淺析OSAT的高性能封裝技術(shù)

摘 要：

高性能計(jì)算、人工智能和 5G 移動(dòng)通信等高性能需求的出現(xiàn)驅(qū)使封裝技術(shù)向更高密度集成、更高速、低延時(shí)和更低能耗方向發(fā)展。簡(jiǎn)要地介紹了半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)、晶圓代工廠和 IDM 在高性能封裝領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了國(guó)內(nèi)企業(yè)在此領(lǐng)域的布局和發(fā)展?fàn)顩r，并結(jié)合國(guó)家政策和國(guó)際環(huán)境變化，展望了未來(lái)國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)在該領(lǐng)域的發(fā)展方向。

0 引言

1965 年 4 月 ，Intel 創(chuàng)始 人之 一戈 登· 摩爾（Gordon Moore）在《電子學(xué)》雜志上刊載《讓集成電路填滿更多的組件》，文章中預(yù)言：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，半導(dǎo)體芯片上集成的元器件數(shù)目（如晶體管和電阻數(shù)量）約每隔 18～24 個(gè)月增加 1 倍，性能提升 1 倍。這個(gè)著名的摩爾定律，在過(guò)去的幾十年間一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。

為滿足該定律的要求，晶圓代工廠不斷地縮小晶體管柵極特征尺寸。直到20世紀(jì)90 年代，該理論開(kāi)始遇到經(jīng)濟(jì)學(xué)和物理學(xué)上的雙重阻礙。相比于技術(shù)節(jié)點(diǎn) 90 nm，3 nm 的投資成本增加了 35～40 倍 ，僅英特爾（Intel）、三星（Samsung）和臺(tái)積電（TSMC）3 家企業(yè)有能力跟隨，可以繼續(xù)在該賽道上競(jìng)爭(zhēng)。與此同時(shí)，科技浪潮向高性能計(jì)算、人工智能、深度學(xué)習(xí)和 5G 通信等領(lǐng)域快速地發(fā)展，其愈加依賴超高性能的高速芯片。除芯片自身往更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)推進(jìn)外，高性能封裝技術(shù)也成為主要的解決方案之一。

高性能封裝作為一種前沿的封裝技術(shù)，其主要特點(diǎn)為I/O的高密度（≥16/mm 2 ）和細(xì)間距（≤130 μm），其 典 型 的 代 表 為 高 速 專 用 集 成 電 路（application specific integrated circuit ，ASIC ）處理 芯片 和大 約4 000 個(gè) 端 口 的 高 帶 寬 存 儲(chǔ) 器（high bandwidth memory，HBM）的超高密度連接，該異構(gòu)芯片集成封裝技術(shù)將整體性能推向極致。

據(jù) Yole development預(yù)測(cè)，從 2019～2025年，高性能封裝的市場(chǎng)營(yíng)收將由8 億美元增至 43 億美元 ，年平均復(fù)合增長(zhǎng)率約為31%。對(duì)此，封測(cè)企業(yè)（OSAT）、晶圓代工廠和垂直整合制造廠（integrated design andmanufacture，IDM）紛紛強(qiáng)勢(shì)加入該賽道，布局相關(guān)發(fā)明專利，搶占市場(chǎng)。

本文主要介紹國(guó)內(nèi)、外現(xiàn)有的高性能封裝技術(shù)，闡述其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，分析我國(guó)在該領(lǐng)域的現(xiàn)狀，為國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)在高性能封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化上提供必要的信息支持。

1 主要的高性能封裝技術(shù)

目前，高性能封裝技術(shù)主要包括：超高密度扇出封裝（ultra-high densityfan-out，UHD FO）、2.5D interposer、3D stacked memories 、embedded Si bridge和 hybrid bonding，其關(guān)鍵技術(shù)基本掌握在世界頭部封測(cè)企業(yè)（OSAT）、先進(jìn)的晶圓代工廠和 IMD 手中，如長(zhǎng)電科技、日月光 、安靠、臺(tái)積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等，如圖1所示。

