高K介質(zhì)（High-k Dielectric)和替代金屬柵(RMG)工藝介紹
高K介質(zhì) （High-k Dielectric)和替代金屬柵 (RMG)工藝
2007年，Intel 公司宣布在 45nm CMOS 工藝節(jié)點(diǎn)上成功地使用高k氧化鉿基(Hf-oxide Based）介質(zhì)和金屬柵工藝，可以顯著減少柵介質(zhì)泄漏電流和增加?xùn)艑?dǎo)電能力。
但高k氧化鉿基柵介質(zhì)較易被源漏退火步驟的熱過程引起結(jié)晶化，導(dǎo)致較大的泄漏電流，因此高k介質(zhì)金屬柵模塊工藝需要在源漏之后再形成，這被稱為后柵（Gate Last）工藝或替代金屬柵 ( Replacement Metal Gate, RMG)工藝，如圖所示。
因此，高k介質(zhì)（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金屬柵(如TiN、TiAl、Al 或W等）模塊便成為 32nm/28nmn 和更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的標(biāo)準(zhǔn)配備；后柵工藝或替代金屬柵工藝也成為產(chǎn)業(yè)界先進(jìn) CMOS 工藝節(jié)點(diǎn)（28nm 節(jié)點(diǎn)之后）采用的主流工藝方案。
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：中段集成工藝（MOL Integration Flow）- 2
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