MOS管即MOSFET,又叫絕緣柵場效應管,是場效應管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號,這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
這是MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu):
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
另外,MOS管和IGBT的選擇可以參考以下幾點:
MOS IBGT
切換功率大于100KHz 切換功率低于25KHz
輸入電壓低于250V 輸入電壓高于1000V
較小的輸出功率的場合 較大輸出功率的場合
電流變化較小的負載
總的來說,MOSFET優(yōu)點是高頻特性好,工作頻率高,缺點是導通電阻大,在高壓大電流場合功耗較大;IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越,其導通電阻小,耐壓高。
審核編輯:湯梓紅
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