MOSFET重要參數(shù)及等級1-3

1、直流參數(shù)不用講非常重要：

1.1耐壓BVDSS(給流測壓，一般是250uA或1mA各測試一次，這樣2次差值就可以看到一個耐壓比率)，

1.2IDSS(是給額定電壓測試漏電流，一般測試2次，第一次給額定耐壓值測電流，最后再測0.8倍額定值，再測1次電流，這2次值差值也可以看出一個漏電比率），

1.3GS極之間耐壓IGSS（也是給壓測流，一般是nA級別，如果帶ESD保護就是uA級別漏電），

1.4開啟電壓VTH（是給電流測電壓，一般也是250uA和1mA這2個條件下，如果有并聯(lián)使用注意此參數(shù)誤差不要太大），

1.5導通阻抗RDSON（是讓DS極導通測試DS極間電阻，一般測試2個開啟電壓值時候阻抗，一般VGS=10V或VGS=4.5V時候，這兩個值差值可以看出這個MOS管導通線性情況），

1.6反方向二極VFSD值（體二級管，制造時候寄生產生），

1.7跨導GFS（DS導通能電流變化能力）。

2、動態(tài)參數(shù)：

2.1雪崩EAS（主要看元件對抗感性環(huán)境能力沖擊一般檔位是mJ,豪焦，這個電感是是變動的，電感越小 電流越大)，

2.2 G極等效電阻和電容RG/CISS（這個參數(shù)影響MOS管開關速度，有多管匹配時候開啟一致性，由次參數(shù)影響），

2.3TON/TOFF（開關時間，這個參數(shù)多MOS匹配使用時候也要注意），

2.4柵極充電電荷QG（G極電荷驅動能力），

2.5熱阻DVDS封裝可靠性檢查（主要是利用MOS管寄生體二極管過大電流后發(fā)熱，由于不同散熱條件影響VF值變化，差異判斷）。

3、HBV全塑封的漏電。

審核編輯 黃昊宇