在高性能封裝技術(shù)中，芯片間的異構(gòu)或異質(zhì)封裝集成扮演著重要作用，涉及TSV技術(shù)、高密度重布線（RDL）、micro bump 和 bump less 混合鍵合等先進(jìn)工藝，這些工藝對(duì)設(shè)備 、無(wú)塵室等級(jí)均有較高的要求，而且前期資本投入很高。晶圓代工廠和 IDM 利用自身先進(jìn)的制造能力、強(qiáng)大的人才和經(jīng)濟(jì)實(shí)力，在高性能封裝技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。

1.1OSAT的高性能封裝技術(shù)

在高性能封裝方面，OSAT廠的代表封裝技術(shù)為Fan out和 2.5D 封裝。其中，F(xiàn)an out的典型技術(shù)為嵌入式晶圓級(jí)球柵陣列（embedded wafer level BGAe，WLB），由英飛凌在 2014 年提出 ，通過(guò)專利授權(quán) ，在日月光（ASE）、星科金朋（STATS ChipPAC，被長(zhǎng)電科技收購(gòu)）、Nanium（被 Amkor 收購(gòu)）等公司實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。

eWLB 結(jié)構(gòu)如圖 2 所示，采用模塑料將 1 顆或多顆芯片進(jìn)行封裝。OSAT 基于 eWLB 技術(shù)，積極開(kāi)發(fā)高密度基底上扇出型芯片（fanout chip on substrate，F(xiàn)OCoS）封裝 ，其結(jié)構(gòu)根據(jù)上芯的順序 ，又可分為先芯片的基底上扇出型芯片（FOCoS chip last，F(xiàn)OCoS-CL）和 后 芯 片 的 基 底 上 扇 出 型 芯 片（FOCoS chip first，F(xiàn)OCoS-CF）。

在結(jié)構(gòu)上,eWLB 通過(guò)不斷縮減RDL線寬（Line，L）/間距（Space，S），由L/S 5 μm /5 μm遞減至 OSAT普遍使用的 L/S 2 μm /2 μm；同時(shí)，RDL的層數(shù)將繼續(xù)增加，最后由 bump pitch 小于 55 μm 的micro bump實(shí)現(xiàn)HBM和ASIC芯片間的高密度互連，打破內(nèi)存對(duì)處理能力的限制（即“存儲(chǔ)墻”）。

為進(jìn)一步提升Fan out封裝的I/O的互連密度，基于 FOCoS 的 堆 棧 Si 橋 接 的 基 底 上 扇 出 型 芯 片（stacked Si bridge FOCos，sFOCoS）被開(kāi)發(fā)出來(lái)，該結(jié)構(gòu)利用前道晶圓代工能力，制作線路 L/S 為 0.8 μm /0.8 μm的Si bridge，再將其埋入molding材料中，實(shí)現(xiàn)更高密度的互連；同時(shí)，可以降低Si interposer開(kāi)發(fā)導(dǎo)致的高昂費(fèi)用。

在2.5D封裝方面，Si 轉(zhuǎn)接板為其重要組成之一，能夠?qū)崿F(xiàn)異質(zhì)芯片互連，滿足高計(jì)算能力和高帶寬的要求，如圖3所示。

在 Si轉(zhuǎn)接板上，可制作尺寸小于 1 μm 的線寬和過(guò)孔，在滿足超高I/O密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。但是，上述工藝均需采用晶圓代工廠的設(shè)備和工藝，技術(shù)成本高，因此，在OSAT廠未得到廣泛使用。

1.2晶圓代工廠和IDM的高性能封裝技術(shù)

晶圓代工廠和 IDM 憑借技術(shù)、人才和資源等優(yōu)勢(shì)，積極地布局高性能封裝，其中，最具實(shí)力的代表企業(yè)包括TSMC、Samsung和Intel。

