半導(dǎo)體外延生長方式介紹

文章來源：晶格半導(dǎo)體

原文作者：晶格半導(dǎo)體

本文簡單介紹了幾種半導(dǎo)體外延生長方式。

Si產(chǎn)業(yè)鏈包括襯底、外延、設(shè)計(jì)、制造、封測等環(huán)節(jié)。依據(jù)工藝不同，半導(dǎo)體硅片可分為研磨片、拋光片、外延片、SOI（在頂層硅和支持襯底間引入一層絕緣埋氧化層）等，其中半導(dǎo)體外延是外延片的重要組成部分。

半導(dǎo)體外延其目的就是在襯底上生長外延層，外延生長方式主要分為氣相外延（VPE）、固相外延（SPE）、液相外延（LPE）和分子束外延（MBE），其中氣相外延方法最為成熟，在外延工藝中占據(jù)主導(dǎo)地位。

氣相外延

氣相外延是指含外延層材料的物質(zhì)以氣相形式在襯底上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生長出外延層的工藝。金屬有機(jī)化合物氣相外延（MOVPE）為VPE中較為先進(jìn)的外延技術(shù)，主要利用金屬有機(jī)物的熱分解反應(yīng)在襯底上形成氣相外延。

液相外延

液相外延是通過降溫降低飽和熔體的溶解度，從而在襯底上析出外延層的方法。

固相外延

固相外延是指在襯底上的非晶（或多晶）薄膜（或區(qū)域）在高溫下退火轉(zhuǎn)化為單晶的方法。

分子束外延

分子束外延是指在真空下將分子束或原子束直接噴射單晶襯底上逐層形成外延層的方法。