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標簽 > HBM

HBM

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hbm技術

芯片封裝技術中不同術語的基本定義

在現(xiàn)代芯片封裝技術中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關鍵組件,尤其在3D集成技術中起到至關重要的作...

2024-10-09 標簽:封裝技術芯片封裝HBM 178 0

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2024-09-23 標簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 557 0

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芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護電路設計,無需外加額外ESD保護電路情況下,都通過 IEC E...

2024-04-24 標簽:寄生電容電磁感應ESD保護電路 1026 0

一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡

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最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談用以太網(wǎng)替代NVLink。

2024-04-22 標簽:以太網(wǎng)單芯片交換機 3066 0

如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新

正如我們在最初涉足Celestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學旋轉(zhuǎn),稱為OMIB。

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B100將采用雙Die架構。如果采用異構Die合封方式,封裝基板面積將小于當前先進封裝4倍Reticle面積的約束。而如果采用計算Die和IO Die分...

2024-04-06 標簽:NVIDIAgpu人工智能 1013 0

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

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Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。

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Nvidia芯片工藝先進封裝演進洞察

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根據(jù)IRDS的樂觀預測,未來5年,邏輯器件的制造工藝仍將快速演進,2025年會初步實現(xiàn)Logic器件的3D集成。TSMC和Samsung將在2025年左...

2024-03-15 標簽:cpuNVIDIAgpu 872 0

HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術迭代引領高性能存儲新紀元

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HBM制造集成前道工藝與先進封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關鍵。HBM制造的關鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。

2024-03-14 標簽:DRAM寄存器cpu 981 0

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術對比

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hbm資訊

2025年全球HBM產(chǎn)能預計大漲117%

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2024-10-15 標簽:gpuAIHBM 284 0

三星或?qū)BM產(chǎn)能目標下調(diào)至每月17萬顆

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2024-10-14 標簽:三星電子內(nèi)存HBM 236 0

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三星電子或2026年將HBM4基底技術生產(chǎn)外包給臺積電

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2024-10-10 標簽:三星電子臺積電HBM 345 0

SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領存儲器市場格局轉(zhuǎn)變

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2024-10-08 標簽:存儲器SK海力士HBM 481 0

SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體

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2024-10-08 標簽:內(nèi)存SK海力士HBM 495 0

三星預測HBM需求至2025年翻倍增長

三星電子近期發(fā)布預測,指出全球HBM(高帶寬內(nèi)存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預測的12...

2024-09-27 標簽:三星電子內(nèi)存HBM 262 0

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