華大電子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5嵌入式閃存

5.嵌入式閃存（FLASH）

5.1.模塊介紹

華大電子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模塊，該模塊控制 FLASH 的擦除、編程以及讀取數(shù)據(jù)。上電時會從 FLASH 中讀取相關數(shù)據(jù)進行校驗以及初始化配置，保證芯片程序在正確且安全的情況下運行。

5.2.功能特點

? 支持高達 64K 主閃存空間的 FLASH

? 存儲器結構

– 主閃存空間 64K 字節(jié)

– 副閃存空間 4.5K 字節(jié)

? 指出對閃存空間的擦寫、編程和讀操作

? 支持對閃存空間訪問限制和擦寫保護

? 支持低功耗模式

5.3.功能說明

5.3.1.閃存結構

閃存空間由 32 位寬的存儲單元組成，既可以存代碼又可以存數(shù)據(jù)。主閃存塊按 32 頁（每頁 1K 字節(jié)）分塊，以頁為單位設置寫保護（參見存儲保護相關內(nèi)容）。

注：當主閃存空間 64KB 不夠存放用戶程序時，可把副閃存空間的扇區(qū) 0 至扇區(qū) 7 擴展為程序存放空間，即支持 68KB的程序存放空間。

5.3.2.閃存讀保護

讀操作在整個芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成，用于存放指令或者數(shù)據(jù)。當 NVR8 用戶配置區(qū)經(jīng)過自定義的保護配置后,SWD 連接時會對 FLASH 的代碼數(shù)據(jù)執(zhí)行保護機制。

注：FLASH 運行在 24MHz 工作頻率，當系統(tǒng)時鐘超過 30MHz 時，需要配置 TIMER_REG0 的 RC 參數(shù)，增加時鐘周期數(shù)再把 FLASH 接口的數(shù)據(jù)寫到寄存器。

5.3.3.閃存擦除和燒寫操作

燒寫和擦除操作在整個芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成。燒寫和擦除操作由下列 6 個寄存器完成，先根據(jù)燒寫的時鐘配置好燒寫時序(TIME_REG1)，再配置燒寫密碼，配置好編程地址，最后配置好編程數(shù)據(jù)，即可開始執(zhí)行燒寫，然后等待操作結束。

燒寫操作相關寄存器

? 時序寄存器 1 ：TIME_REG1

? 密碼寄存器：NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD

? 編程地址寄存器：PROG_ADDR

? 編程數(shù)據(jù)寄存器：PROG_DATA

? 狀態(tài)寄存器：DONE

擦除操作相關寄存器：

? 擦除控制寄存器：ERASE_CTRL

注：需要注意的是，F(xiàn)LASH 在擦除/燒寫的同時不可以從 FLASH取數(shù)據(jù)，所以 FLASH 在擦除/燒寫過程中會讓總線停頓，直到完成后才能繼續(xù)運行。

審核編輯 ：李倩