1.2.1 TSMC的高性能封裝技術(shù)

2016 年，TSMC 成 功 研 發(fā) 集 成 扇 出 封 裝（integrated fan-out，InFO）技術(shù)，如圖 4所示，并首次應(yīng)用在當(dāng)年蘋果的旗艦機(jī)型 iPhone 7與 iPhone 7Plus中的 A10 處理器 ，成為 TSMC 獨(dú)占蘋果 A 系列處理器訂單的關(guān)鍵，開(kāi)啟了整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)界研發(fā) 2D 及3D FO 堆疊技術(shù)的熱潮，并衍生出一系列相關(guān)產(chǎn)品，如InFO-oS，InFO-MS，InFO-AiP等。

InFO 與 eWLB 有類似的 Fan out 技術(shù)，無(wú)需印刷線路板，將已知合格芯片（known gooddie，KGD）進(jìn)行晶圓重組，實(shí)現(xiàn)同質(zhì)、異質(zhì)芯片間直接互聯(lián)，大大縮短互連長(zhǎng)度；另外，TSMC 擁有 4層細(xì)線寬/線間距（2 μm/2 μm）的重布線和 36 μm 的芯片間 I/O pitch的加工能力，能夠封裝更多I/O的芯片，滿足移動(dòng)通信領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體器件的超小體積和更多功能的要求。

為進(jìn)一步提高封裝體的集成度，TSMC開(kāi)發(fā)了配套晶圓基底（chip on wafer on substrate，CoWoS）封裝技術(shù)，其結(jié)構(gòu)如圖5所示。根據(jù)Si interposer的使用情況 ，CoWoS 分為 CoWoS@-R 和 CoWoS@-S ，前者使用OSAT的光刻技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)5層細(xì)線寬/線間距（2 μm /2 μm）的制作；后者直接使用晶圓代工廠的光刻和大馬士革工藝，在 Si interposer 上制作亞微米級(jí)L/S 的 金 屬 層 ，高 效 地 實(shí) 現(xiàn) 高 性 能 計(jì) 算（high performance compute，HPC）和 HBM 連接 ，并在蘋果和高通產(chǎn)品上得到了重要的應(yīng)用。

在 3D IC 方面 ，TSMC 在 2019 年提出系統(tǒng)整合單晶片（system on integrated chip，SoIC）技術(shù)，如圖 6所示，其基于 TSV、micro bump 和混合鍵合等技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) I/O 密度大于 10 000/mm 2 的封裝。SoIC將處理器、內(nèi)存和傳感器等幾種不同類型的芯片堆疊在一起，使封裝模組體積更小 、功能更強(qiáng)大，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低延時(shí) ，低能耗的目的，可以說(shuō)是真正意義上的 3D 堆棧技術(shù) ，預(yù)計(jì)會(huì)在 2022 年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。

目前，TSMC 在晶圓級(jí) 3D IC 技術(shù)中已經(jīng)擁有強(qiáng)大的 3D 封裝技術(shù)組合 ，如 CoWoS，InFO-R，COW 和WoW 等。從 2020 開(kāi)始，TSMC 采用新的“3D Fabric”框架推廣這些技術(shù)，這是其 3D封裝技術(shù)的新品牌計(jì)劃，該技術(shù)是將小芯片、高帶寬內(nèi)存和專用IP捆綁在一起，構(gòu)成異構(gòu)封裝。

1.2.2 Samsung的高性能封裝技術(shù)

相較于 TSMC 的 12 寸晶圓級(jí) InFO 封裝技術(shù) ，Samsung 主要在面板級(jí)扇出型封裝（fan-out panel-level packaging，F(xiàn)O-PLP）上發(fā)力，進(jìn)一步縮減封裝成本，且在其高端產(chǎn)品Galaxy Watch的應(yīng)用處理器上應(yīng)用。目前，Samsung使用510 mm × 415 mm尺寸的面板制造FOPLP，且已經(jīng)開(kāi)發(fā)出高達(dá)800 mm × 600 mm規(guī)格的面板。

