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??瓢雽?dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

MEMS ? 2022-11-29 18:06 ? 次閱讀

國(guó)產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

??瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司碳化硅外延片新聞發(fā)布暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功

中國(guó)蘇州,2022年11月23日——??瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅(SiC)外延片投產(chǎn)新聞發(fā)布會(huì)。會(huì)上公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平宣布,公司采用國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備和國(guó)產(chǎn)襯底生產(chǎn)的6英寸SiC外延片,已于近期通過兩大權(quán)威機(jī)構(gòu)的雙重檢測(cè),性能指標(biāo)完全媲美國(guó)際大廠,為我國(guó)碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)毫無(wú)爭(zhēng)議的新紀(jì)錄。

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蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會(huì)副主任倪乾,蘇州納米科技發(fā)展有限公司董事長(zhǎng)、總裁張淑梅,中國(guó)電子材料協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)袁桐,南京大學(xué)教授、固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任陳延峰,中國(guó)冶金自動(dòng)化院教授級(jí)高工高達(dá),希科的天使投資方、云懿投資創(chuàng)始人夏玉山,以及十余家投資機(jī)構(gòu)代表、客戶和供應(yīng)商代表,應(yīng)邀出席了當(dāng)天的發(fā)布會(huì),共同見證了中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)界這一歷史時(shí)刻。

發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)照片

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發(fā)布會(huì)投產(chǎn)儀式

核心材料和裝備近年來已成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“卡脖子”最嚴(yán)重的兩個(gè)環(huán)節(jié),如何實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破,完成國(guó)產(chǎn)化替代,成為我國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)升級(jí)必須面臨的重要課題。可喜的是,隨著國(guó)家的高度重視和大力扶持,在業(yè)界各方的共同努力下,國(guó)產(chǎn)化替代技術(shù)正在不斷涌現(xiàn)。此次??瓢雽?dǎo)體在SiC外延工藝研發(fā)上取得的突破性進(jìn)展,就是采用了純國(guó)產(chǎn)設(shè)備和完全自主的先進(jìn)工藝,顯示了國(guó)內(nèi)企業(yè)振興我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心和決心,也讓與會(huì)的專家和領(lǐng)導(dǎo)倍感振奮。

呂立平總經(jīng)理介紹,在過去的一年里,??瓢雽?dǎo)體從國(guó)產(chǎn)水平外延爐調(diào)試成功,到完成國(guó)產(chǎn)量測(cè)設(shè)備調(diào)試、并實(shí)現(xiàn)與進(jìn)口量測(cè)設(shè)備的對(duì)標(biāo)校準(zhǔn),填補(bǔ)了行業(yè)空白;近日公司又進(jìn)一步完成了國(guó)產(chǎn)垂直外延爐調(diào)試,并完成了國(guó)產(chǎn)襯底原料與進(jìn)口襯底同等外延工藝下的對(duì)比測(cè)試。至此,??瓢雽?dǎo)體實(shí)現(xiàn)了工藝設(shè)備、量測(cè)設(shè)備、關(guān)鍵原料的三位一體國(guó)產(chǎn)化,完全、干凈、徹底的解決了國(guó)外產(chǎn)品的卡脖子問題。這一系列成果填補(bǔ)了我國(guó)碳化硅行業(yè)的空白。

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??瓢雽?dǎo)體呂立平總經(jīng)理在會(huì)議中致辭

蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會(huì)副主任倪乾表示,??瓢雽?dǎo)體碳化硅外延片正式投產(chǎn)必將為園區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入更加強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)力。當(dāng)前,園區(qū)正以建設(shè)世界一流高科技園區(qū)為目標(biāo),以建設(shè)蘇州實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心等重大創(chuàng)新載體為抓手,全面學(xué)習(xí)貫徹黨的二十大精神,堅(jiān)持科技是第一生產(chǎn)力、人才是第一資源、創(chuàng)新是第一動(dòng)力,全力打造國(guó)際一流的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。長(zhǎng)期以來,園區(qū)高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,積極探索并出臺(tái)相應(yīng)政策支撐產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng),繼續(xù)加大在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面的支持力度。園區(qū)將持續(xù)營(yíng)造一流的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài),不斷提升政策體系、人才供給、產(chǎn)業(yè)生態(tài),更高水平促進(jìn)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈、服務(wù)鏈深度融合,做好企業(yè)有求必應(yīng)的“店小二”,全面支持包括希科半導(dǎo)體在內(nèi)的優(yōu)秀企業(yè)加速成長(zhǎng)。

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園區(qū)黨工委委員、管委會(huì)副主任倪乾在會(huì)議中致辭

