導(dǎo)體 (ms) 結(jié)或肖特基勢(shì)壘。這提供了低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度和低噪聲。肖特基二極管用于控制電路內(nèi)電流的流動(dòng)方向,使其僅從陽(yáng)極流向陰極。當(dāng)肖特基二極管處于未偏置狀態(tài)時(shí),自由電子將從 n 型半導(dǎo)體移動(dòng)到金屬,形成勢(shì)壘。在正向偏置狀態(tài)的情況下,如果電壓大于 0.2 V,電子可以穿過(guò)勢(shì)壘。
碳化硅二極管的漏電流遠(yuǎn)低于普通二極管。作為 WBG 半導(dǎo)體,碳化硅具有低得多的漏電流,并且可以比硅摻雜得更高。此外,由于碳化硅的帶隙較寬,碳化硅二極管的正向電壓高于硅二極管。
在對(duì) System Plus Consulting 電力電子和化合物半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)成員 Amine Allouche 的采訪中,我們重點(diǎn)介紹了 SiC 二極管的一些特性。
與普通的 PiN 二極管不同,肖特基二極管沒有恢復(fù)電流,因?yàn)樗鼈兪蔷哂卸鄶?shù)電荷載流子的單極組件。然而,它們確實(shí)表現(xiàn)出一些由封裝和電路的寄生能力和電感引起的恢復(fù)效應(yīng)。SiC 二極管的主要應(yīng)用是在電源電路中,尤其是在 CCM(連續(xù)傳導(dǎo)模式)中的 PFC(功率因數(shù)校正)電路中。碳化硅 (SiC) 使二極管具有更高的故障電壓和更高的電流容量,從而在工業(yè)充電中找到了空間。
“根據(jù) Yole Développement 的數(shù)據(jù),2019 年功率 SiC 裸二極管管芯市場(chǎng)價(jià)值 1.6 億美元。這包括各種不同的細(xì)分市場(chǎng),例如汽車、能源、工業(yè)……事實(shí)上,SiC 二極管主要用于中壓應(yīng)用(汽車、光伏、電機(jī)控制……)到高壓應(yīng)用(智能電網(wǎng)……)。在汽車應(yīng)用中,SiC 器件,尤其是 SiC 二極管,目前被用于車載充電器 (OBC),”Amine Allouche 說(shuō)。
與所有 SiC 芯片一樣,Amine Allouche 強(qiáng)調(diào),SiC 二極管面臨的主要挑戰(zhàn)可分為三個(gè)級(jí)別:
材料層面:碳化硅晶圓的生產(chǎn)成本較高(例如與硅晶圓相比)。商業(yè)化的晶圓尺寸仍然有限(最多 6 英寸),而硅晶圓目前正在過(guò)渡到 12 英寸。
制造可靠設(shè)備所需的高質(zhì)量晶圓的大批量供應(yīng)商數(shù)量有限。我們的報(bào)告強(qiáng)調(diào)了這一點(diǎn),我們比較了以下 SiC 二極管制造商/銷售商的原始 SiC 晶圓成本:英飛凌、Wolfspeed、羅姆、意法半導(dǎo)體、安森美半導(dǎo)體、美高森美和 UnitedSiC。
器件級(jí):器件可靠性面臨一些關(guān)鍵工藝步驟的挑戰(zhàn),例如 SiC 外延、SiC 摻雜(需要高溫)、SiC 蝕刻……與更成熟的硅技術(shù)相比,制造良率仍有待提高。
我們的報(bào)告詳細(xì)介紹了外延良率和晶圓前端制造良率對(duì) SiC 二極管生產(chǎn)成本的影響。
系統(tǒng)級(jí):封裝是 SiC 二極管的另一個(gè)挑戰(zhàn)。需要開發(fā)新的封裝解決方案才能充分受益于 SiC 技術(shù)優(yōu)勢(shì)。我們的報(bào)告詳細(xì)介紹了與市場(chǎng)上可用的 SiC 二極管相關(guān)的不同封裝方面,從封裝類型、芯片連接到引線鍵合。
SiC 二極管可以組裝成分立封裝,用作混合模塊中帶有硅基晶體管的反并聯(lián)二極管,或用作帶有 SiC 晶體管的全 SiC 模塊中的反并聯(lián)二極管。
“在我們的報(bào)告中,我們重點(diǎn)介紹了制造商的芯片貼裝選擇等。在我們分析的 7 個(gè)制造商的 11 個(gè) SiC 二極管中,我們觀察到了五種類型的芯片連接。其中以錫基附著最為常見。然而,一個(gè)賣家使用特定類型的高性能芯片連接,但這會(huì)損害制造成本,”Amine Allouche 說(shuō)。
碳化硅的高導(dǎo)熱性允許更好的散熱,提供比硅更小的外形尺寸。這允許降低成本并使用更小的包裝。
碳化硅肖特基二極管的恢復(fù)時(shí)間和電恢復(fù)電荷較淺;重要且有趣的是,恢復(fù)時(shí)間和電流與溫度和電流瞬變無(wú)關(guān),這與硅二極管不同,硅二極管的恢復(fù)時(shí)間和電流隨溫度而大大增加。
SiC 二極管是逆變器的絕佳替代品:通過(guò)簡(jiǎn)單地將它們用作二極管,與硅 IGBT 反向并聯(lián)放置,可以降低損耗。在典型的混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 中,用碳化硅組件替代硅組件可使?fàn)恳侍岣?10% 以上。這導(dǎo)致散熱器體積減少到 1/3。
審核編輯 黃昊宇
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