在 FO-PLP 的開(kāi)發(fā)上 ，隨著面板面積的增大 ，產(chǎn)品翹曲變得嚴(yán)重，對(duì)光刻工藝帶來(lái)較大的挑戰(zhàn)，直接影響高密度 L/S 為 2 μm /2 μm 的 RDL 的開(kāi)發(fā)。除上述問(wèn)題外，隨著 L/S 的減小 ，Ti 殘留和 Ti undercut 等工藝問(wèn)題，也有待解決。

在 2.5D 封裝方面 ，Samsung 除采用 Si interposer外 ，通 過(guò) 在 基 板 表 面 插 入 高 密 度 RDL 和 有 機(jī)interposer，開(kāi)發(fā)出相對(duì)廉價(jià)的2.1D和2.3D封裝，應(yīng)用在部分低端產(chǎn)品上，如圖 7 所示。此舉避免了開(kāi)發(fā)Si interposer 的高昂費(fèi)用，同時(shí)，可直接在 OSAT 廠的光刻設(shè)備上實(shí)現(xiàn)。

Samsung 在 3D IC 上與 TSMC 走相同的道路 ，通過(guò) TSV 孔將相同的內(nèi)存芯片垂直互連，如圖 8 所示。三星的這項(xiàng)技術(shù)被認(rèn)為是大規(guī)模生產(chǎn)高性能芯片所面臨的最具挑戰(zhàn)性的封裝技術(shù)之一，其需要極高的精度才能確保上萬(wàn)個(gè)TSV孔的三維垂直互連。

1.2.3 Intel的高性能封裝技術(shù)

與 OSAT、晶圓代工不同 ，Intel 作為 IDM 模式的代表，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，擁有獨(dú)有的技術(shù)專利。

2014 年，英特爾提出嵌入式多芯片互連橋接（embeddedmulti-die interconnect bridge，EMIB）封裝技術(shù) ，是 2.5D interposer 封裝技術(shù)的低成本替代方案，如圖 9所示。EMIB 技術(shù)與典型的 2.5D 封裝采用硅中介層不同，通過(guò)在基板中嵌入一小塊硅芯片，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)芯片的高密度互連，起到“橋梁”的作用。其對(duì)芯片尺寸大小沒(méi)有限制，從而在理論上保證了異質(zhì)芯片的集成。由于沒(méi)有 TSV，EMIB技術(shù)也屬于基板類封裝，因此，被劃分為基于二維平面延伸的先進(jìn)封裝技術(shù)。

2018 年 12 月，英特爾首次展示了邏輯計(jì)算芯片高密度3D堆疊封裝技術(shù)Foveros，其被稱作三維面對(duì)面異構(gòu)集成芯片堆疊技術(shù)，如圖 10 所示。Foveros采用 3D 芯片堆疊的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP），來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯對(duì)邏 輯（logic-on-logic）的 芯 片 異 質(zhì) 集 成 。 首 款Foveros 3D 堆疊設(shè)計(jì)的主板芯片 LakeField，它集成了 10 nm Ice Lake 處理器以及 22 nm 核心，具備完整的PC功能，同時(shí)，其體積只有幾枚美分硬幣大小。

