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在現(xiàn)代芯片封裝技術中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關鍵組件,尤其在3D集成技術中起到至關重要的作...
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級增長,芯片技術正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術獨占鰲頭,導致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 557 0
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談用以太網(wǎng)替代NVLink。
如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新
正如我們在最初涉足Celestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學旋轉(zhuǎn),稱為OMIB。
什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術迭代引領高性能存儲新紀元
HBM制造集成前道工藝與先進封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關鍵。HBM制造的關鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。
近日,市場調(diào)研機構TrendForce在“AI時代半導體全局展開──2025科技產(chǎn)業(yè)大預測”研討會上發(fā)布了一項重要預測。據(jù)該機構指出,隨著全球前三大HB...
韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產(chǎn)中的核心設備——TC鍵合測試設備。 針對10月16日部分媒體所報...
三星下調(diào)HBM產(chǎn)能目標,強化研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整。原定的每月20萬顆產(chǎn)能目標已被下調(diào)至每月17萬顆,降幅超過10%。
AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升,近期消息顯示,不僅HBM(高帶寬存儲器)出現(xiàn)供不應求、原廠積極擴產(chǎn)的情況,英偉達Blackwell架構的GPU也面...
三星或?qū)BM產(chǎn)能目標下調(diào)至每月17萬顆
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變...
人工智能(AI)與機器學習(ML)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,驅(qū)動著各行各業(yè)的革新。隨著模型復雜度與數(shù)據(jù)量的激增,實時處理海量數(shù)據(jù)的需求對底層硬件基礎設...
三星電子或2026年將HBM4基底技術生產(chǎn)外包給臺積電
據(jù)媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產(chǎn)外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同...
SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領存儲器市場格局轉(zhuǎn)變
在9月25日(當?shù)貢r間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上,SK海力士發(fā)布的一項關于其高帶寬內(nèi)存(HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TA...
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務報告,市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。 SK海力士因在高帶寬內(nèi)...
三星電子近期發(fā)布預測,指出全球HBM(高帶寬內(nèi)存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預測的12...
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