搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      基本半導體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6

      lhl545545 ? 來源：基本半導體 ? 作者：基本半導體 ? 2022-09-13 15:49 ? 次閱讀

      Pcore6

      采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的三相全橋功率模塊系列

      產(chǎn)品型號? BMS600R12HWC4

      ? BMS400R12HWC4

      ? BMS700R08HWC4

      ? BMS450R08HWC4

      產(chǎn)品型號? BMS600R12HLWC4

      ? BMS400R12HLWC4

      ? BMS700R08HLWC4

      ? BMS450R08HLWC4

      汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅(qū)動器功率器件的高性能、高效率等需求設計并推出的產(chǎn)品。

      該產(chǎn)品采用標準HPD（Hybrid Pack Drive）封裝，并在功率模塊內(nèi)部引入了先進的有壓型銀燒結(jié)連接工藝，以及高密度銅線鍵合技術(shù)?；谶@些先進工藝組合的Pcore6系列模塊，可有效降低電動汽車主驅(qū)電控、燃料電池能源管理系統(tǒng)應用中的功率器件溫升，以及在相同芯片溫升情況下，輸出電流增加10%以上。

      產(chǎn)品特點

      溝槽型、低RDS（on） 碳化硅MOSFET芯片

      雙面有壓型銀燒結(jié)

      高導熱型納米銀介質(zhì)層

      高密度銅線鍵合技術(shù)

      DTS（Die Top System）技術(shù)

      增強型PinFin散熱針結(jié)構(gòu)

      快速動態(tài)響應特性

      應用優(yōu)勢

      延長器件壽命5倍

      提高系統(tǒng)輸出電流能力10%

      高功率密度

      高阻斷電壓

      低導通電阻

      低開關(guān)損耗

      高可靠性

      應用領(lǐng)域

      電動汽車、軌道交通、飛行器、航行器等的動力驅(qū)動系統(tǒng)

      燃料電池電能系統(tǒng)

      移動設備電推進系統(tǒng)

      產(chǎn)品列表

      48c488c2-3038-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

      審核編輯：彭靜
      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        142

        文章

        7010

        瀏覽量

        212278
      • 功率器件
        +關(guān)注

        關(guān)注

        41

        文章

        1695

        瀏覽量

        90187
      • 碳化硅
        +關(guān)注

        關(guān)注

        25

        文章

        2663

        瀏覽量

        48721
      • 基本半導體
        +關(guān)注

        關(guān)注

        2

        文章

        69

        瀏覽量

        10110

      原文標題：產(chǎn)品速遞 | 應用于新能源汽車的Pcore?6碳化硅三相全橋MOSFET模塊

      文章出處：【微信號：基本半導體，微信公眾號：基本半導體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      收藏 人收藏

        評論

        相關(guān)推薦

        IGBT三相全橋整流電路原理是什么

        電壓驅(qū)動式功率半導體器件，它將BJT（雙極型三極管）和MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、損耗小以及承受電流和電壓能力高等優(yōu)點。 二、
        的頭像 發(fā)表于 09-30 15:33 ?900次閱讀

        2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

        1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功
        的頭像 發(fā)表于 09-18 17:18 ?231次閱讀
        2.5nH超低電感的1200V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>三相</b><b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>

        基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認證

        近日，基本半導體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴苛要求
        的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?438次閱讀
        基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>通過AEC-Q101車規(guī)<b class='flag-5'>級</b>認證

        基本半導體攜汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)品亮相TMC 2024

        7月4-5日，由中國汽車工程學會主辦的第十六屆汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會（TMC 2024）在青島盛大舉行?；?b class='flag-5'>半導體攜旗下全系汽車
        的頭像 發(fā)表于 07-08 15:40 ?443次閱讀

        新能源汽車空調(diào)壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案

        新能源汽車空調(diào)壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
        的頭像 發(fā)表于 07-05 09:38 ?327次閱讀
        新能源<b class='flag-5'>汽車</b>空調(diào)壓縮機<b class='flag-5'>三相</b><b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>方案

        基本半導體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認證，為汽車電子注入新動力

        近日，中國半導體行業(yè)的佼佼者——基本半導體公司，再次在科技領(lǐng)域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過了AEC-Q101車規(guī)
        的頭像 發(fā)表于 06-26 17:58 ?807次閱讀

        基本半導體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

        產(chǎn)品，吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。 基本半導體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅
        的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?711次閱讀
        基本<b class='flag-5'>半導體</b>攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

        英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板

        半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，專為2kV碳化硅MOSFET模塊設計。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷
        的頭像 發(fā)表于 05-11 11:33 ?645次閱讀

        先導中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

        在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實力，推出了全新的1200V 100A
        的頭像 發(fā)表于 05-09 14:25 ?512次閱讀

        基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

        BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業(yè)客戶對高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊
        的頭像 發(fā)表于 04-11 09:22 ?849次閱讀
        基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>推出</b>一款1200V 240A大功率<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>

        瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

        近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封
        的頭像 發(fā)表于 04-07 11:37 ?1390次閱讀
        瞻芯電子<b class='flag-5'>推出</b>一款車規(guī)<b class='flag-5'>級</b>1200V SiC<b class='flag-5'>三相</b><b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b>塑封<b class='flag-5'>模塊</b>IVTM12080TA1Z

        一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

        共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
        的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1219次閱讀
        一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的應用及性能優(yōu)勢

        安世半導體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

        基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳
        的頭像 發(fā)表于 12-04 10:39 ?851次閱讀

        意法半導體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

        充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全
        發(fā)表于 10-31 15:37 ?1590次閱讀
        意法<b class='flag-5'>半導體</b>車規(guī)雙列直插<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>提供多功能封裝配置

        意法半導體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列車規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊

        泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋
        的頭像 發(fā)表于 10-30 16:03 ?592次閱讀