疫情下遠(yuǎn)道而來的中國(guó)電子材料協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)袁桐表示,當(dāng)前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的挑戰(zhàn),從國(guó)內(nèi)看是疫情下經(jīng)濟(jì)面臨著下行壓力,從國(guó)際看美國(guó)芯片法案對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的制裁進(jìn)一步擴(kuò)大化。但是,在國(guó)家支持發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大框架和大背景下,整個(gè)行業(yè)仍然迎難而上,取得了前所未有的發(fā)展。數(shù)以萬(wàn)億計(jì)的資本投入、也為行業(yè)注入了巨大活力,吸引了全球半導(dǎo)體行業(yè)的英才,這也使得我國(guó)從半導(dǎo)體工藝設(shè)備,到材料、設(shè)計(jì)、晶圓制造等各個(gè)關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),都涌現(xiàn)出了初步具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè),國(guó)產(chǎn)化率顯著提高,在許多關(guān)鍵設(shè)備、關(guān)鍵材料和先進(jìn)工藝方面打破了國(guó)外壟斷。她說,當(dāng)下行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了最有利于半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)企業(yè)跨越式發(fā)展的新階段,她很高興看到年輕的希科半導(dǎo)體在成立僅僅一年多時(shí)間就展現(xiàn)了驚人的發(fā)展勢(shì)能,也欣喜地看到在蘇州產(chǎn)業(yè)園及周邊聚集了中國(guó)規(guī)模最大、品類最全的半導(dǎo)體材料下游產(chǎn)業(yè)集群。她代表中國(guó)電子材料協(xié)會(huì),以及中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)的肖向鋒副理事長(zhǎng),祝福??瓢雽?dǎo)體順利投產(chǎn),期待希科為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出新的貢獻(xiàn)。

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中國(guó)電子材料協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)袁桐會(huì)議中致辭

早在今年9月底,希科半導(dǎo)體就以獨(dú)有的產(chǎn)業(yè)化工藝生產(chǎn)出6英寸外延片,經(jīng)兩家行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)的雙重檢測(cè),結(jié)果顯示完全可以媲美國(guó)際上的頭部友商。隨著??瓢雽?dǎo)體本次規(guī)模化投產(chǎn),將改變目前碳化硅外延這一碳化硅芯片的核心原材料一直依賴進(jìn)口設(shè)備和進(jìn)口襯底的現(xiàn)狀,不但品質(zhì)更優(yōu)、成本更低,而且能夠保障供應(yīng)、按需擴(kuò)產(chǎn),將為我國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展和雙碳戰(zhàn)略的實(shí)施做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。

據(jù)了解,SiC外延是從碳化硅長(zhǎng)晶到芯片生產(chǎn)的各工藝環(huán)節(jié)中承前啟后的關(guān)鍵一環(huán)。所謂SiC外延片,是指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)一層更高晶格品質(zhì)的單晶薄膜(外延層),在實(shí)際應(yīng)用中一個(gè)個(gè)碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、摻雜等半導(dǎo)體制程工藝在這個(gè)外延層上得以實(shí)現(xiàn),而碳化硅晶片本身是作為襯底實(shí)現(xiàn)支撐作用。因此碳化硅外延片的質(zhì)量對(duì)下一步芯片晶圓劃片封裝后的碳化硅器件性能的影響,是最為直接和巨大的。而外延的質(zhì)量又受到外延工藝、設(shè)備和襯底品質(zhì)的影響,處在整個(gè)產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié),其技術(shù)和工藝進(jìn)步對(duì)碳化硅整體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。長(zhǎng)期以來,SiC外延生產(chǎn)設(shè)備被歐美日發(fā)達(dá)國(guó)家壟斷,近年來國(guó)內(nèi)業(yè)界開始在國(guó)產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)工藝上積極投入研發(fā),以解決這一“卡脖子”問題。

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希科半導(dǎo)體呂立平總經(jīng)理帶領(lǐng)嘉賓參觀產(chǎn)線

與會(huì)的中國(guó)冶金自動(dòng)化院教授級(jí)高級(jí)工程師高達(dá)稱,希科半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)突破是對(duì)業(yè)界的一大貢獻(xiàn),認(rèn)為??茖?shí)現(xiàn)“關(guān)鍵工藝機(jī)臺(tái)全部國(guó)產(chǎn)化”和“量測(cè)機(jī)臺(tái)全部本土替代”將為碳化硅產(chǎn)業(yè)提供新的推動(dòng)力。他說,本次希科半導(dǎo)體在先進(jìn)工藝研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化、國(guó)產(chǎn)化方面的一系列突破,對(duì)公司自身的發(fā)展和行業(yè)整體擺脫對(duì)國(guó)外技術(shù)和設(shè)備的依賴都打下了扎實(shí)的基礎(chǔ)。

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中國(guó)冶金自動(dòng)化院教授級(jí)高級(jí)工程師高達(dá)在會(huì)議中致辭

