在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。因此,如果只寫(xiě)入和擦除某些塊,則這些特定塊的P/E周期將迅速消耗,備用塊將很快耗盡,從而導(dǎo)致NAND閃存提前失效。
磨損均衡有三種類(lèi)型:動(dòng)態(tài)、靜態(tài)和全局。動(dòng)態(tài)磨損均衡僅處理可用空間,并確保寫(xiě)入行為僅發(fā)生在同一空間中擦除計(jì)數(shù)較低的塊中。靜態(tài)磨損均衡考慮了整個(gè)閃存芯片,包括空白區(qū)域和已寫(xiě)入的塊。此技術(shù)將數(shù)據(jù)從擦除次數(shù)較少的塊移動(dòng)到其他塊,以便可以保留寫(xiě)入時(shí)間較短的塊以供將來(lái)使用。最后,還有全局磨損均衡,其中與靜態(tài)磨損均衡的最大區(qū)別在于其范圍擴(kuò)展到整個(gè)設(shè)備,而靜態(tài)磨損均衡僅適用于單個(gè)閃存芯片。這可確保寫(xiě)入行為發(fā)生在整個(gè)設(shè)備中寫(xiě)入頻率較低的塊中。
NAND 閃存控制器的供應(yīng)商在開(kāi)發(fā)時(shí)必須考慮 NAND 的這一特性。因此,磨損均衡旨在允許NAND閃存在整個(gè)模塊使用過(guò)程中均勻分布,以便所有模塊的P / E周期隨著相同的數(shù)據(jù)而上升。該技術(shù)允許在產(chǎn)品達(dá)到其生命周期之前徹底使用所有模塊,從而延長(zhǎng)NAND閃存的使用壽命。因此,磨損均衡技術(shù)可以提高NAND閃存產(chǎn)品的可靠性和耐用性。
審核編輯:郭婷
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