2高性能封裝的技術(shù)特點(diǎn)與國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀

隨著集成電路應(yīng)用多元化，智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、高性能計(jì)算、5G、人工智能等新興領(lǐng)域，對(duì)先進(jìn)封裝提出更高要求，封裝技術(shù)發(fā)生著日新月異的變化，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向著系統(tǒng)集成、高速、高頻、三維、超細(xì)節(jié)距互連方向發(fā)展，F(xiàn)an out、2.5D 和 3D 封裝等先進(jìn)技術(shù)受到更多的青睞。如表1所示，對(duì)比了這3種封裝方式的特點(diǎn)。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域取得較大突破，先進(jìn)封裝的產(chǎn)業(yè)化能力基本形成 ，但在 2.5D/3D IC等高性能封裝方面，中國(guó)大陸封裝企業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平仍有一定差距。海外并購(gòu)讓中國(guó)大陸封測(cè)企業(yè)快速獲得了技術(shù)、市場(chǎng)，彌補(bǔ)了一些結(jié)構(gòu)性的缺陷，極大地推動(dòng)了其向上發(fā)展。但是，近期海外審核趨嚴(yán)，使國(guó)際投資并購(gòu)受到阻礙、可選并購(gòu)標(biāo)的減少，中國(guó)未來(lái)通過(guò)并購(gòu)取得先進(jìn)封裝技術(shù)與市占率的可能性減小，自主研發(fā)和國(guó)內(nèi)整合將成為主流。

在自主研發(fā)方面 ，由于高性能封裝采用高密度RDL、micro bump 和混合鍵合等先進(jìn)工藝制程，涉及晶圓代工所用技術(shù)類型與設(shè)備等資源，封測(cè)企業(yè)在技術(shù)、資金受限情況下，可能選擇與晶圓代工廠進(jìn)行技術(shù)合作，或是以技術(shù)授權(quán)等方式，再搭配自身龐大的產(chǎn)能基礎(chǔ)進(jìn)行接單量產(chǎn)，共同擴(kuò)大市場(chǎng)。目前，國(guó)內(nèi)晶圓代工廠和封測(cè)企業(yè)進(jìn)行合作的方向主要是晶圓級(jí)封裝及低密度集成，在高密度集成方面的研發(fā)，仍有較長(zhǎng)的路要走。

在國(guó)內(nèi)三強(qiáng)封測(cè)企業(yè)中，長(zhǎng)電通過(guò)收購(gòu)星科金朋，獲得 eWLB 的專利使用權(quán)，成為全球最大的晶圓級(jí)扇出型封裝（FO-WLP）供應(yīng)商之一,以此為基礎(chǔ)，逐步進(jìn)入 UHD FO 的領(lǐng)域。華天科技開(kāi)發(fā)出 Si 基Fan out 封裝技術(shù)，以此為基礎(chǔ)，拓展其在 3D 封裝方面的應(yīng)用，但處理芯片和 HBM 需要較大的 Si基面積，由此造成的工藝問(wèn)題尚待解決。

同時(shí)，在Si基上如何制作高密度 RDL 和微凸點(diǎn) ，也需要進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。通富微電子股份有限公司也較早地開(kāi)始了 Fan out、2.5D 和 3D 封裝等高端技術(shù)方面的研發(fā)，并積極和華為、AMD 等優(yōu)質(zhì)客戶進(jìn)行合作，開(kāi)展 UHD FO、超薄存儲(chǔ)芯片 2.5D TSV interposer 及 3D 堆疊集成封裝技術(shù)研究，并建立生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。

在國(guó)家“十三五”和即將到來(lái)的“十四五”規(guī)劃，以及 02 專項(xiàng)的大力支持下，國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)積極地填補(bǔ)中國(guó)大陸在高性能封裝的技術(shù)空白，提升關(guān)鍵工藝設(shè)備及關(guān)鍵工藝材料國(guó)產(chǎn)化的比重，打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)在先進(jìn)封裝技術(shù)方面的壟斷。

3結(jié)論與展望

摩爾定律的趨緩使得高性能封裝技術(shù)成為當(dāng)下半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的新方向主之一。國(guó)際頭部 OSAT廠、晶圓代工廠和 IDM 熱衷于在 Fan out、2.5D 和 3D封裝技術(shù)上布局相關(guān)專利，開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品和實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，不斷夯實(shí)其在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。在高性能封裝上，需要使用的高密度RDL、micro bump、TSV和混合鍵合等工藝技術(shù)，將處理芯片和 HBM 進(jìn)行異構(gòu)或異質(zhì)集成，滿足對(duì)高密度 I/O 的封測(cè)要求，最大限度地提升了芯片的性能。

審核編輯：劉清