Everspin的xSPI STT-MRAM產品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達200MHz。這些持久存儲器MRAM設備在單個1.8V電源上運行,并通過八個I/O信號為讀取和寫入提供高達400MBps的數據。
EM064LX產品系列的主要一般優(yōu)勢。第一個也是最突出的好處是速度。EMxxLX系列支持以總線速度進行讀寫訪問,在八進制DTR配置中可以達到400MB/s。在實踐中能否實現(xiàn)這一速度很大程度上取決于主機處理器的性能。盡管如此,即使在更常見的(無論如何對于深度嵌入式應用)和保守的Quad SPI配置中,也獲得了接近60MB/s的對稱讀/寫速度,與典型的NOR和NAND性能相去甚遠。
MRAM的另一個明顯優(yōu)點是其低能耗。根據EM064LX數據表,在DTR八進制配置和200 MHz時鐘速度下,有效寫入電流為155mA。快速返回包絡線計算得出每字節(jié)0.155 A x 1.8 V/400 MB/s=0.7 nJ的寫入能量。這大約是NAND的10倍,NOR的200倍。
最后,MRAM的特點是幾乎無限的耐久性,這大大簡化了軟件設計。內存耐久性是指在保持一組原始規(guī)范(如最大錯誤率和加載/編程/擦除時間)的同時可以執(zhí)行的編程/擦除周期數。有限的續(xù)航能力是閃存管理軟件復雜性的主要原因之一。在文件系統(tǒng)級別,需要使用磨損均衡算法,以確保寫入操作在所有塊中均勻分布。這對于防止擋塊過早磨損,最終使整個設備無法使用至關重要。在更高級別上,從早期設計階段到驗證階段以及之后,必須使用診斷工具處理有限的耐久性問題,以便在現(xiàn)場監(jiān)測設備。這同樣適用于裸閃存和托管閃存。更多產品詳情請聯(lián)系代理RAMSUN.
審核編輯黃昊宇
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關推薦
無論在工業(yè)、醫(yī)療、城市還是教育領域,當前各行各業(yè)都迎來了智慧升級的快速發(fā)展。作為深耕物聯(lián)網10年的通信老兵,自連自主研發(fā)的智能終端產品系列,在不同場景中發(fā)揮著應有的重要作用。今天,小編就為大家盤點
發(fā)表于 10-24 17:25
?52次閱讀
電子發(fā)燒友網站提供《TVP51xx產品系列-常見問題解答.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-08 14:36
?0次下載
電子發(fā)燒友網站提供《快速整數除法C2000產品系列的差異化產品.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-19 13:36
?0次下載
你好,我有個產品用到TL064芯片,最近有個客戶購買150塊產品,使用過程發(fā)現(xiàn),有10塊產品tl064芯片出現(xiàn)問題。問題現(xiàn)象一致,均是第四
發(fā)表于 08-27 06:33
EM5020前置射頻放大器配合本公司EM5030近場探頭使用,主要對所要測試的微弱信號進行放大, 頻率范圍9kHz-3GHz;EM5020A增益約為20dB,
發(fā)表于 08-16 10:22
?283次閱讀
、高性能、易擴展和易于集成等特點,廣泛應用于各種工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中。本文將詳細介紹西門子PLC的主要產品系列,包括S7-200 Smart、S7-300、S7-400、S7-1200和S7-1500等,并結合實際案例,分析各系列PLC的特點和應用場景。
發(fā)表于 06-18 14:50
?1225次閱讀
我正在尋找英飛凌支持 IEEE 802.11 mc(往返時間)的 Wi-Fi 產品系列,您能分享一下芯片/模塊嗎?我們的團隊計劃設計一種用于室內定位系統(tǒng)的便攜式設備??傊?,我還檢查了帶有符合
發(fā)表于 05-30 08:00
西安紫光國芯UniIC近日推出了全新的SSD產品系列,這一系列共包含四款SSD產品,分別是面向行業(yè)的高端型號「CTD700」、「BTD300」和「ATK110」,以及面向消費者的國潮風SSD「T5-新紀」,由旗下云彣(UniWh
發(fā)表于 05-06 16:17
?582次閱讀
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術,以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
發(fā)表于 02-25 10:53
?721次閱讀
MRAM是以磁性隧道結(MTJ)儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時,MTJ的隧道結便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
發(fā)表于 02-19 11:32
?1310次閱讀
MRAM的基本結構是磁性隧道結,研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅動,后者則采用自旋極化電流驅動。
發(fā)表于 01-22 10:50
?390次閱讀
AGM Micro發(fā)布了兼容STM32的MCU產品系列,推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產品系列。AGM32產品系列對32位MCU的廣大客戶群提供國產替代和新智能應用市場的開拓。
此次AGM
發(fā)表于 12-29 11:18
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產品系列,推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產品系列。AGM的FPGA
發(fā)表于 12-29 10:52
電子發(fā)燒友網站提供《ADI公司PLL產品系列的最新發(fā)展.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 11-24 11:45
?0次下載
目前三星仍然是全球專利第一,2002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM
發(fā)表于 11-22 14:43
?471次閱讀
評論