希科半導(dǎo)體的天使投資方、云懿投資創(chuàng)始人夏玉山在發(fā)言中難掩激動(dòng)之情。云懿投資從2017年涉足第三代半導(dǎo)體投資,分別入股了瞻芯電子、山東天岳(688234),以及本次發(fā)布會(huì)的主角??瓢雽?dǎo)體,其中山東天岳在今年順利成為碳化硅行業(yè)的第一家上市公司,瞻芯電子也成長(zhǎng)為業(yè)界公認(rèn)的碳化硅芯片頭部企業(yè)。他表示,從當(dāng)初入股??瓢雽?dǎo)體到如今投入量產(chǎn),??埔詤瘟⑵娇偨?jīng)理為代表的團(tuán)隊(duì)非常高效和務(wù)實(shí),發(fā)展過程中的各項(xiàng)決策包括全面國(guó)產(chǎn)化的決策,云懿投資都參與其中,可以說是與創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)互相成就,這種如同團(tuán)隊(duì)一分子般共同創(chuàng)業(yè)的感受非常難得。

會(huì)上夏玉山先生還透露了??莆磥淼娜谫Y計(jì)劃,并歡迎看中碳化硅產(chǎn)業(yè)前景的眾多投資機(jī)構(gòu)積極參與,共同支持??仆瓿山谀戤a(chǎn)能達(dá)到十萬(wàn)片、成為行業(yè)前三的目標(biāo)。

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??瓢雽?dǎo)體的天使投資方、云懿投資創(chuàng)始人夏玉山發(fā)言

??瓢雽?dǎo)體公司成立于2021年8月,坐落于蘇州工業(yè)園區(qū)納米城三區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園,也是蘇州納米城引入的重點(diǎn)企業(yè)和標(biāo)桿項(xiàng)目。公司自成立以來專注于碳化硅外延片的關(guān)鍵工藝研發(fā),核心團(tuán)隊(duì)擁有十余年的研發(fā)、量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),以及世界級(jí)大廠的管理經(jīng)驗(yàn),并已儲(chǔ)備了多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。其中公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平是國(guó)內(nèi)最早從事SiC技術(shù)和工藝研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍型人才,擁有多項(xiàng)發(fā)明專利和實(shí)用新型專利。

發(fā)布會(huì)上,呂立平總經(jīng)理對(duì)冒著疫情管控蒞臨發(fā)布會(huì)的諸位領(lǐng)導(dǎo)及各方嘉賓表達(dá)了衷心感謝。他表示,??瓢雽?dǎo)體公司能夠在成立后的短短一年多時(shí)間里取得跨越式高速進(jìn)展,是站在中國(guó)芯片行業(yè)大發(fā)展的時(shí)代背景上實(shí)現(xiàn)的,離不開產(chǎn)業(yè)界和各級(jí)政府主管部門的大力支持,其中最直接和最重要的就是來自蘇州工業(yè)園區(qū)及蘇州納米城發(fā)展有限公司各位領(lǐng)導(dǎo)的支持。

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希科半導(dǎo)體所在地園區(qū)納米城III區(qū)

近年來,隨著新能源和雙碳產(chǎn)業(yè)的崛起,碳化硅行業(yè)正面臨著井噴式的市場(chǎng)機(jī)遇,蘇州納米城各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)憑借著對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體前瞻性領(lǐng)悟,大力支持碳化硅、MEMS等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,搭建了完善的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和配套設(shè)施,目前這里和周邊已經(jīng)成為了我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)上下游最大的聚集地。蘇州納米城地理位置優(yōu)越,交通便利,加上整體規(guī)劃科學(xué)合理,教育、醫(yī)療、商貿(mào)等生活配套非常到位,吸引著越來多的半導(dǎo)體高端技術(shù)人才和創(chuàng)業(yè)者。

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原文標(biāo)題:國(guó)產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體:引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

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    全球高性能功率半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)新趨勢(shì)

    Resonac(原昭和電工)是全球SiC外延市場(chǎng)的佼佼者,該公司除了與羅姆半導(dǎo)體、英飛凌等建立長(zhǎng)期供貨關(guān)系之外,還獲得了日本企業(yè)的大量投資,以擴(kuò)大其
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    SiC外延層的缺陷控制研究

    探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制,揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
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    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>外延</b>層的缺陷控制研究

    中電化合物榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”

    近日,華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào),其生產(chǎn)的8英寸SiC外延更是一舉斬獲“2023年度
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    半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢?外延層的存在有何意義?

    半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢?外延層的存在有何意義? 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成,這兩個(gè)部分在制造過程中起著重要的作用,并且
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    半導(dǎo)體外延和晶圓的區(qū)別?

    半導(dǎo)體外延和晶圓的區(qū)別? 半導(dǎo)體外延和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料,它們之間有一些
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