連接直流開關(guān)的固態(tài)繼電器

介紹

在基于MOSFET的繼電器中，交流和直流信號(hào)都可以被切換。輸出利用了兩個(gè)n通道類型的mosfet。當(dāng)控制交流負(fù)載時(shí)，其中一個(gè)MOSFET用于切換交流循環(huán)的正相，而另一個(gè)用于切換負(fù)相。當(dāng)控制直流負(fù)載時(shí)，只需要一個(gè)MOSFET，繼電器可以配置以增強(qiáng)開關(guān)特性。

輸出配置

圖01到03顯示了來自固態(tài)光電的AD6C111設(shè)備的典型輸出接線圖。 AD6C111是一個(gè)6引腳DIP/SMD，1形成一個(gè)固態(tài)繼電器。該設(shè)備具有典型的開啟電阻(@25°C)為17Ω，最大連續(xù)額定負(fù)載電流為120 mA，封裝功耗為800mW。

圖1顯示了跨引腳4和引腳6連接的負(fù)載。此選項(xiàng)允許交流和直流信號(hào)切換。無論是切換交流信號(hào)還是直流信號(hào)，繼電器的接通電阻和連續(xù)負(fù)載電流將分別為17Ω(典型)和120 mA。

圖1：交流/直流配置

圖2顯示了跨引腳4和5(或引腳6和5)連接的負(fù)載。通過在這種配置中連接繼電器，用戶將繞過第二個(gè)MOSFET，并將發(fā)現(xiàn)接通電阻通常在11-13Ω的量級(jí)上，而不是17Ω。

圖2：單個(gè)MOSFET直流配置

只要負(fù)載共享一個(gè)公共地，就可以利用此配置將兩個(gè)負(fù)載實(shí)際連接到繼電器上。如果以這種方式使用繼電器(2表A)，則必須考慮兩個(gè)項(xiàng)目。首先，兩個(gè)負(fù)載必須只有直流電，并共用一個(gè)地面。第二，從兩個(gè)負(fù)載耗散到繼電器的總功率不得超過800 mW的封裝功率耗散。例如，如果使用繼電器在室溫(25°C)下切換兩個(gè)100 mA直流負(fù)載，通過封裝消耗的總功率為：P = [(0.100A) 2 * 13Ω] * 2 = 260mW

該值遠(yuǎn)低于允許的800 mW的最大值，且繼電器將正常工作。對(duì)于負(fù)載大于約170 mA，繼電器將消散超過800 mW，并且不再保證正常性能。

圖3顯示了直流信號(hào)切換的第三個(gè)選項(xiàng)。通過短路引腳6和4，然后連接到引腳6和5之間的負(fù)載，接通電阻顯著降低。

圖3：雙MOSFET直流配置

在這種配置中，接通電阻降到7Ω以下。較低的接通電阻的優(yōu)點(diǎn)意味著一個(gè)較高的負(fù)載電流可能由封裝消散。

結(jié)論

任何基于MOSFET的繼電器都可以切換直流負(fù)載。通過各種配置，可以增強(qiáng)繼電器的直流開關(guān)特性，甚至達(dá)到創(chuàng)建2型a繼電器的點(diǎn)。

審核編輯：湯梓紅